- •1.История развития электроники
- •2. Резисторы
- •3. Электронно-дырочный переход
- •4. Полупроводниковым диодом
- •5. Стабилитроны и стабисторы
- •6. Варикапы. Магнитодиоды. Туннельные диоды. Свойства. Область применения
- •7. Динисторы, тиристоры, симисторы. Параметры. Вах. Область применения
- •8.Полупроводниковые транзисторы. Классификация. Биполярные транзисторы. Основные параметры
- •9. Схемы включения транзистора с оэ, с ок, с об. Сравнительная характеристика
- •10. Статические и динамические характеристики биполярного транзистора
- •11. Полевые транзисторы. Классификация. Принцип работы. Статические характеристики. Область применения.
- •12. Интегральные схемы. Классификация. Условные обозначения. Область применения.
- •Устройства отображения информации. Классификация.
- •Индикаторные приборы. Классификация. Пассивные и активные ип. Область применения
- •Мониторы с элт. Жк - мониторы. Сравнительная характеристика.
- •16.Плазменные и полимерные экраны. Основные параметры
- •Оптоэлектроника. Область применения. Источники оптического излучения
- •18. Фотоэлектрические приемники излучения. Классификация. Основные параметры. Область применения
- •19. Оптопары. Классификация. Область применения
- •20. Функциональная электроника. Акустоэлектронные приборы. Магнитоэлектронные приборы. Криоэлектронные приборы
- •21. Аналоговые усилители. Классификация. Основные характеристики и параметры усилителей.
- •22. Обратные связи в усилителях. Классификация. Влияние ос на свойства усилителя
- •23. Усилительный каскад с общим эмиттером. Основные режимы работы. Область применения.
- •24 Усилительные каскады с общим коллектором и с общей базой. Свойства. Область применения.
- •Методы стабилизации режима работы усилительных каскадов.
- •Дифференциальный усилитель. Область применения.
- •Усилители постоянного тока. Параметры. Область применения.
- •28 Операционные усилители. Особенности построения. Идеальный оу.
- •Основные параметры оу. Классификация оу.
- •Преобразователи аналоговых сигналов на оу. Область применения.
10. Статические и динамические характеристики биполярного транзистора
Статическим режимом работы транзистора называется режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи.Статическими характеристиками транзисторов называют графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи (входные ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора. Эти характеристики показывают графическую зависимость между токами и напряжениями транзистора и могут применяться для определения некоторых его параметров, необходимых для расчета транзисторных схем. Наибольшее применение получили статические входные и выходные характеристики. Входные статические характеристики представляют собой вольт-амперные характеристики эмиттерного электронно-дырочного перехода. Если транзистор включен по схеме с общей базой, то это будет зависимость тока эмиттера Iэ от напряжения на эмиттерном переходе UэБ . При отсутствии коллекторного напряжения (UКБ = 0) входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики эмиттерного ЭДП, такой же, как ВАХ диода. Если на коллектор подать некоторое напряжение, смещающее его в обратном направлении, то коллекторный ЭДП расширится и толщина базы вследствие этого уменьшится. В результате уменьшится и сопротивление базы эмиттерному току, что приведет к увеличению эмиттерного тока, то есть характеристика пройдет выше.
При включении транзистора по схеме с общим эмиттером входной характеристикой будет графическая зависимость тока базы IБ ОТ напряжения на эмиттерном переходе UБЭ. Так как эмиттерный переход и при таком включении остается смещенным в прямом направлении, то входная характеристика будет также подобна прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного ЭДП .
Выходные статические характеристики биполярного транзистора — это вольт-амперные характеристики коллекторного электронно-дырочного перехода, смещенного в обратном направлении. Их вид также зависит от способа включения транзистора и очень сильно
от состояния, а точнее — режима работы, в котором находится эмиттерный ЭДП.Если транзистор включен по схеме с общей базой (ОБ) и Iэ = 0, то есть цепь эмиттера оборвана, то эмиттерный ЭДП не оказывает влияния на коллекторный переход. Так как на коллекторный ЭДП подано обратное напряжение, то выходная характеристика, представляющая собой зависимость тока коллектора Iк от напряжения между коллектором и базой UКБ, будет подобна обратной ветви ВАХ диода (нижняя кривая ). Если же на эмиттерный ЭДП подать прямое напряжение
, то появится ток эмиттера Iэ, который создаст почти такой же коллекторный ток Iк. Чем больше прямое напряжение на эмиттерном ЭДП, тем больше значения эмиттерного и коллекторного токов и тем выше располагается выходная характеристика.
Сказанное справедливо и при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Разница состоит лишь в том, что в этом случае выходные характеристики снимают не при постоянных значениях тока эмиттера, а при постоянных значениях тока базы IБ , и идут они более круто, чем выходные характеристики в схеме с ОБ.
При чрезмерном увеличении коллекторного напряжения происходит пробой коллекторного ЭДП, сопровождающийся резким увеличением коллекторного тока, разогревом транзистора и выходом его из строя. Для большинства транзисторов напряжение пробоя коллекторного перехода лежит в пределах от 20 до 30 В. Это важно знать при выборе транзистора для заданного напряжения источника питания или при определении необходимого напряжения источника питания для имеющихся транзисторов.
Увеличение температуры вызывает возрастание токов транзистора и смещение его характеристик. Особенно сильно влияет температура на выходные характеристики в схеме ОЭ .