Рыбин Ю.К. -- Электроника. Опорный конспект лекций
.pdf
Структура полупроводника Si на плоскости
при повышении температуры
S |
S |
S |
i |
i |
i |
S |
S |
S |
i |
i |
i |
S |
S |
S |
i |
i |
i |
Структура полупроводника P- типа
S |
S |
S |
i |
i |
i |
S |
I |
S |
i |
n |
i |
S |
S |
S |
i |
i |
i |
Структура полупроводника N- типа
S |
S |
S |
i |
i |
i |
S |
S |
S |
i |
b |
i |
S |
S |
S |
i |
i |
i |
Энергетическая диаграмма проводников,
полупроводников и диэлектриков
Проводники |
Полупроводники |
|
Диэлектрики |
|
|||||||
|
|
||||||||||
E |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
З о н а |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
п р о в о д и м о с т и |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,1 - 3 еВ |
> 8 еВ |
З а п р е щ ѐ н н а я |
з о н а |
В а л е н т н а я |
з о н а |
1еВ = 1,6*10(-19) дж |
|
Энергетическая диаграмма чистых
полупроводников
|
|
Ge |
|
|
|
Si |
GaAs |
|||||
E |
З о н а |
|
п р о в о д и м о с т и |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,75 эВ |
|
1,12 эВ |
|
|
1,43 эВ |
З а п р е щ ѐ н н а я |
з о н а |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В а л е н т н а я |
з о н а |
Энергетическая диаграмма полупроводников
N-типа
E
Si +Sb
0,12 еВ
Энергетическая диаграмма полупроводников
P-типа
E
Si + In
Технологии изготовления P-N перехода
|
P |
N |
N |
|
сплавная
эпитаксиальная
диффузионная
P-N переход без внешнего напряжения
P |
N |
l p-n |
P – N переход |
выводы
Металлургическая граница
I дифф + I дрейф = 0
P-N переход при прямом смещении
P |
N |
l пр |
P – N переход |
выводы
Uпр
I дифф >> I дрейф