- •Определение переходного процесса. Законы коммутации. Обобщенные законы коммутации. Доказательство законов коммутации.
- •Обобщенные законы коммутации.
- •Некорректные ну.
- •Методы расчета переходных процессов.
- •Классический метод расчета переходных процессов. Составление характеристических уравнений классическим методом.
- •Решение линейных дифференциальных уравнений классическим методом.
- •Определение постоянных интегрирования в классическом методе.
- •Составление характеристических уравнений путем использования выражения для входного сопротивления цепи на переменном токе.
- •Переходные процессы в цепи первого порядка с r,l.
- •Переходные процессы в цепи первого порядка с r,c. Включение цепи с резистором и катушкой на постоянное напряжение
- •5.4.3. Включение цепи с резистором и катушкой на синусоидальное напряжение
- •Свойства корней характеристического уравнения второго порядка.
- •Переходные процессы в цепи второго порядка при последовательном включении r,l,c для постоянной эдс.
- •Переходные процессы в цепи второго порядка при последовательном включении r,l,c для гармонической эдс.
- •Угловая частота свободных колебаний. Коэффициент затухания.
- •4. Изображение по Лапласу функции равно
- •5. Единичная функция обладает фильтрующим действием:
- •Переходная и импульсная переходная функции.
- •Вывод формулы (интеграла) наложения.
- •Вывод формулы для интеграла Дюамеля.
- •Изображение постоянной, показательной функции.
- •Изображение первой и второй производной.
- •Закон Ома в операторной форме.
- •Законы Кирхгофа в операторной форме.
- •Способы перехода от изображений к оригиналам.
- •Переход от изображений к оригиналам с помощью формул разложения.
- •Последовательность расчета переходных процессов операторным методом.
- •Формулы включения.
- •Сведения расчета переходного процесса операторным методом к расчету с нулевыми начальными условиями.
- •Сравнение различных методов расчета переходных процессов.
- •Электропроводность полупроводников. Электронно-дырочный переход (p-n). Носители заряда в примесных полупроводниках.
- •Полупроводниковые диоды. Вольтамперные характеристики.
- •Полупроводниковые стабилитроны. Вольтамперные характеристики.
- •Вольт-амперная характеристика
- •Туннельный диод. Вольтамперные характеристики.
- •Обращенные диоды. Вольтамперные характеристики.
- •Биполярные транзисторы. Определение, принцип действия.
- •Вольтамперные характеристики биполярных транзисторов.
- •Режимы работы биполярного транзистора.
- •Ключевые режимы работы биполярного транзистора.
- •Униполярные транзисторы. Определение, классификация.
- •Устройство униполярного транзистора с изолированным затвором.
- •Устройство униполярного транзистора с p-n переходом.
- •Выходные характеристики униполярного транзистора с управляющим p-n переходом.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе, включенный по схеме с общей базой.
- •Операционные усилители, определение, классификация.
- •Активные фильтры. Определение, классификация по частотным характеристикам.
Полупроводниковые диоды. Вольтамперные характеристики.
Структурная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: 1 — кристалл; 2 — выводы (токоподводы); 3 — электроды (омические контакты); 4 — плоскость р — n-перехода.
Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла.
В наиболее распространённом классе электропреобразовательных П. д. различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, диоды СВЧ. Среди оптоэлектронных П. д. выделяют фотодиоды, светоизлучающие диоды и ПП квантовые генераторы.
Наиболее многочисленны П. д., действие которых основано на использовании свойств электронно-дырочного перехода (р—n-перехода). Если к р—n-переходу диода (рис. 1) приложить напряжение в прямом направлении (т.н. прямое смещение), т. е. подать на его р-область положительный потенциал, то потенциальный барьер, соответствующий переходу, понижается и начинается интенсивная инжекция дырок из р-области в n-область и электронов из n-области в р-область — течёт большой прямой ток.
Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*oбр и I*oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт — напряжение стабилизации.
Полупроводниковые стабилитроны. Вольтамперные характеристики.
Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого имеет область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке вольт-амперной характеристики.
Вольт-амперная характеристика
При достижении напряжения на стабилитроне, называемого напряжением стабилизации Uстаб, ток через стабилитрон резко возрастает. Дифференциальное сопротивление Rдиф идеального стабилитрона на этом участке ВАХ стремится к 0, в реальных приборах величина Rдиф составляет значение: Rдиф ≈ 2÷50 Ом.
Основное назначение стабилитрона - стабилизация напряжения на нагрузке, при изменяющемся напряжении во внешней цепи. В связи с этим последовательно со стабилитроном включают нагрузочное сопротивление, демпфирующее изменение внешнего напряжения. Поэтому стабилитрон называют также опорным диодом.
Напряжение стабилизации Uстаб зависит от физического механизма, обуславливающего резкую зависимость тока от напряжения. Различают два физических механизма, ответственных за такую зависимость тока от напряжения, - лавинный и туннельный пробой p-n перехода.
Для стабилитронов с туннельным механизмом пробоя напряжение стабилизации Uстаб невелико и составляет величину менее 5 вольт: Uстаб < 5 В. Для стабилитронов с лавинным механизмом пробоя напряжение стабилизации обычно имеет большие значения и составляет величину более 8 вольт: Uстаб > 8 В.
Туннельный диод. Вольтамперные характеристики.
У р—n-перехода на основе очень низкоомного (вырожденного) полупроводника область, обеднённая носителями заряда, оказывается очень тонкой (~ 10-2 мкм), и для неё становится существенным туннельный механизм перехода электронов и дырок через потенциальный барьер. На этом свойстве основана работа туннельного диода, применяемого в сверхбыстродействующих импульсных устройствах (например, мультивибраторах, триггерах),
Вольтамперная характеристика туннельного диода: U — напряжение на диоде; I — ток через диод.