
- •1.Термины определения и.С.
- •Цифровая ис - интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по з-ну дискретной функции (логич. Микросхема)
- •3.Классификация ис по уровням интеграции. Уровень Число эл-ов и компонентов в одной микросхеме
- •4.Корпуса микросхем
- •Ключ - конструктивная особенность, кот. Опр-ет позицию1-го вывода.
- •4. Корпуса микросхем.
- •2 Классификация микросхем и условные обозначения.
- •6 Параметры микросхем.
- •8.Энергия(работа) переключения.Потребляемая мощность
- •7. Помехоустойчивость
- •9. Сравнение различных типов микросхем.
- •10 Микросхемы полупроводниковой памяти.
- •Ппзу – однократно программируемые пзу
- •11 Микропроцессоры.
- •13 Маркировка. М.С.
- •12 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
- •16.Для стабилитронов осн параметрами явл. :
- •4 Диоды.
- •15 Параметры диодов.
- •17.Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •18.Особенности п-п индикаторов
- •19.Классификация п-п индикаторов.
- •20.Параметры и хар-ки п-п индикаторов.
- •21.Выбор режима работы ппи.
- •22. Транзисторы.
- •25 Выбор транзисторов.
- •26 Тиристоры.
13 Маркировка. М.С.
На каждой микросхеме должны быть отчетливо нанесены:
товарный знак (код) предприятия-изготовителя;
обозначения типа микросхем;
дата изготовления или код;
обозначение первого вывода микросхем, если он не указан др. способом;
розничная цена;
порядковый номер сопроводительного листа.
Состав сокращенной маркировки и код устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
ГОСТ 25486-82
Табл. Год и месяц – коды.
12 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
Взаимозаменяемостью ИС наз. способность равноценно заменить любую микросхему др. из множества однотипных. Взаимозаменяемость микросхем можно разделить на внеш. и внутр.
Внешняя – связана с геометрич. размерами и формами присоединительных поверхностей и выводов микросхем, а также эксплутационными показателями: диапазоном температур окр. среды, параметрами надежности и т.д.
Внутренняя взаимозаменяемость опр-ся прежде всего функциональным назначением микросхем и эл. параметрами, а также схематическим исполнением.
Степень взаимозаменяемости при составлении микросхем может быть различной. При совпадении значений по всем параметрам хар-щим внешнюю и внутр. взаимозаменяемость обеспечивается полная взаимозаменяемость. Если значения параметров несколько отличаются, но не хуже заданных, то сравниваемые микросхемы явл. прямыми аналогами.
Микросхемы, совпадающие только по функциональному назначению, относят к функциональным аналогам.
Обязательным условием взаимозаменяемости явл. Одинаковые напряжения питания, а при сравнении габаритно-присоединительных размеров корпусов – шаг между выходами
16.Для стабилитронов осн параметрами явл. :
1.UСТ – напряж. стабилизации – значения напряж. на стабилитроне, при протекании заданного тока стабилизации.
2. JСТ MAX и JСТMIN – max и min токи стабилизации. JMAX=PMAX/UСТ
3.дифференциальное сопр. – величина определяемая отношением приращения напряжения стабилизации на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот. (RСТ=dUСТ/dUСТ) Этот параметр хар-ет осн. св-ва стабилитрона. Чем он меньше, тем лучше осуществляется стабилизация.
4.Статическое сопр. или сопр. стабилитрона на пост. токе в рабочей точке RСТАТ=UСТ/JСТ
5.Температурный коэффициент напряжения αСТ=(UСТ/UСТ)* T. Он показывает, относит. изменения напряж. стабилизации при изменении температуры окр. среды на один градус при пост. значении тока. Иногда αСТ выражают в процентах αСТ=(UСТ/UСТ)* T*100%
4 Диоды.
Диод – это эл. «вентиль», т.е. прибор обеспечивающий однонаправленную передачу эл. сигнала. Диод можно считать неуправляемым ключом, кот. не усиливает мощность сигнала.
Классификация и система обозначений приборов.
В основу классификации диодов можно положить различные признаки – вид эл. перехода (точечные и плоскостные),
физ. процессы в переходе (туннельный и лавинно пролетный.),
хар-р преобразования энергии сигнала (светодиод, фотодиод, и др.),
метод изготовления эл. перехода (диффузионные, сплавные и др.), и т.д.