Модули dimm-168

Модуль памяти DIMM (Dual-In-line-Memory Module) имеет 168 независимых печатных выводов (шаг 1,27 мм), расположенных с обеих сторон (контакты 1-84 — с фронтальной стороны, 85-168 — с тыльной). Разрядность шины данных — 8 байт, организация рассчитана на применение в компьютерах с 4-и 8-байтной шиной данных. Конструкция и интерфейс модулей соответствуют стандарту JEDEC 21-С. Модули устанавливаются на плату вертикально в специальные разъемы (слоты) с ключевыми перегородками, задающими допустимое питающее напряжение и тип (поколение) применимых модулей. Модули выпускаются для напряжения питания 3,3 и 5 В. Модули и сочетания ключей представлены на рис. 8.15. Толщина модулей с микросхемами в корпусах SOJ не превышает 9 мм, в корпусах TSOP — 4 мм.

133,35

По внутренней архитектуре модули близки к SIMM-72, но имеют удвоенную разрядность и, соответственно, удвоенное количество линий CAS#. Также удвоено число сигналов разрешения записи и разрешения выходных буферов, что позволяет организовывать модули в виде двух 4-байтных банков с возможностью их чередования (bank interleaving). Модули могут иметь разрядность 64, 72 или 80 бит, дополнительные разряды 72-битных модулей организуются либо по схеме контроля четности (приписываясь к соответствующим байтам), либо по схеме ЕСС; 80-битные — только по схеме ЕСС.

Рис. 8.15. Модули DIMM: а — вид модуля DIMM-168, б — ключи для модулей первого

поколения, в — ключи для модулей второго поколения.

Модули на микросхемах емкостью 4-64 Мбит имеют объем от 8 до 256 Мбайт. Модули на 256-мегабитных микросхемах могут иметь емкость до 512 Мбайт. Применение DIMM в системах с 64-битной шиной данных (Pentium, Pentium Pro...) сняло проблему подбора «парных» (идентичных) модулей и открыло перспективы использования новых разновидностей памяти. Высокая плотность упаковки позволяет уменьшить площадь, занимаемую на системной плате памятью большого объема.

168-pin Buffered DIMM — модули DIMM первого поколения (по IBM), у которых входные адресные и управляющие (кроме RAS#) сигналы буферизованы. Эти модули создают минимальную нагрузку на шину памяти, но буферные микросхемы вносят дополнительную задержку порядка 5 не (для простоты временные параметры модулей указываются уже с учетом этой задержки). Модули комплектуются микросхемами асинхронной динамической памяти (FPM, EDO и BEDO) и по архитектуре напоминают SIMM-72.

В модулях применяется параллельная идентификация — параметры быстродействия и объема передаются через 8 буферизованных выводов идентификации (presence detect pins).

Наличие сигнала разрешения выходов буфера сигналов идентификации позволяет объединять выводы идентификации нескольких модулей. Два дополнительных не буферизованных вывода несут информацию о разрядности шины и само регенерации.

Для процессоров с 4-байтной шиной данных в качестве двух банковых модулей с возможностью чередования могут использоваться 64-битные модули без контроля четности (2 х 32), 72-битные с контролем четности (2х36) и 80-битные ЕСС (2 х 39/32), за исключением 80-битных на микросхемах 16-бит DRAM. Все модули ЕСС-72 и модули ЕСС-80 бит на микросхемах 16-бит DRAM предназначены только для 8-байтных процессоров (72/64 ЕСС и 80/64 ЕСС). С точки зрения пользователей PC это ограничение несущественно, поскольку слоты для DIMM появились только на системных платах для процессоров Pentium и выше. Модули первого поколения не получили широкого распространения, поскольку не принесли принципиальных новшеств в подсистему памяти.

Модули второго поколения отличаются тем, что позволяют использовать микросхемы как асинхронной (FPM и EDO), так и синхронной динамической памяти (SDRAM). Внешне они похожи на модули первого поколения, но отличаются ключом, не допускающим ошибочную установку. Унифицированное назначение выводов позволяет в одни и те же слоты устанавливать как модули DRAM, так и SDRAM. Нумерация битов данных единая для всех типов организации — контрольные биты СВх имеют отдельную нумерацию, их наличие зависит от организации (четность, ECC-72, ECC-80). В модулях имеет место последовательная идентификация параметров на двухпроводном интерфейсе (1²С) для чтения атрибутов (идентификации) из специальной конфигурационной памяти (обычно EEPROM 24С02), установленной на модулях.

168-pin Unbuffered DIMM — модули, у которых все цепи не буферизованы (одноименные адресные и управляющие сигналы микросхем соединены параллельно и заводятся прямо с контактов модуля). Эти модули больше нагружают шину памяти, но позволяют добиться максимального быстродействия. Они предназначены для системных плат с небольшим (1-4) количеством слотов DIMM или имеющих шину памяти, буферизованную на плате. Модули выполняются на микросхемах DRAM или SDRAM. Высота модулей не превышает 51 мм. Объем щ 8-512 Мбайт.

168-pin Registered DIMM — модули синхронной памяти (SDRAM), у которых адресные и управляющие сигналы буферизованы регистрами, синхронизируемыми тактовыми импульсами системной шины. По виду модули этого типа DIMM легко отличимы — помимо микросхем памяти и EEPROM на них установлено по несколько микросхем регистров-защелок. За счет регистров эти модули меньше нагружают шину памяти, что позволяет набирать больший объем памяти. Применение регистров повышает точность синхронизации, что позволяет повысить тактовую частоту. Однако каждый регистр вносит дополнительный такт задержки. Кроме того, на них может быть установлена микросхема ФАПЧ (PLL), формирующая тактовые сигналы для микросхем памяти и регистров-защелок. Это делается для разгрузки линий синхронизации, причем в отличие от обычной буферизации сигнала, вводящей задержку между входом и выходом, схема PLL обеспечивает синфазность выходных сигналов (их на выходе PLL несколько, каждый для своей группы микросхем) с опорным сигналом (линия СКО). Модули на 64 Мбайт могут быть и без схем PLL — в них линии СК[0:3) разводятся прямо на свои группы микросхем памяти. Регистры могут быть переведены в режим асинхронных буферов (только на 66 МГц), для чего на вход REGE нужно подать низкий уровень. Для модулей на 66 МГц возможна замена регистров асинхронными буферами. Объем — 64-1024 Мбайт.