23. Пзу и ппзу.
ПЗУ – память, инф-ия в кот., будучи однажды запис., изменению не подлежит. Пр.: прог-ма загрузки в ОЗУ микропроц. сис-ой инф-ии из внеш. памяти. Инф-ия в ПЗУ представ. в виде налич. или отсутст. Соед-ия м/у шинами адреса и данных.
Схема простейшего ПЗУ: дешиф-р, диоды, набор резис-ов и шинные формирователи. Кол-во столбцов опр. разрядность слова, а кол-во строк – кол-во 8 разрядных слов. Диоды устанав. в тех местах, где должны хран. биты, имеющие знач. логич. «0». В наст t вместо диодов ставят МОП-транз-ры.
Сост. прост. ПЗУ
Слово |
Двоичное представление |
|
||||||||
А0 |
А1 |
D1 |
D2 |
D3 |
D4 |
D5 |
D6 |
D7 |
D8 |
|
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
|
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
|
ПЗУ имеют многоразрядную организацию со стр-рой 2DM.
ПЗУ : на: программир. при изготовл., с однократным программир. и перепрограммир.
В ПЗУ инф-ия запис. в проц. изготов-ия с помощ. фотошаблона, назыв. маской. Такие ПЗУ наз. масочными, постр. на диодах, биполяр. или МОП транз-рах. Обл. исп.: хран. стандартной инф-ии
ППЗУ – ПЗУ с возможн. однократ. электрич. программ-ия. Этот вид памяти позвол. однократно запрограммировать микросхему памяти с помощ. программаторов. Микросхемы ППЗУ постр. на ЗЯ с плавкими перемычками. Процесс программ-ия заключ. в избират. пережигании плавких перемычек с помощ. импульсов I достаточ. амплитуды и длит-ти. Плавкие перемычки вкл. в электроды диодов или транз-ров.
РПЗУ – ПЗУ с возможн. многократю электрич. программ-ия. В ИС РПЗУ УФ (EPROM) старая инф-ия стирается с помощ. ультрафиол. лучей, для чего в корпусе микросх. имеется прозрачное окошко; в РПЗУ (EEPROM) – с помощ. электрич. сигналов.
ЗЯ РПЗУ строятся на n-МОП или КМОП транз-рах.
Современные РПЗУ имеют инф-ую емкость до 4 Мбит при тактовой частоте до 80 МГц.
24. FLASH-память.
Флеш-память — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Использует ЛИЗМОП-транзисторы(затвор транзистора делают плавающим, такой затвор заряжается током лавинной инжекции при подаче на сток транзистора высокого напряжения. В результате заряд на плавающем затворе влияет на ток стока, что используется при считывании информации.
В ней произв-ся стирание или всей запис. инф-ии одновременно, или больших блоков инф-ии, а не стирание отдел-х слов. Это дает возмож-ть значит. упростить схему ЗУ и достичь высокого уровня интеграции и быстродействия при ↓ стоим-ти.
Можно выделить 2 осн. стр-ры пост. флэш-памяти: память на осн. ячеек NOR и NAND. Стр-ра NOR состоит из ||-но включ. элементарных ячеек хран. инф-ии. Такая организация ячеек обеспеч. возможность произвол. доступа к данным и побайтной записи инф-ии. В осн. стр-ры NAND лежит принцип послед. соед. элементарных ячеек, образ. гр., кот. объед-ся в страницы, а страницы – в блоки. При таком постр. массива памяти обращ. к отдельным ячейкам невозможно. Программ-ие вып-ся одновременно только в пределах одной стр., а при стирании обращение производится к блокам или к группам блоков.
NAND: процессы записи/стирания вып-ся значит. быстрее. Низкое энергопотребл. Прост. наращ. объемов памяти
NOR: большие времена стирания и записи, но облад. доступом к каждому биту на чтение. Примен. для записи и хранен. программ. кода, кот. не требует частого перезапис-ия.
Обл. примен.: карты памяти и иные устр-ва хран. данных.
NOR NAND
