- •Определение переходного процесса. Законы коммутации. Обобщенные законы коммутации. Доказательство законов коммутации.
- •Обобщенные законы коммутации.
- •Некорректные ну.
- •Методы расчета переходных процессов.
- •Классический метод расчета переходных процессов. Составление характеристических уравнений классическим методом.
- •Решение линейных дифференциальных уравнений классическим методом.
- •Определение постоянных интегрирования в классическом методе.
- •Составление характеристических уравнений путем использования выражения для входного сопротивления цепи на переменном токе.
- •Переходные процессы в цепи первого порядка с r,l.
- •Переходные процессы в цепи первого порядка с r,c. Включение цепи с резистором и катушкой на постоянное напряжение
- •5.4.3. Включение цепи с резистором и катушкой на синусоидальное напряжение
- •Свойства корней характеристического уравнения второго порядка.
- •Переходные процессы в цепи второго порядка при последовательном включении r,l,c для постоянной эдс.
- •Переходные процессы в цепи второго порядка при последовательном включении r,l,c для гармонической эдс.
- •Угловая частота свободных колебаний. Коэффициент затухания.
- •4. Изображение по Лапласу функции равно
- •5. Единичная функция обладает фильтрующим действием:
- •Переходная и импульсная переходная функции.
- •Вывод формулы (интеграла) наложения.
- •Вывод формулы для интеграла Дюамеля.
- •Изображение постоянной, показательной функции.
- •Изображение первой и второй производной.
- •Закон Ома в операторной форме.
- •Законы Кирхгофа в операторной форме.
- •Способы перехода от изображений к оригиналам.
- •Переход от изображений к оригиналам с помощью формул разложения.
- •Последовательность расчета переходных процессов операторным методом.
- •Формулы включения.
- •Сведения расчета переходного процесса операторным методом к расчету с нулевыми начальными условиями.
- •Сравнение различных методов расчета переходных процессов.
- •Электропроводность полупроводников. Электронно-дырочный переход (p-n). Носители заряда в примесных полупроводниках.
- •Полупроводниковые диоды. Вольтамперные характеристики.
- •Полупроводниковые стабилитроны. Вольтамперные характеристики.
- •Вольт-амперная характеристика
- •Туннельный диод. Вольтамперные характеристики.
- •Обращенные диоды. Вольтамперные характеристики.
- •Биполярные транзисторы. Определение, принцип действия.
- •Вольтамперные характеристики биполярных транзисторов.
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Ключевые режимы работы биполярного транзистора.
- •Униполярные транзисторы. Определение, классификация.
- •Устройство униполярного транзистора с изолированным затвором.
- •Устройство униполярного транзистора с p-n переходом.
- •Выходные характеристики униполярного транзистора с управляющим p-n переходом.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе, включенный по схеме с общей базой.
- •Операционные усилители, определение, классификация.
- •Активные фильтры. Определение, классификация по частотным характеристикам.
Вольтамперные характеристики биполярных транзисторов.
На рис.60 представлены вольт-амперные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Режимы работы биполярного транзистора.
Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;
Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.
Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
Режим отсечки
В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).
Барьерный режим
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам транзисторов.
Схема замещения биполярного транзистора в линейном (усилительном) режиме.
Эквивалентные схемы замещения биполярных транзисторов.
При расчете транзит. усилит. схем, транзисторы заменяют схемой замещения ( эквивалентной схемой). Параметры которой получают путем линеаризации вольт – амперных характеристик в заданной рабочей точке.
Т очную линеаризацию можно получить только в ограниченной области изменения напряжений и токов, то рассчитанные параметры называются малосигнальными.
Ключевые режимы работы биполярного транзистора.
Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;
Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.
Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
Режим отсечки
В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).
Барьерный режим
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам транзисторов.
Униполярные транзисторы. Определение, классификация.
Полевой транзистор (ПТ) — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Классификация полевых транзисторов
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы.
Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (метал — диэлектрик — полупроводник).