- •В.Н. Горбунова
- •Дубна, 2010
- •Введение
- •Содержание и оформление курсового проекта Задание на курсовой проект
- •Варианты заданий
- •Содержание расчетно-пояснительной записки.
- •Теоретические основы выполнения курсового проекта.
- •Диффузионное легирование
- •Законы диффузии
- •Диффузия из постоянного и ограниченного источников.
- •Методы расчетов диффузионных структур
- •Формирование структур методом ионной имплантации
- •Понятие о технологии ионного легирования
- •. Длина пробега ионов
- •Факторы, влияющие на процесс ионного легирования
- •Рабочая камера установки ионной имплантации.
- •Пример выполнения курсового проекта Введение
- •Исходные данные
- •Профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры
- •Глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов
- •График зависимости предельной растворимости примесей в кремнии.
- •Максимальная растворимость некоторых примесей в кремнии.
- •Расчет технологических параметров для метода диффузии
- •Часть вторая Метод ионной имплантации
- •Расчет профилей распределения концентрации внедренных примесей в структурах с двойной имплантацией
- •Расчет технологических параметров для метода ионной имплантации
- •Заключение
- •Список используемой литературы
- •Контрольные вопросы и задания
- •Задачи к защите курсового проекта
- •Список литературы
- •В.Н.Горбунова Физико-химические основы технологии рэсрэс
- •117105, Москва, варшавское шоссе, 8
Часть вторая Метод ионной имплантации
В начале 60-х годов на стыке физики полупроводников и физики атомных столкновений возникло новое научно-техническое направление — ионное легирование полупроводников, имеющее большое значение для полупроводниковой электроники.
Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования.
Наиболее распространенным применением ИИ в технологии формирования СБИС является процесс ионного легирования кремния. Часто приходится проводить имплантацию атомов в подложку, которая покрыта одним или несколькими слоями различных материалов. Ими могут быть как тонкие слои тяжелых металлов (например, Та или TaSi2), так и диэлектриков. Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в профиле легирования на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов с атомами приповерхностных слоев последние могут быть выбиты в более глубокие области легируемого материала. Такие "осколочные эффекты" способны вызвать ухудшение электрических характеристик готовых приборов.
Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на предварительной загонке ионов с их последующей термической разгонкой в мишени. При этом имплантация проводится с малой энергией ионов.
Общая траектория движения иона называется длиной пробега R, а расстояние, проходимое внедряемым ионом до остановки в направлении, перпендикулярном к поверхности мишени, проецированной длиной пробега Rp.
При интенсивной бомбардировке на ионную имплантацию влияет катодное распыление (разрушение поверхности твердого тела при бомбардировке его ионами) мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени.
Ионная имплантация наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. Ионная имплантация позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. Ионная имплантация позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту транзисторов.
Одно из преимуществ метода ионного легирования — его универсальность. Используя пучки ускоренных ионов в установках типа обычного масс-спектрометра, можно вводить любую примесь (если необходимо — изотопно чистую) в любой кристалл.
Процесс облучения кристаллов осуществляется практически при комнатной температуре. Однако после ионного легирования образцы приходится отжигать для устранения радиационных дефектов, возникающих под действием ионной бомбардировки. Вопрос о радиационных дефектах имеет принципиальное значение для ионного легирования полупроводников. Уже первые эксперименты с ионными пучками показали, что возможности практического применения нового метода в каждом конкретном случае будут зависеть от того, удастся ли восстановить упорядоченную структуру решетки после ионной бомбардировки.