- •Минобрнауки России
- •Задачи проведения лекции
- •Подготовка лекций. Состав и цели
- •План проведения лекций в общем виде План проведения лекции состоит из:
- •Методика проведения занятий
- •Заключение
- •Приложение б
- •Типы диодов по назначению:
- •Типы диодов по размеру перехода:
- •Типы диодов по конструкции:
- •Приложение в
- •По структуре транзисторы делятся на:
- •Приложение г
- •Классификация полевых транзисторов.
- •Области применения полевых транзисторов.
- •Классификация полевых транзисторов:
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы):
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом.
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Приложение д
- •Приложение е
- •Механизм электрической проводимости полупроводников
- •Энергетические зоны
- •Подвижность
- •Виды полупроводников (слайд 2) По характеру проводимости Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •По виду проводимости Электронные полупроводники (n-типа)
- •Дырочные полупроводники (р-типа)
- •Приложение ж
- •Классификация диодов Типы диодов по назначению
- •Типы диодов по размеру перехода
- •Типы диодов по конструкции
- •История
- •По основному полупроводниковому материалу
- •По структуре (слайд 7)
- •Комбинированные транзисторы
- •Классификация полевых транзисторов
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом (слайд 9)
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы) (слайд 10)
- •Области применения полевых транзисторов
История
Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной.
В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году они были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости.
Позднее вакуумные лампы были заменены транзисторами в большинстве электронных устройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.
Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor, образовано от слов transfer — передача и resist — сопротивление), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.
Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах — напряжением между затвором и истоком, в биполярных транзисторах — напряжением между базой и эмиттером.
Классификация транзисторов
По основному полупроводниковому материалу
Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:
германиевые
кремниевые
арсенид-галлиевые
Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.