23. Пзу и ппзу
Для большинства микро-ЭВМ основным используемым типом памяти являются постоянные запоминающие устройства. Данный тип памяти также называют мертвой, фиксированной или долговременной памятью. Постоянное запоминающее устройство функционирует как .матрица памяти, для которой однажды полученное заполнение постоянно и не может быть изменено микропроцессором, использующим эту память.
Выключение электропитания не меняет содержимого ПЗУ. Большинство ПЗУ относится к устройствам памяти с произвольным доступом, в которых время доступа одинаково для всех ячеек памяти. То есть, говоря более строго, для устройства с произвольным доступом время доступа не зависит от адреса, по которому производится обращение.
Во второй класс входят ПЗУ, программируемые непосредственно пользователем. Подобные устройства часто называют программируемыми ПЗУ либо ПЗУ с программируемым полем и сокращенно называют ППЗУ. Обычно в ППЗУ используются плавкие связи, которые могут быть модифицированы пользователем. Однако, после того как устройство запрограммировано, содержимое его памяти остается постоянным, как и в ПЗУ первого класса.
К третьему классу относят ПЗУ, которое можно программировать повторно, такие устройства называют перепрограммируемые или полупостоянными. Перепрограммирование ПЗУ данного класса производится автономно с использованием электрических, оптических и других устройств.
ПЗУ можно характеризовать по способу адресации матрицы памяти, которая осуществляется дешифратором адреса памяти. В ПЗУ, использующих линейную выборку, дешифратор адреса памяти, показанный на рис 3.1, как правило, является дешифратором типа 1 из N. Выходной сигнал дешифратора отпирает одну из N числовых линий, каждая из которых несет M двоичных разрядов информации. Двумерная матрица памяти MxN подобной структуры называется прямоугольной.
Когда происходит обращение к памяти, дешифратор адреса памяти подает напряжение (состояние 1) на соответствующую числовую линию (одну из N). На каждую разрядную линию, соединенную с данной числовой линией элементом связи, подается напряжение возбуждения, что соответствует состоянию 1 для этой линии. Разрядные линии, на пересечении которых с числовой линией отсутствуют элементы связи, находится в состоянии 0.
Структурная схема ПЗУ
Различные варианты ПЗУ с линейной выборкой отличаются в основном типом используемых элементов связи. В простейших ПЗУ применяются пассивные схемные элементы – резисторы и конденсаторы. В случае больших матриц при использовании резисторов возникает ряд проблем, связанных с явлением затухания сигнала.
24. Flash память
Флеш-память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.
Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (обычно около 10 тысяч раз). Несмотря на то, что такое ограничение есть, 10 тысяч циклов перезаписи — это намного больше, чем способна выдержать дискета или CD-RW.
Не содержит подвижных частей, так что, в отличие от жёстких дисков, более надёжна, компактна и дёшева.
Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.
Основное слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.