Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Рыбин Ю.К. -- Электроника. Опорный конспект лекций

.pdf
Скачиваний:
98
Добавлен:
25.03.2016
Размер:
1.03 Mб
Скачать

Биполярный транзистор.

Основные параметры

Эксплуатационные (для транзистора малой мощности типа КТ361А)

Статический коэффициент передачи

β = 20-90.

• Обратный ток коллекторного перехода

Iк0 = 1мкА

Граничная частота усиления

f T = 250 МГц.

Напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения - 0,4 В.

Предельно допустимые

Диапазон температур

– 60…+125 ºC.

Максимальный ток коллектора

Iк макс = 100мА.

• Максимальное напряжение коллектор – эмиттер

Uкэ макс = 25 мА.

Максимальная рассеиваемая мощность

Pк макс = 150 мВт

Биполярный транзистор.

Усиление мощности

Iэ

Iк

Uэб

Uкб

 

Uвх

Rн

URн

 

 

Iб

Eк

 

K

 

Pвых

 

PRн

 

Iн

U

 

Iк

Eк

;

Eк

1

p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pвх

 

Pвх

 

Iвх

Uвх

 

Iэ

Uэб

Uэб

 

 

 

 

 

 

 

Биполярный транзистор.

ВАХ транзистора по схеме ОБ

Ik(мA)

 

 

 

 

 

 

Iэ(мА)

Uкб=-10В 0В

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5 мА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 мА

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 мА

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 мА

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iэ = 1мА

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-5

-10

-15

-20 Uкб (В)

 

 

 

+1 Uэб (В)

Семейство выходных характеристик

 

Семейство входных характеристик

Биполярный транзистор.

ВАХ транзистора по схеме ОЭ

Ik(мA)

 

 

 

 

50 мкА

Iб (мкА)

Uкэ = 0В -20В

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

40 мкА

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

30 мкА

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

20 мкА

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб=10мкА

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

-5 -10 -15

- 20 Uкэ (В)

0

- 1 Uбэ (В)

Семейство выходных

 

 

Семейство входных

характеристик

 

 

характеристик

Биполярный транзистор.

Нелинейная эквивалентная схема

Cэ

Cк

αi*I2

αn*I1

I1

I2

Э

К

VD1

 

VD2

rб

Б

Нелинейная эквивалентная схема Эберса – Молла

Cэ и Cк - ѐмкости эмиттерного и коллекторного переходов; rб - сопротивление объѐма базы;

I1 и I2 - токи диодов VD1 и VD2;

αi, αn - коэффициенты передачи тока.

Биполярный транзистор.

Рабочая точка транзистора

Рабочая точка – это совокупность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжений и токов: UбэА, UкэА , UбкА,

R1

 

 

 

Rк

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IкА, IбА, IэА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IкА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uк

Uб

U

э

 

 

 

 

 

IбА

 

 

UкА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uб

 

 

 

 

 

 

Eп

 

Eп

U Rк

Uкэ

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IэА

 

 

UэА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eп

Iк Rк

Uкэ

Iэ

Rэ

R2

 

 

 

Rэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eп ; Iк

Rк

Rэ Rк

Uкэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Биполярный транзистор.

Линейная эквивалентная схема

Cк

αn*Iэ rэ

Э

К

rк

rб

Б

Линейная эквивалентная схема ОБ

Cк - ѐмкость коллекторного перехода; rб - сопротивление объѐма базы;

rэ - сопротивление эмиттерного перехода; rк - сопротивление коллекторного перехода.

Биполярный транзистор.

Линейная эквивалентная схема

Cк

β*Iэ rб

Б

К

rк

rэ

Э

Линейная эквивалентная схема ОЭ

Cк - ѐмкость коллекторного перехода; rб - сопротивление объѐма базы;

rэ - сопротивление эмиттерного перехода; rк - сопротивление коллекторного перехода.

Полевой транзистор. Определение и типы

транзисторов

Полевой транзистор – это транзистор, управление выходным током в котором осуществляется электрическим напряжением, а не током, как в биполярных транзисторах.

Различают следующие типы полевых транзисторов:

-полевые транзисторы с управляющим P-N переходом и каналом N – типа или

P – типа;

-полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом N или P – типа, а также со встроенным каналом N или P – типа

Полевой транзистор.

Буквенно – цифровое обозначение

КП305А

К(2)- кремниевый, А(3) – арсенид - галлиевый)

полевой транзистор мощность и частота

номер Госрегистрации различие по параметрам (от А до Я) Рыбин Ю. К.

1

2

3

- маломощный до 0,3 Вт

4

5

6

-

средней мощности от 0,3 до 10 Вт

7

8

9

-

мощный > 10Вт

- низкочастотный (до 3 МГц)

-среднечастотный (от 3 до 30 МГц)

-высокочастотный (более 30 МГц) и сверхвысокочастотный