20. Запоминающие устройства.

1.По назначению: СОЗУ, ОЗУ, ВЗУ, БЗУ, УО, ПЗУ

2.По адресации: 1)ЗУ с произвольным доступом (выборкой), время обращения постоянное, не зависит от адреса. 2)ЗУ с последовательной выборкой, время обращения зависит от номера адреса. 3)ЗУ с циклической выборкой, обращение возможно при определенных условиях. 4)ассоциативное ЗУ (АЗУ), инф-ю ищут по части инф-ии

3.По характеру хранения: 1)Статические, сколь угодно долго хранят инф-ю пока есть питание. 2)Динамические, хранят инф-ю определенный интервал времени. 3)ПЗУ, хранят инф-ю и при откл. питании.

4.По кратности считывания: 1)ЗУ со считыванием инф-ии без разрушения 2)с разрушением

5.По физ-хим принципу работы: 1)магнитные 2)п/п 3)оптические и т.д.

6.По технологии изготовления

1)Дискретные элементы

2)Интегральные микросхемы

21. Струкруры зу.

1) С одномерной адресацией. ЛВС – лин. выборки слова.

2) С двумерной адресацией, цель: сократить длину проводов, увеличить емкость.

22. ОЗУ

Оперативная память микро-ЭВМ чаще всего бывает полупроводниковой. Матрица триггеров или других запоминающих элементов компонуется как единая интегральная схема. Обычным, например, является размещение в одном кристалле ИС матрицы емкостью 4096 бит. ОЗУ, как и ПЗУ являются устройствами с произвольным доступом и представляют собою матрица активных энергонезависимых элементов.

Оперативные запоминающие устройства делятся на два класса – статические и динамические ОЗУ. В статических ОЗУ для хранения 1 бит информации используется отдельный триггер, и эта информация сохраняется пока есть питание. В динамических ОЗУ информация хранится в виде электрических зарядов емкости затвор-подложка МОП – транзистора. Эта емкость через несколько миллисекунд разряжается, так что требуется ее периодическая подзарядка (регенерация). Динамическое ОЗУ имеет важное значение, поскольку в памяти этого типа используется меньшее количество элементов на бит запоминаемой информации., чем в устройствах статического типа (обычно три – четыре транзистора вместо шести - восьми), что позволяет достичь более высокого уровня интеграции. Динамическая память обладает также более высоким быстродействием и потребляет меньшую мощность в устойчивом состоянии. Однако для организации цикла регенерации требуется дополнительное, часто внешнее схемное оборудование. Поэтому динамическая память эффективна лишь для ОЗУ относительно большого объема. Память же малого объема обычно реализуют на статических элементах.

Статическая ячейка ОЗУ: Оперативные ЗУ состоят из отдельных ячеек памяти. В ЗУ данного типа может использоваться адресация как по принципу линейной выборки, так и по принципу совпадения токов . Адресация по принципу совпадения токов обычно применяется в ОЗУ большого объема. Адресуемым элементом ОЗУ может быть 1 бит либо слово из нескольких битов. В последнем случае одновременно используется несколько ячеек. При производстве полупроводниковых ОЗУ используется различная технология, например TTL, ECL, МОП.