- •Раздел 1 основные сведения о метрологии.
- •Тема 1.1 Основы теории и практики измерений
- •1 Общие сведения.
- •2 Основные понятия, термины, определения.
- •3 Классификация измерительных приборов и их шкал.
- •Тема 1.2 Основы теории погрешностей
- •1 Основные понятия.
- •2 Погрешности прямых измерений.
- •3 Погрешности косвенных измерений.
- •Раздел 2. Средства электротехнических измерений
- •Тема 2.1. Особенности цифровых измерительных приборов
- •Общие сведения.
- •Общие сведения.
- •Принципы построения.
- •Режимы работы и параметры.
- •Тема 2.2. Измерительные генераторы
- •Общие сведения.
- •1 Общие сведения.
- •2 Низкочастотные генераторы.
- •3 Высокочастотные и сверхвысокочастотные генераторы.
- •4 Импульсные генераторы.
- •Тема 2.3. Электронные осциллографы
- •Общие сведения.
- •Общие сведения.
- •Структурная электрическая схема универсального аналогового осциллографа.
- •Осциллографические развертки.
- •4. Разновидности осциллографов.
- •Раздел 3. Измерение основных электротехнических параметров.
- •Тема 3.1. Измерение силы тока
- •Общие сведения.
- •Общие сведения.
- •2 Измерение силы постоянного тока и тока низких частот.
- •3 Измерение силы тока высоких частот.
- •3.2. Измерение напряжения
- •Значения и для напряжений разной формы
- •3.3. Измерение мощности
- •4.2. Метод амперметра—вольтметра
- •4.3. Мостовой метод
- •4.5. Резонансный метод
- •Глава 5. Измерение параметров сигнала
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Измерение частоты и периода повторения сигнала
- •5.3. Измерение фазового сдвига
- •5.5. Измерение амплитудно-частотных характеристик четырехполюсников
- •Глава 6. Измерение параметров
- •6.1. Общие сведения
- •6.2. Измерение параметров полупроводниковых диодов
- •6.3. Измерение параметров биполярных и униполярных транзисторов
- •6.4. Измерение параметров интегральных микросхем
- •6.5. Логические анализаторы
- •7.2. Информационно-измерительные системы
- •7.4. Виртуальные приборы
3 Высокочастотные и сверхвысокочастотные генераторы.
Высокочастотные и сверхвысокочастотные генераторы, или генераторы высоких и сверхвысоких частот (ГВЧ и ГСВЧ), являются источниками синусоидального и не менее одного модулированного по какому-либо параметру сигналов.
Такие генераторы применяются для всестороннего исследования высокочастотных трактов теле и радиоприемных устройств, для питания схем напряжением высоких и сверхвысоких частот.
Рис. Структурная схема ГВЧ.
Задающий генератор определяет значение несущей частоты f и форму сигнала. В качестве задающего генератора используется генератор типа LC.
ГВЧ имеет два выхода: микровольтовый и одновольтовый.
С выхода задающего генератора I напряжение поступает на два канала: основной и вспомогательный.
Основной канал содержит усилитель-модулятор и высокочастотный аттенюатор (выход « »). С этого выхода снимается немодулированное синусоидальное или модулированное регулируемое высокочастотное колебание, калиброванное по напряжению.
Вспомогательный канал содержит усилитель и выход «1V». С этого выхода снимается неконтролируемое, немодулированное (т.е. синусоидальное), нерегулируемое высокочастотное напряжение 1...2 В на согласующую нагрузку.
Вход AM предназначен для подключения внешнего модулирующего генератора.
Особенностью ГСВЧ является использование специальных сверхвысокочастотных усилительных приборов: клистронов, ЛОВ - ламп обратной волны, лавинно-пролетных диодов, диодов Ганна, магнитронов.
4 Импульсные генераторы.
Импульсные генераторы, или генераторы импульсов (ГИ), нашли применение при настройке и регулировании импульсных схем. используемых в телевидении и связи, ЭВМ, радиолокации и т.д. Широко используются генераторы, обеспечивающие получение напряжений прямоугольной формы.
Рис. Структурная схема ГИ
Задающий генератор вырабатывает короткие импульсы с частотой F и может работать в автоколебательном или в ждущем режимах. Разовый запуск обеспечивается нажатием кнопки устройства внешнего и разового запуска.
Блок формирования СИ обеспечивает необходимую форму СИ.
Блок задержки создает временной сдвиг на время , основных импульсов относительно СИ. поступающих от задающего генератора.
Блок формирования основных импульсов обеспечивает получение на выходе импульсов необходимой формы и длительности.
Усилитель увеличивает амплитуду импульсов, позволяет менять их полярность п осуществляет согласование по сопротивлению с нагрузкой.
Аттенюатор уменьшает амплитуду импульсов в фиксированное число раз.
Измерительный блок представляет собой вольтметр, контролирующий амплитудное значение импульсного сигнала.
Тема 2.3. Электронные осциллографы
План:
Общие сведения.
Структурная электрическая схема универсального аналогового осциллографа.
Осциллографические развертки.
Разновидности осциллографов.
Общие сведения.
Осциллографы относятся к приборам, позволяющим наблюдать форму различных сигналов и измерять параметры этих сигналов. Отличительной особенностью осциллографов является их многофункциональность. С помощью осциллографа можно измерить напряжение, силу тока, сопротивление резисторов, частоту, период и длительность импульсов, время установления переднего фронта и заднего среза импульса, фазовый и временной сдвиги, коэффициент амплитудной модуляции и другие параметры, т.е. осциллографы с полным правом можно назвать универсальными приборами. Все перечисленные параметры измеряются аналоговыми электронными осциллографами косвенно.
Современные осциллографы делятся на электромеханические (самописцы) и электронные (электронно-лучевые) и различаются между собой принципом построения, областями измерения, а часто и типами решаемых задач.
Электромеханические (вибраторные, шлейфовые) осциллографы используются в технике низких частот — до 4...5 кГц. Важным преимуществом таких осциллографов является возможность наблюдения одновременно нескольких процессов (до 12) в течение длительного времени. Из-за низкого частотного диапазона такие осциллографы в электронике не используются.
Электронные осциллографы (ЭО) применяются для наблюдения и измерения быстропротекающих I процессов с частотами до десятка гигагерц.
В качестве «карандаша», вычерчивающего закон изменения исследуемой величины на люминесцирующем экране, в ЭО используется узкий луч электронов, формируемый внутри электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) особой электронно-оптической системы — электронной пушкой.
Рис. Устройство ЭЛТ с электростатическим управлением луча
Внутри стеклянного баллона, в котором путем откачивания воздуха создается вакуум, расположен катод К с прямым или косвенным подогревом, модулятор М, изменением напряжения на котором регулируется яркость луча, фокусирующий анод , ускоряющий анод и две пары отклоняющих пластин: горизонтальные — X и вертикальные — Y. Внутренняя поверхность экрана трубки покрыта слоем люминофора, светящегося под действием бомбардировки электронами. Электронная трубка, состоящая из К, М, , , формирует узкий луч электронов.