Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физические основы полупроводников.doc
Скачиваний:
13
Добавлен:
31.08.2019
Размер:
1.97 Mб
Скачать

Вопросы и задачи для контроля усвоения

1. Как изменится концентрация электронов в собственном полупроводнике при изменении температуры с – 20оС до +40оС при ширине запрещенной зоны 0.8эВ

2. Вычислить собственные концентрации электронов в германии и кремнии при температуре Т = 300К. Эффективные массы электронов m* = 0.362m0 для германия и 0.595m0 для кремния. Ширина запрещенных зон соответственно 0.66эВ и 1.1эВ.

3. Вычислить удельные сопротивления собственных Ge и Si при 300К. Подвижности электронов и дырок: Ge n = 3.8·103 см2В-1с-1, p = 1.8·103 см2В-1с-1, Si n = 3.0·103 см2В-1с-1, p = 0.5·103 см2В-1с-1

4. Вычислить проводимость германия и кремния при добавлении 0.001% донорной примеси.

5. Найти температурный интервал, в котором концентрация электронов в кремнии постоянна. Энергетический уровень примеси лежит на 0.015эВ ниже уровня дна зоны проводимости. Считать, что концентрация не изменяется при достижении уровня 0.9 от концентрации примеси, и начинает расти при ионизации собственных атомов полупроводника на уровне 0.1 от концентрации примеси.

6. Вычислить коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии и кремнии при температуре 300К, если подвижности Ge n = 3.8·103 см2В-1с-1, p = 1.8·103 см2В-1с-1, Si n = 3.0·103 см2В-1с-1, p = 0.5·103 см2В-1с-1

7.* Найти закон распределения концентрации электронов в полупроводнике в предположении, что на его границе поддерживается концентрация превышающая равновесную n(0) > n0. Задачу рассмотреть в одномерном стационарном случае при отсутствии электрических полей. Указание. Воспользоваться уравнением неразрывности. Положить =0 (стационарность), Члены, содержащие электрическое поле отсутствуют, g = 0 (отсутствует посторонняя генерация электронов).

8. Вычислить диффузионную длину электронов в германии и кремнии, если время жизни электронов составляет 1) n = 10-4c, 2) n = 10-6c

Литература

1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985, 392с.

2. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высшая школа. 1965. 278с.