Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Шпоры по ОМ.doc
Скачиваний:
8
Добавлен:
14.04.2019
Размер:
557.57 Кб
Скачать

14. Точечные дефекты кристал. Решеток

Точечными называются такие нарушения решетки размеры которых сопоставимы с размерами атомов. К точечным относят: вакансии(отсутствие атома в узле решетки), междоузельные атомы (атомы м/у узлами решетки), дефекты внедрения и замещения (это примесные атомы либо замещающие основные атомы, либо внедренные на свободные места в решетке). В ионных кристаллах точечные дефекты обычно возникают парами для сохранения электронейтральности кристалла. Например, два иона противоположного знака перемещаются в междоузлия. Образуется паравакансия, которую называют дефектом Френкеля. Междоузельные атомы образуются при переходе атома из узла решетки в междоузлие, при этом на месте данного атома образуется вакансия. Атомы и ионы в кристаллах могут выходить на поверхность, достраивая кристаллы. При этом также образутся вакансия, назыв. Дефектом Шоттки.

Точечные деф-ты вызывают местное искажение решетки, обычно в 2-ух, 3-ех атомных слоях. Точечные деф-ты оказывают влияние на такие св-ва кристаллов как: электрические, магнитные , оптические, механические, а также изменяют температуры фазовых переходов в частности точку плавления.

15. Линейные и объемные дефекты кристал.Решеток

Линейные деф-ты – характ-ся тем, что их поперечные размеры не превышают нескольких межатомных расстояний, а длина может достигать размера кристалла. К таким деф-ам относят дислокации. Дислокации – это линии вдоль которых нарушена правильное расположение атомных плоскостей. Различают:-краевую, -винтовую. Краевая представляет собой границу неполной атомной плоскости.(рис а)) Обычно она вызвана наличием лишней плоскости. Дислокации либо выходят на поверхность, либо пересекаются с др. дислокациями, либо образуют петли. Винтовая дислокация образуется при наличии сдвига одной части кристалла относительно другой. В зоне выхода ее на поверхность образуется ступенька и при росте кристалла атомы, присоединяясь к донной ступеньке формируют рост кристалла по спирали. При приложении механич. Напряжений дислокации легко перемещаются ,т.е. одна плоскость легко переходит во вторую и т.д. если встречается две дислокации различного направления они взаимно уничтожаются. Дислокации оказывают влияние на механические свойства. Объемные дефекты представляют собой скопления вакансий, имеющиеся в кристаллах каналы и поры, пузырьки газов, включения посторонних фаз, скопления примесей и т.д., образующиеся, как правило, при кристаллизации вещества и росте кристаллов. Объемные дефекты обычно снижают пластичность, оказывают влияние на прочность, электрические, магнитные, оптические и другие свойства кристаллических материалов.

16.Свойства материалов, основные термины и понятия

Св-во – это колич. или кач, отличительная хар-ка материала, определяющая его общность или различие с другими материалами. Совокупность различн. св-в предопределяет назнач. материала.Выдел 3 группы св-в:эксплуатационные,технологические,стоимостные.Эксплуатационные определяют работоспособность созданных из мат-ла изделий.Технологич-пригодность материалов для изготовл изделий.Стоимостн-целесообразноть применения того или иног мат-ла.Св-ва мат-лов делт в зависим от поведения при том или ином воздействии(напр,механические,теплофизич и т.д.)Эти св-ва определяют по рез-м определ. испытаний.