Рыбин Ю.К. -- Электроника. Опорный конспект лекций
.pdfБиполярный транзистор.
Основные параметры
•Эксплуатационные (для транзистора малой мощности типа КТ361А)
• |
Статический коэффициент передачи |
β = 20-90. |
• Обратный ток коллекторного перехода |
Iк0 = 1мкА |
|
• |
Граничная частота усиления |
f T = 250 МГц. |
•Напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения - 0,4 В.
•Предельно допустимые
• |
Диапазон температур |
– 60…+125 ºC. |
• |
Максимальный ток коллектора |
Iк макс = 100мА. |
• Максимальное напряжение коллектор – эмиттер |
Uкэ макс = 25 мА. |
|
• |
Максимальная рассеиваемая мощность |
Pк макс = 150 мВт |
Биполярный транзистор.
Усиление мощности
Iэ |
Iк |
Uэб |
Uкб |
|
Uвх |
Rн |
URн |
|
|
|
Iб |
Eк |
|
K |
|
Pвых |
|
PRн |
|
Iн |
URн |
|
Iк |
Eк |
; |
Eк |
1 |
p |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Pвх |
|
Pвх |
|
Iвх |
Uвх |
|
Iэ |
Uэб |
Uэб |
|
||
|
|
|
|
|
|
Биполярный транзистор.
ВАХ транзистора по схеме ОБ
Ik(мA) |
|
|
|
|
|
|
Iэ(мА) |
Uкб=-10В 0В |
||||||||
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 мА |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 мА |
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 мА |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iэ = 1мА |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-5 |
-10 |
-15 |
-20 Uкб (В) |
|
|
|
+1 Uэб (В) |
|||||||||
Семейство выходных характеристик |
|
Семейство входных характеристик |
Биполярный транзистор.
ВАХ транзистора по схеме ОЭ
Ik(мA) |
|
|
|
|
50 мкА |
Iб (мкА) |
Uкэ = 0В -20В |
|||||||
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
40 мкА |
40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
30 мкА |
30 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
20 мкА |
20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб=10мкА |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
0 |
-5 -10 -15 |
- 20 Uкэ (В) |
0 |
- 1 Uбэ (В) |
||||||||||
Семейство выходных |
|
|
Семейство входных |
|||||||||||
характеристик |
|
|
характеристик |
Биполярный транзистор.
Нелинейная эквивалентная схема
Cэ |
Cк |
αi*I2 |
αn*I1 |
I1 |
I2 |
Э |
К |
VD1 |
|
VD2 |
rб
Б
Нелинейная эквивалентная схема Эберса – Молла
Cэ и Cк - ѐмкости эмиттерного и коллекторного переходов; rб - сопротивление объѐма базы;
I1 и I2 - токи диодов VD1 и VD2;
αi, αn - коэффициенты передачи тока.
Биполярный транзистор.
Рабочая точка транзистора
Рабочая точка – это совокупность |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
напряжений и токов: UбэА, UкэА , UбкА, |
R1 |
|
|
|
Rк |
|
URк |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
IкА, IбА, IэА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IкА |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Uк |
Uб |
U |
э |
|
|
|
|
|
IбА |
|
|
UкА |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
Uб |
|
|
|
|
|
|
Eп |
|
|||||||||
Eп |
U Rк |
Uкэ |
U Rэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
IэА |
|
|
UэА |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Eп |
Iк Rк |
Uкэ |
Iэ |
Rэ |
R2 |
|
|
|
Rэ |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Eп ; Iк |
Rк |
Rэ Rк |
Uкэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Биполярный транзистор.
Линейная эквивалентная схема
Cк
αn*Iэ rэ
Э |
К |
rк |
rб
Б
Линейная эквивалентная схема ОБ
Cк - ѐмкость коллекторного перехода; rб - сопротивление объѐма базы;
rэ - сопротивление эмиттерного перехода; rк - сопротивление коллекторного перехода.
Биполярный транзистор.
Линейная эквивалентная схема
Cк
β*Iэ rб
Б |
К |
rк
rэ
Э
Линейная эквивалентная схема ОЭ
Cк - ѐмкость коллекторного перехода; rб - сопротивление объѐма базы;
rэ - сопротивление эмиттерного перехода; rк - сопротивление коллекторного перехода.
Полевой транзистор. Определение и типы
транзисторов
•Полевой транзистор – это транзистор, управление выходным током в котором осуществляется электрическим напряжением, а не током, как в биполярных транзисторах.
•Различают следующие типы полевых транзисторов:
-полевые транзисторы с управляющим P-N переходом и каналом N – типа или
P – типа;
-полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом N или P – типа, а также со встроенным каналом N или P – типа
Полевой транзистор.
Буквенно – цифровое обозначение
КП305А
К(2)- кремниевый, А(3) – арсенид - галлиевый)
полевой транзистор мощность и частота
номер Госрегистрации различие по параметрам (от А до Я) Рыбин Ю. К.
1 |
2 |
3 |
- маломощный до 0,3 Вт |
|
4 |
5 |
6 |
- |
средней мощности от 0,3 до 10 Вт |
7 |
8 |
9 |
- |
мощный > 10Вт |
- низкочастотный (до 3 МГц)
-среднечастотный (от 3 до 30 МГц)
-высокочастотный (более 30 МГц) и сверхвысокочастотный