Рыбин Ю.К. -- Электроника. Опорный конспект лекций

Как появился биполярный транзистор

•21 декабря 1947 года трое выдающихся физиков Уильям Брэдфорд Шокли, Джон Бардин и Уолтер Хаузер Браттейн, работающие в Bell Telephone Laboratories USA, провели демонстрацию своего изобретения - первого в мире транзистора.

•Представленный на фотографии p-n-p германиевый транзистор с точечным контактом мало чем напоминает современные, но подобные ему устройства, которые в течение последующих десятилетий буквально перевернут мир. Уже в 1957 году за огромный вклад в развитие физики, все трое исследователей будут удостоены Нобелевской премии за свое открытие.

•Можно только удивляться, насколько быстро развивается наука и техника, за чуть более полвека пройдя путь от таких громоздких и неуклюжих устройств к современным транзисторам, лежащим в основе всей микроэлектроники.

Первый точечный транзистор

Биполярный транзистор.

Буквенно – цифровое обозначение

КТ321А

К(2)- кремниевый, (Г(1) – германиевый, А(3) – арсенид галлиевый)

биполярный транзистор мощность и частота

номер Госрегистрации различие по параметрам (от А до Я) Рыбин Ю. К.

- низкочастотный (до 3 МГц)

-среднечастотный (от 3 до 30 МГц)

-высокочастотный (более 30 МГц) и сверхвысокочастотный

Биполярный транзистор. Структура транзистора без внешних напряжений

Б

Условия для улучшения усилительных свойств транзистора:

1.Npp >> Nnn << Npp,

2.lб < 10 мкм,

3.Sкп > Sэп

Биполярный транзистор.

Активный режим работы

Биполярный транзистор.

Схемы включения транзистора

Биполярный транзистор.

Схемы включения транзистора

2

Схема для создания активного режима БТ

с помощью программы Electronics Workbench

Биполярный транзистор.

Схемы включения транзистора

1

Схема для создания режима насыщения в БТ с помощью программы Electronics Workbench