Введение
Развитие радиоэлектроники и электронно-вычислительной техники проявило совокупность противоречий между усложнением функционального состава современной аппаратуры, с одной стороны, и надежностью, затратами на проектирование, производство, эксплуатацию, массогабаритными показателями и энергопотреблением с другой стороны. Преодолеть названные противоречия в значительной мере позволили успехи такого научно-технического направления электроники, как микроэлектроника. В понятие микроэлектроника принято относить специфические методы проектирования электронных схем, конструкций и процессы производства основных изделий микроэлектроники – микросхем. По технологическому принципу изготовления гибридные ИМС подразделяются на тонкопленочные и толстопленочные.
Толстые пленки играют очень важную роль в современной технике. Особенно успешно они применяются в быстро развивающейся технологии интегральных схем. Они служат также основными элементами в столь различных областях техники, как устройства для преобразования солнечной энергии в электрическую энергию, и сверхпроводниковые приборы.
Толстые плёнки толщиной в несколько десятков мкм применяют для изготовления пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактов) в гибридных толстоплёночных микросхемах, а также проводников и изолирующих слоёв в некоторых типах многоуровневых коммутационных микроплат.
В основе
толстоплёночной технологии лежит
использование дешёвых и высокопроизводительных
процессов, требующих небольших
единовременных затрат на подготовку
производства, благодаря чему она
оказывается экономически целесообразной
и в условиях мелкосерийного производства.
Высокая надёжность толстоплёночных
элементов обусловлена прочным (свыше
50 кгс/см2)
сцеплением с керамической подложкой,
которое достигается процессом вжигания
пасты в поверхностный слой керамики.