Рыбин Ю.К. -- Электроника. Опорный конспект лекций
.pdf
Полевой транзистор с управляющим P-N переходом. Структура и графическое условное изображение
|
С |
|
|
С |
|
|
|
N |
|
|
P |
|
|
|
+ |
+ |
|
- |
- |
|
|
+ |
+ |
|
- |
+- |
|
З |
P |
P |
З |
N |
N |
|
+ |
+ |
- |
- |
|||
|
|
|||||
|
|
|
|
- |
- |
++
И |
|
|
|
И |
|
|
|||||
На условных обозначениях стрелка всегда указывает направление от области P к области N
С |
|
|
С |
З |
N – канал |
З |
P – канал |
И |
|
|
И |
С – сток, З – затвор, И – исток
Полевой транзистор с управляющим P-N переходом. Структура и схема с приложенными напряжениями
Ic
|
|
|
|
|
Ic |
|
N |
|
|
|
|
Iз |
+ |
+ |
UСИ |
Iз |
UСИ |
+ |
+ |
||||
|
P |
P |
|
|
|
|
+ |
+ |
|
|
|
UЗИ |
+ |
|
|
UЗИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iи |
|
Iи |
|
|
|
|
|
Структура |
|
|
Схема |
|
Ic = Iи + Iз ≈ Iи
UСИ + UЗИ = UСЗ
Полевой транзистор с изолированным
затвором. Структура транзистора
Полевой транзистор с изолированным затвором и
индуцированным каналом N –типа. МОП -транзистор
|
|
|
металл (Al) |
Исток |
Затвор |
Сток |
|
|
|
|
диэлектрик |
|
|
|
(SiO2) |
|
N+ |
N + |
полупроводник |
|
|
|
(Si +Sb) |
|
|
P |
|
Подложка
Полевой транзистор с изолированным
затвором. Структура транзистора
Полевой транзистор с изолированным затвором и
встроенным каналом N –типа. МОП -транзистор
|
|
|
металл (Al) |
Исток |
Затвор |
Сток |
|
|
|
|
диэлектрик |
|
|
|
(SiO2) |
|
N+ |
N+ |
полупроводник |
|
N |
|
(Si +Sb) |
P
встроенный канал
Подложка
Полевой транзистор с изолированным
затвором. Условное графическое изображение
|
З |
|
|
|
С |
|
|
|
|
|
|
С |
|
|
|
|
С |
|
|
|
|
С |
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
П З |
|
|
|
|
П З |
|
|
|
|
П |
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
П З |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
И |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
И |
|
|
|
|
|
|
|
|
И |
|
|
|
|
|
|
И |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ПТ с изолированным затвором |
ПТ с изолированным затвором |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
и индуцированным каналом |
|
|
|
и встроенным каналом |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
N – типа |
P – типа |
|
|
|
N – типа |
|
|
|
|
P – типа |
|||||||||||||||||||||||||||
|
МОП транзистор |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МОП транзистор с |
|||||||||||||||||||||||
|
с индуцированным каналом |
|
|
|
со встроенным каналом |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
N – типа |
P – типа |
|
|
|
N – типа |
|
|
|
|
P – типа |
|||||||||||||||||||||||||||
Полевой транзистор с изолированным затвором. Структура и схема транзистора при внешних напряжениях
|
|
Uси |
|
|
|
Uзи |
|
|
|
И |
З |
С |
|
С |
N+ |
|
N + |
З |
Uси |
|
P |
|
Uзи |
И |
|
П |
|
|
|
Полевой транзистор с изолированным
затвором. ВАХ
Iс (mA) |
Iс (mА) |
Uси= +10В |
|||||
4 |
|
|
|
|
Uзи= 8 В |
4 |
|
|
|
|
|
||||
3 |
|
|
|
|
Uзи= 7 В |
|
3 |
2 |
|
|
|
|
Uзи= 6 В |
|
2 |
|
|
|
|
|
|||
1 |
|
|
|
|
Uзи= 5 В |
|
1 |
|
|
|
|
|
|||
0 5 10 15 20 |
Uси (В) |
4 Uзи (В) |
ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором и
индуцированным каналом N- типа
Полевой транзистор с изолированным
затвором. ВАХ
Iс (mA) |
|
Iс (mА) |
|
Uси= +10В |
||||
4 |
|
|
|
|
Uзи= 2 В |
4 |
||
|
|
|
|
|||||
3 |
|
|
|
|
Uзи= 1 В |
|
3 |
|
2 |
|
|
|
|
Uзи= |
0 В |
|
2 |
|
|
|
|
|
||||
1 |
|
|
|
|
Uзи= |
-1 В |
|
1 |
|
|
|
|
|
||||
5 10 15 20 Uси (В) -1 0 1 Uзи (В)
ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом N- типа
Полевой транзистор с управляющим P-N
переходом. ВАХ
Iс (mA) |
|
|
|
|
Iс (mА) |
Uси= +10В |
||||||||||||
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uзи = 0 В |
4 |
|
|||||||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uзи = -1 В |
|
|
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uзи = -2 В |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uзи = -3 В |
1 |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uотс |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
5 10 15 |
20 Uси (В) |
-4 -3 -2 -1 0 |
Uзи (В) |
|||||||||||||||
ВАХ полевого транзистора с управляющим P-N переходом и каналом N- типа
Полевой транзистор.
Основные параметры
•Эксплуатационные (для транзистора малой мощности типа КП305Г)
• |
Крутизна |
S = 6 – 10 мА/В. |
• |
Ток затвора |
Iз = 1нА. |
• |
Проходная ѐмкость |
Сзс = 5,5 пФ. |
• |
Граничная частота усиления |
f гр = 300 МГц. |
•Начальный ток стока (для встр. канала)
•Напряжение отсечки тока стока (для встр. канала) -6 В.
•Пороговое напряжение (для индуц. канала)
•Предельно допустимые
• |
Диапазон температур |
– 60…+125 ºC. |
• |
Максимальный ток стока |
Iс макс = 15 мА. |
• Максимальное напряжение сток – исток |
Uси макс = 15 В. |
|
• |
Максимальная рассеиваемая мощность |
Pк макс = 150 мВт |