9. По каким параметрам классифицируются уПиОс? Раскрыть требования к уПиОс разного назначения?

10. Виды структурных схем уПиОс, в т.Ч. Схемы уп с двойным и тройным преобразователем частот?

По структурной схеме приемники могут быть 2-х видов:

1. прямого усиления;

2. супергетеродинные.

Приемники прямого усиления – это простейшие любительские или выполненные в виде сувениров миниатюрные устройства. Они маломощны, имеют узкий диапазон и слабую чувствительность.

В основном же все приемники строят по супергетеродинной схеме (рис. 1.9).

Рис.1.9.

Структурная схема радиоприемника с УКВ – диапазоном показана на рис. 1.10.

Рис. 1.10.

Схема с разделенными трактами усиления позволяет выбрать наиболее лучшее построение обоих трактов, однако они и наиболее дорогостоящие.

Примером схемы с комбинированным трактом являются телевизоры.

В настоящее время схемы высококачественных приемников очень сложны и включают в себя большое число элементов.

11. Шумы рпру. Основные источники шумов, место и причины их возникновения.

Источниками шумов приемника являются все имеющиеся в нем электрические цепи и усилительные приборы.

a)Тепловые шумы. Они возникают за счет случайного хаотического движения носителей тока. Энергетический спектр теплового шума ( как вобщем-то и спектр всех внутренних шумов) не зависит от частоты. Такой шум называют “белым” [1,4]. Проявляются шумы более всего на декаметровых и более коротких волнах. В длинноволновых диапазонах внутренние шумы играют меньшую роль ( по сравнению с внешними помехами ).

б)Дробовый шум. Этот шум возникает в электронных приборах. В лампах он возникает из-за хаотичности эмиссии электронов из катода, вследствие чего средние значения токов через равные промежутки времени-неодинаковы. В п/п приборах дробовый шум обусловлен спонтанными флуктуациями скоростей генерации и рекомбинации.

12. Шумы транзисторов, их причины. Что такое шумящий транзистор?

Для того что бы рассчитать шумы, рисуют схему шумящего транзистора

13. Эквивалентные схемы. Их преимущества и недостатки. Y-к параметры.

Из трех схем включения транзисторов (ОЭ, ОБ, ОК) самое широкое распространение, особенно в резонансных усилителях, получила схема с ОЭ, обеспечивающая относительно высокое R_вх и наибольшее усиление. Как правило, расчеты ведутся по эквивалентным схемам. Их можно условно разделить на физические и формальные. Физические схемы с достаточной для практики точностью отображают физические процессы, происходящие в транзисторе. Пример: на рис. 2.4 приведена физическая эквивалентная схема транзистора.

r ´б - объемное сопротивление базы

g - проводимость

Б´ - внутренняя база

Su_б´ - генератор тока, отображающий процесс воздействия напряжения U_б´ перехода база - эмиттер на коллекторный ток транзистора.

Практически эту схему невозможно составить для широкого диапазона частот (невозможно провести полный учет всех сложных физических явлений), поэтому в практике расчета обычно используются упрощенные физические эквивалентные схемы для определенного диапазона частот.

С увеличением частоты схему надо дополнять различными активными и реактивными элементами. Кроме того U_б´ - на внутреннем р-n переходе транзистора не поддается непосредственному измерению. Это делает не пригодным использование физической эквивалентной схемы для расчетов и взамен их применяют так называемые формальные эквивалентные схемы, которые непосредственно не отражают физических процессов в транзисторе.

Условием эквивалентности 2-х видов схем - является обеспечение одинаковых токов КЗ и напряжения ХХ на зажимах 1-1 и 2-2.

В УВЧ, ПЧ, УПЧ, а также в первых каскадах УНЧ приемников транзисторы работают в режиме передачи сигналов малого уровня.

В этом случае транзистор можно заменить линейным 4-х полюсником ( так как I~« I= ) (рис.2.5. )

Для него:

Ì1 Ì2

Ì1= Y11·Ú1+Y12·Ú2 (2.8)

1 Т 2 I2= Y22·Ú2 +Y21·Ú1

Ù1 Ù2

1 2

Рис.2.5.

В расчетах наиболее часто употребление именно Y – параметры . Преимущества Y – параметров:

1. простота записи;

2. единство теории и методов анализа аналогичных транзисторных и ламповых каскадов;

3. связь Y – параметров с физическими процессами в транзисторах и определение их в зависимости от выбора рабочей точки, изменения tº;

4. хорошо разработанная методика расчета;

5. на ВЧ методика измерения Y – параметров сравнительно проста.

Ф ормальная эквивалентная схема для моделирования системы (2.8) может быть представлена так называемой схемой с 2-мя зависимыми генераторами тока (рис. 2.6)

İ₁=Y₁₁Ú₁+Y₁₂Ú₂, İ₂=Y₂₂Ú₂+Y₂₁Ú₁

Y₁₁, Y₁₂, Y₂₁, Y₂₂ – определяются в режиме КЗ 1-1 и 2-2:

- входная проводимость при КЗ на выходе по переменному току.

- выходная проводимость при КЗ (1-1) по переменному току.

- проводимость обратной связи между выходом и входом транзистора при КЗ (1-1) по переменному току.

- проводимость прямой передачи (крутизна характеристики транзистора) при КЗ (2-2) по переменному току.