
- •Лекция №8.
- •5. Полунепрерывная и непрерывная зонная плавка
- •6. Легирование полупроводников
- •Основные задачи легирования
- •Параметры, характеризующие процесс легирования
- •Выбор легирующей примеси
- •Зависимость коэффициента распределения от ионизации примеси и ее концентрации
- •А. Слабое легирование
- •Б. Сильное легирование
- •Взаимодействия раствора с внешней средой
- •Влияние других примесей, находящихся в растворе
- •Способы легирования
- •Легирование непосредственно в процессе получения полупроводникового кристалла:
- •Введение примеси в уже полученный полупроводниковый кристалл:
- •Лекция №9.
- •Получение однородно легированных полупроводников. Примесные неоднородности
- •Методы исследования примесных неоднородностей
- •Метод Чохральского
- •Испарение летучей примеси.
- •Направленное изменение эффективного коэффициента распределения в процессе выращивания.
- •Направленное изменение состава жидкой фазы в процессе выращивания.
- •Метод зонной плавки
- •Причины возникновения неоднородного распределения примеси в поперечном сечении
- •Искривление фронта кристаллизации.
- •Концентрационное переохлаждение.
- •Периодическая неоднородность распределения примеси по длине
- •Канальная неоднородность.
- •Лекция № 10 Получение кристаллов с совершенной структурой.
- •Лекция №11 Эпитаксиальные методы.
- •Жидкофазная эпитаксия
- •Неизотермический вариант жфэ (способ равновесного охлаждения)
- •Изотермический вариант жфэ
- •Наиболее важные параметры эпитаксиальных слоёв.
- •При жфэ увеличение градиента температуры в жидкой фазе позволяет улучшить морфологию поверхности. Лекция № 12 Газофазная эпитаксия
- •Метод горячей стенки (Атомно-слоевая эпитаксия)
- •Метод кристаллизации вещества, синтезированного в газовой фазе (метод химических реакций с использованием гетерогенного косвенного синтеза.)
- •Рост из газовой фазы с использованием металлорганических соединений
- •Список литературы
Список литературы
Основная литература:
-
Нашельский А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. М.: Металлургия, 1993.
-
Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1987.
-
Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников.– М.: Металлургия, 1978.
-
Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: Высшая школа, 1990.
-
Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. – М.: ИПЦ МИСиС, 1995.
-
Металлургия и технология полупроводниковых материалов. Под ред. Сахарова Б.А. – М.: Металлургия, 1972.
-
Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. – М.: Металлургия, 1983.
-
Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия: 1982.
Дополнительная литература:
-
Акчурин Р.Х., Фиалковский О.П. Технология полупроводниковых материалов (Руководство для решения задач). Учебно-методическое пособие. – М.: ИПЦ МИТХТ, 1996.
-
Акчурин Р.Х., Фиалковский О.П. Технология полупроводниковых материалов (Руководство для проведения семинарских занятий). Учебно-методическое пособие. – М.: ИПЦ МИТХТ, 1996.
-
Андреев В.М. и др. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1975.
-
Маслов В.Н. Репродукционная эпитаксия. – М.: Металлургия: 1981
-
Скворцов И.М. Технология и аппаратура газовой эпитаксии германия и кремния. М.: Энергия, 1978.
-
Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов. – М.: Металлургия, 1977.
-
Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976.
-
Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М.: Металлургия, 1974.
-
Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. – М.: Наука, 1986.
-
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. (под редакцией Л. Ченга и К. Плога). – М.: Мир, 1989.
-
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1986.
-
Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. – М.: Металлургия, 1988
-
Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения A3B5: Справочник. – М.: Металлургия, 1984
-
Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1987
-
Шашков Ю.М. Металлургия полупроводников. – М.: Металлургия, 1960