7. Свойства транзистора и усилительных каскадов при наличии двухполюсника в общем проводе.
Включение в схему каскада сопротивления ZF вызывает появление внутрикаскадной обратной связи, которая снижает входную проводимость, повышает устойчивость параметров каскада по отношению к воздействию дестабилизирующих факторов, но при этом снижает коэффициент усиления по напряжению и мощности.
В дальнейшем параметры и схемы, соответствующие ненулевому значению ZF, будем отмечать индексом "F". Так схемные построения будем соответственно обозначать ОЭF, ОКF и ОБF.
Двухполюсник ZF удобно рассматривать как составную часть самого транзистора, имеющего измененные значения Y-параметров. В основной рабочей частотной области транзистора (f << fS) при резистивном характере двухполюсника ZF, когда ZF = RF, для всех схем включения транзистора
g11F = (g11 + RF)/ F g11/ F;
g21F = (g21 – RFD)/ F » g21/ F;(1)
g12F = (g12 – RFD)/ F » g12;
g22F = (g22 + RF)/ F g22/ F;
где Δ = g11g22 – g12g21; F = 1 + (g21 + g11 + g22 + g12)RF, при этом для различных схем включения транзисторов выполняются соотношения Δоэ=Δок=Δоб;
Fоэ = Fои = 1 + (g21 + g11 + g22 + g12)RF » 1 + (g21 + g11)RF 1 + g21RF;
Fок = Fос = 1 + g22RF;
Fоб = Fоз = 1 + g11RF.
Для биполярных
транзисторов соотношение между
g-параметров таково, что
.
Из этого соотношения следует, что наиболее заметное влияние на параметры транзистора и свойства схем ZF оказывает в основой схеме включения (при включениях ОЭ), существенно меньшее – в схемах повторителей тока (при включениях ОБ) и практически не сказывается в повторителях напряжения (при включениях ОК Fок 1). Следует отметить, что включение в эмиттерную цепь дополнительного резистора RF линеаризирует передаточную ВАХ транзистора, расширяет область входных сигналов Uбэ, в пределах которой преобразование этих входных напряжений в выходной сигнальный ток можно считать линейным. Сквозная ВАХ эквивалентного транзистора (транзистора, неотъемлемой частью которого является резистор RF) имеет вид UбэF = Uбэ + Iэ0 RF = m UT ln(Iэ0/Iоэ) + Iэ0 RF, где UбэF – напряжение база-эмиттер эквивалентного транзистора.
В случаях, когда комплексным характером параметров транзистора или двухполюсника ZF пренебречь нельзя, приведенные соотношения (1)…(3) остаются в силе, за исключением того, что все или часть входящих в них данных приобретают комплексный характер. Например, на частотах f > fS вместо g-параметров транзистора следует использовать его Y-параметры, при этом ряд входящих в левую часть (1) … (3) результатов также приобретает комплексный характер.