Установка термоионного нанесения «клевер».

Вращение подложкодержателя. Назначение: нанесение омических контактов и металлизации в производстве ППП и ИС, а также других материалов при реактивном испарении в электронной, приборостроительной, оптикомеханической и других отраслях промышленности. Тип источников - электронно-лучевой испаритель, ВЧ - ионизатор . Технические характеристики: Основные параметры источников: а) Электронно-лучевой испаритель 1. Напряжение разряда, 10 кВ; 2. Ток ионного пучка 1 А; б) ВЧ - ионизатор 1. Плотность тока ионов 1-1,5 мА/см ; 2. Рабочая частота 27,13 МГц

3. Мощность ВЧ - смещения на подложке 1 кВт;

Основные параметры установки :

1. Режим работы - автоматический, ручная загрузка / выгрузка, управление от ЭВМ;

2. Размер пластины 150 мм;

3. Количество одновременно загружаемых пластин 5 шт.;

4. Производительность 10 шт/ч;

5. Неравномерность нанесения 5 % ;

6. Напряжение постоянного смещения на подложке 3 кВ;

7. Средства откачки - криосорбционный насос;

8. Рабочее давление 610^-4 Па;

9. Предельное остаточное давление 610^-5 Па;

10. Потребляемая мощность 40 кВА;

11. Габаритные размеры 2100 х 1465 х 1860 мм;

12. Масса 2600 кг.

Установка высокочастотного магнетронного осаждения "корунд.

Вращение подложкодержателя. Назначение: нанесение диэлектрических и металлических пленок в едином вакуумном цикле в производстве ППП и ИС. Тип источников: МАГ - 5 и ВЧ - магнетрон. Технические характеристики. Основные параметры источников : а) МАГ-5 1. Потенциал на мишени 0,6 кВ; 2. Ток ионов на мишень 5 А. б) ВЧ-магнетрон 1. Рабочая частота 13,56 или 27,13 МГц; 2. Максимальная колебательная мощность 2,5 кВт;

Основные параметры установки :

1. Режим работы - автоматический, кроме загрузки/выгрузки , управление от ЭВМ;

2. Размер пластин  150 мм;

3. Количество одновременно загружаемых пластин 5шт.;

4. Производительность 5 шт/ч;

5. Неравномерность нанесения  5 %;

6. Температура нагрева пластин 573 К;

7. Напряжение постоянного смещения на подложку 3 кВт;

8. Средства откачки - криосорбционный насос;

9. Рабочее давление 0,6 Па;

10. Предельное остаточное давление 510^-5 Па;

11. Потребляемая мощность 30 кВА;

12. Габаритные размеры 3700 х 1500 х 1800, мм;

13. Масса 2500 кг.

Установка ионно-плазменного нанесения многослойных пленочных покрытий "квадрат".

Вращение подложки, расположенной под углом 15-17° по отношению к плоскости мишени. Назначение: нанесение ионно-лучевым распылением многослойных пленок диэлектриков, металлов, полупроводников. Тип источника - 4-х мишенный ионный источник Технические характеристики. Основные параметры источников : а) Источник распыления 1. Средняя энергия ионов 0,5 - 0,8 кэВ; 2. Ток ионного пучка 0,3 А; б) Источник ионной очистки 1. Средняя энергия ионов 0,01 - 0,1 кзВ; 2. Ток ионного пучка 0,1 А.

Основные параметры установки

1. Режим работы - ручной с автоматическим контролем окончания процесса;

2. Размер пластин  76 мм;

3. Количество одновременно загружаемых пластин 3 шт.;

4. Производительность 3 шт/ч;

5. Неравномерность нанесения + (1 - 2) %;

6. Средства откачки - криосорбционный насос;

7. Рабочее давление 0,015 Па;

8. Предельное остаточное давление 1,510^-3 Па;

9. Потребляемая мощность 15 кВА ;

10. Габаритные размеры - 1850 х 1500 х 1805 мм

11. Масса - 500 кг.