Применение модулей dram в оперативной памяти Модули dimm-184 ddr sdram
Модули DIMM-184 предназначены для микросхем DDR SDRAM. По габаритам они аналогичны модулям DIMM-168, но у них имеются дополнительные вырезы по бокам (рис. 8.16) и отсутствует левый ключ. Разрядность — 64 или 72 битов (ЕСС), имеются варианты с регистрами в адресных и управляющих цепях (Registered) и без них (Unbuffered). Напряжение питания — 2,5 В. Идентификация последовательная (SPD). Состав сигналов в основном повторяет набор для DDDR SDRAM. Модули отличаются большим количеством стробирующих сигналов DQSx — по линии на каждые 4 бита данных. Вход тактовой частоты только один, но дифференциальный — раздачу сигналов по микросхемам памяти и регистрам осуществляет микросхема DLL.
133,35
Модули dimm-240 ddr2 sdram
Модули DIMM-240 предназначены для микросхем DDR2 SDRAM. По габаритам они аналогичны модулям DIMM-184, но у них используется более мелкий шаг выводов (1 мм) и вырезы по бокам находятся несколько выше (рис. 8.17). Разрядность — 64 или 72 бита (ЕСС), имеются варианты с регистрами в адресных и управляющих цепях (Registered) и без них (Unbuffered). Напряжение питания — 1,8 В. Идентификация последовательная (SPD).
Модули rimm
Модули RIMM (Rambus Interface Memory Module), по форме похожие на обычные модули памяти (рис 8.18), специально предназначены для памяти RDRAM. У них 30-проводная шина проходит вдоль модуля слева направо, и на эту шину без ответвлений напаиваются микросхемы RDRAM в корпусах BGA. Модуль RIMM содержит до 16 микросхем RDRAM, которые всеми выводами (кроме двух) соединяются параллельно. Микросхемы памяти закрыты пластиной радиатора. В отличие от модулей SIMM и DIMM, у которых объем памяти кратен степени двойки, модули RIMM могут иметь более равномерный ряд объемов — в канал RDRAM память можно добавлять даже по одной микросхеме.
Маркировка
Маркировка микросхем занимается специальный отдел фирмы по стандартенализаци, разных фирм между собой отдел не согласуются, поддерживаясь лишь общих правил, таких как.
MCM416400J-70
400-разрядность ячейки
16 емкость-микро схемы в Мбайтах
70-время доступа к микросхеме нано секундах.
J- тип корпуса микросхемы.
4-выполняемая функция.
MCM-производитель.
Банк памяти
Это минимально количество памяти, которая может адресовать процессор, за один раз. Разрядность банка должна быть равна разрядности банка шины данных процессора. Модули памяти могут объединятся в банки, чтобы обеспечивать, Чтобы обеспечивать соответствие разрядности модуля шины и процессора, или для организации Интерлевенг. В банк могут быть объединены только однотипные модули. Интерлевенс (чередование памяти), после обращения к ячейки динамической памяти она занята восстановлением. То есть, занята микросхема и модуль, на котором это микросхема находится. Процессору приходится простаивать пока память не восстановится, основываясь на том, что алгоритм программы большой части линеен, а следовательно наиболее вероятно обращение к ячейке памяти обращение следующей после считаемой, программы команд буду хранится друг за другом, и для увеличения производительности их разделяют на 2 банка.