Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Рыбин Ю.К. -- Электроника. Опорный конспект лекций

.pdf
Скачиваний:
125
Добавлен:
25.03.2016
Размер:
1.03 Mб
Скачать

Полупроводниковые выпрямительные диоды:

Эквивалентная схема маломощного диода

I , мА

10

8

6

5 I

4

 

2

 

 

-10

-5

 

U U, В

 

0,6

0,8

1,0

 

Eпр

 

-10

Iобр, мкА

Rст = U / I

r дифф = U / ∆ I

Eпр

rд пр

rд обр

 

 

I обр

Экв. схема прямой ветви

Экв. схема обратной ветви

Полупроводниковые выпрямительные диоды.

Работа диода при прямом смещении

VD

 

 

 

 

E = UVD + UR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IVD = IR = IE

E

 

R

 

E = UVD + IVD·R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

E / R

IVD A

U

UVD

UR E

Полупроводниковые выпрямительные диоды.

Работа диода при обратном смещении

VD

E = UVD + UR IVD = IR = IE

E = UVD + IVD·R

+

E

R

I

UR

UVD

E

U

A

IVD

E / R

Полупроводниковые выпрямительные диоды.

Работа диода при переменном напряжении

VD

E(t)

 

Em

t1

t

UVD(t)

E(t)

R

t

UR(t)

t

E = UVD + UR

I мА

Em / R

- Em

U

Em

UVD( t1) UR( t1)

мк А

Стабилитрон. Определение

Стабилитрон это полупроводниковый диод, на обратной ветви вольт – амперной характеристики которого есть участок с малым сопротивлением (участок лавинного или Зенеровского пробоя перехода).

Лавинный пробой возникает в P-N - переходах, когда электроны в сильном электрическом поле ускоряясь разрывают валентные связи, в результате чего образуются новые пары электрон - дырка. При этом электропроводность резко возрастает.

Зенеровский пробой происходит за счѐт туннельного перехода из одной области P-N перехода на основе сильно легированных примесных полупроводников в другую и резкого увеличения количества подвижных носителей заряда.

Стабилитрон.

Условное графическое изображение и буквенно-цифровое обозначение

VD

5 мм

6 мм

P N

КС156А

К(2)- кремниевый

стабилитрон мощность (1-маломощный до 0,3 Вт, 2-средней мощности от

0,3 до 10 Вт, 3-мощный > 10Вт) напряжение стабилизации (5,6 В) различие по параметрам (от А до Я)

Стабилитроны: конструкция

41

3

2

1

42

41

3

2

1

 

 

42

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а)

 

 

 

 

 

 

б)

 

 

 

 

41

3

2

 

1

42

 

 

 

 

 

41

3

2

1

42

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

5

 

 

 

 

 

 

в)

г)

1

– корпус (стеклянный, металлический или керамический)

2

– вакуум

а – маломощные

3

– стеклянный изолятор

б и в – средней мощности

4

– выводы

г – мощные

5

– P-N -переход

 

 

 

Стабилитроны: основные параметры

Эксплуатационные (для стабилитрона малой мощности типа КС156А)

Номинальное напряжение стабилизации

U ст = 5,6

В.

• Обратное сопротивление при токе 3 мА

r обр = 46 Ом.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации

α = 0,05%

/ ºC.

Предельно допустимые (для диода средней мощности типа КС156А)

Диапазон температур

– 60…+125 ºC.

Максимальный ток стабилизации

Iст. макс = 55мА.

Минимальный ток стабилизации

Iст. мин = 3 мА.

Максимальная рассеиваемая мощность

P макс = 300 мВт

Стабилитроны. Параметрический

стабилизатор напряжения

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

Uвх = UVD + UR

 

IVD = IR = IE

+

 

 

 

 

 

Uвх = UVD + IVD·R

UVD = Uвых

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uвх

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uвых

 

 

 

 

VD

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uвх UR

UVD

U

Uвх / R

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими P-N переходами, предназначенный для усиления, коммутации и преобразования электрических сигналов.

Разработан и изготовлен в 1947 году У. Шокли, Д. Браттейном, У. Бардин.

Нобелевская премия -1957 г.