Заключение

Металлизацию значительной части изготавливаемых в нас­тоящее время кремниевых МОП и биполярных интегральных схем выполняют из алюминия или его сплава. Поскольку Al име­ет низкую величину удельного сопротивления, а значение этого параметра для его сплавов на 30% выше, применение указанных материалов удовлетворяет требованию низкого сопротивления контакта. Алюминий и его сплавы обладают хорошей адгезией к терми­ческому Si0₂ и осажденным силикатным стеклам — теплота об­разования Al₂O₃ выше, чем Si0₂. Несмотря на эти преимущест­ва, использование Al при изготовлении СБИС, обладающих мел­кими переходами, часто сталкивается с трудностями, связан­ными с электромиграцией и коррозией. Однако существуют приемлемые пути, решения этих про­блем. Электромиграция может быть уменьшена путем подбора характеристик осажденных пленок, а коррозию можно свести к минимуму тщательной разработкой методов изготовления и герметизации СБИС.

Могут применяться и другие структуры металлизации, но сложность их формирования ограничивает использование таких структур в СБИС. К этим структурам относятся соединения Ti — Pd — Au и Ti — Pt — Au. Структуру Ti — Pt часто ис­пользуют в качестве проводящего слоя первого уровня в ИС с двухуровневой металлизацией, а структуру Ti —Pt — Au — в ка­честве слоя второго уровня металлизации.

Другим классом структур металлизации являются структуры межкомпонентных соединений и электрода затвора в поле­вых МОП-транзисторах. Слои тугоплавких металлов или сили­цидов тугоплавких металлов, которые используются для улуч­шения характеристик или замены поликристаллического крем­ния подобны процессам осаждения пленок Al и его сплавов. Применение ту­гоплавких материалов необходимо вследствие того, что номинальная величина удельного сопротивления поликристалличе­ского кремния n+-типа, слишком высока для СБИС.

Говоря о развитии металлизации, можно полагать, что в будущем появятся совершенно новые способы металлизации, а старые будут модифицированы и усовершенствованы. Со временем расширится и ассортимент наносимых на диэлектрики металлических покрытий, появится возможность целенаправленно улучшать их свойства согласно техническим требованиям потребителей. Однако для осмысленного и целенаправленного поиска новых технологических решений необходимы систематизированные и обобщенные знания, то есть необходима самостоятельная область науки. Такая наука — химическое материаловедение — лишь зарождается на стыке физики твер­дого тела и химии твердых веществ. Она должна охватить весь богатейший материал эмпирических фактов производственного и эксплуатационного поведения новых материалов и разработать научное мировоззрение в этой области. Научный подход позволит не только увидеть новые перспективы, но и более точно оценить имеющиеся возможности.

Список литературы

1.Технология СБИС: в 2-х кн. Кн.2. Пер. с англ./ Под ред. С.Зи.–М.: Мир, 1986.

2.С.Соклоф. «Аналоговые интегральные схемы: Пер.с англ.– М.:Мир, 1988.

3. Степаненеко И. Основы микроэлектроники: Учеб.пособие для вызов.-2-е изд.–

М.Лаборатория Базовых Знаний,2001.

4.http://www.evraziaperm.ru/avtitrak/208-texnologicheskij-process-metallizacii.html

5.http://library.krasu.ru/ft/ft/_umkd/223/u_lab.pdf

6. http://tech-e.ru/2006_1_40.php

8