978-5-7996-1186-6_2014

Н а н о и м п р и н т - л и т о г р а ф и я (НИЛ) предлагает необычнуюальтернативудля производства наноструктур. Концепция наноимпринтинга очень проста и вомногом напоминает классическую технику горячего тиснения полимеров. Резист из термопластичногополимера наноситсяна плоскуюповерхностьсубстрата и нагревается выше его температуры стеклования (Тст). Затем сверху под давлением опускается жесткая печать с микроили наноразмерным рельефнымрисунком. Образец охлаждаетсянижеТст полимера, после чего давление снимается. Подвергшаяся такому воздействию полимерная пленка запечатлевает полную реплику печати. Разрешение метода составляет 20нм при 1 нм однородности критических размеров

10.8.3.Методы получения нанотрубок

На н о т р у б к и – это протяженные цилиндрические структуры диаметром от одного до нескольких десятков нанометров и длиной до нескольких сантиметров, состоящие из одной или нескольких свернутых в трубку гексагональных графитовых плоскостей и заканчивающиеся обычно полусферической головкой, которая может рассматриваться как половина молекулы фуллерена. Многостенныенанотрубки отличаются отодностенныхзначительно более широким разнообразием форм и конфигураций. Для всех структур характерно значение расстояния между соседними графитовыми слоями, близкоек величине 0,34 нм, присущей расстоянию между соседними плоскостями кристаллического графита. К высокотемпературным методам получения нанотрубок относится э л е к т р о д у г о в о й м е т о д. После создания технологии получения фуллеренов было обнаружено, что при электродуговом испарении графитовых электродов наряду с образованием фуллеренов образуются протяженные цилиндрическиеструктуры. Дальнейшее развитие методов синтеза углеродных нанотрубок (УНТ) шлопопути снижения температурсинтеза. Так, появились первые работы по получению нанотрубок низкотемпературным методом – методомкаталитическогопиролиза углеводородов(ChеmicalVapour Deposition, CVD), где в качествекатализатора использовались час-

260

тицы металла группы железа. Один из вариантов установки по получению нанотрубок и нановолокон CVD-методом представляет собой реактор, в который подается инертный газ-носитель, уносящий катализатор и углеводород в зону высоких температур. Таким путем удалось синтезировать углеродные нанотрубки длиной до 18,5 сантиметров. Электрические свойства новых нанотрубок уже обратили на себя внимание: углеродные трубки проводят ток одинаково хорошо по всей длине, обладая при этом полупроводниковыми свойствами. Из одногоэкспериментальногообразца удалось сделать сразу сотню транзисторов с одинаковыми параметрами. Вероятно, это начало будущего переворота в микроэлектронике. Возможными областями применения нанотрубок являются транзисторы, нанопровода, прозрачные проводящие поверхности, топливныеэлементы,сверхпрочныенити(орбитальный лифт), композитные материалы, дисплеи, светодиоды, нанодатчики.

10.8.4.Формирование нанопроволок. Свойства и применение нанопроводов

Нанопроволоки, металлическиенанопроволоки дляэлектронных микросхем, а также нанопроволоки из точечных наночастиц выращивают методом конденсации из паровой фазы на ступенчатых подложках. Имеется несколько вариантов технологий.

Всоответствии с одним из них частицы паровой фазы оседают на плоскости «ступенек». Под влиянием поверхностных сил они диффундируют по плоскости «ступеньки»в ее угол, где действуют силы от двух плоскостей. Процесс позволяет получать нанопроволоки меди диаметром порядка 3 нм и нанополосы шириной

20–60 нм (рис. 10.14).

Другой вариант основан на методах селективной эпитаксии.

Вэтом случае проволока формируется на «гребешке» подложки между двумя эпитаксиальными слоями. Таким образом получают нанопроволоки из полупроводников, например изсплавов InGaAs.

Еще одним вариантом технологии является метод лазерного облучения мишеней из смесей по схеме «пар – жидкость – твердое тело». Пленочныетехнологии позволяют создаватьнетольконано-

261

проволоки или нановолокна, но и ковровообразные наноструктуры с упорядоченным расположением нановорсинок одинаковой толщины и высоты. Такие структуры могут использоваться как сенсоры, элементы экранов высокого разрешения и т. п.

Рис. 10.14. Медные нанопроволоки диаметром 3 нм, полученные осаждением из паровой фазы на ступенчатую подложку из молибдена

10.8.5.Материалы и изделия нанофотоники

Предметом изучения н а н о ф о т о н и к и является распространение, преобразование, испусканиеи поглощениеоптическогоизлучения и сигналов в наноструктурах с целью использования особенностей процессов взаимодействия излучения с веществомпритакихмасштабахдлясозданияразличныхфункциональныхустройств. Нанофотоника возникла на стыкеоптики, лазерной физики, квантовой электроники, физики и химии твердого тела, материаловедения, физической химии. К перспективным материалам нанофотоники относятся фотонныекристаллы, фотонно-крис- таллические пленки и волокна, метаматериалы с отрицательным показателем преломления и металл-диэлектрические плазмонные наноматериалы.

262

Ф о т о н н ы й к р и с т а л л – это материал, структура которогохарактеризуетсяпериодическимизменениемпоказателяпреломления в пространственных направлениях. В настоящее время существует множество методов изготовления фотонных кристаллов. Некоторые методы больше подходят для формирования одномерных фотонных кристаллов, другие удобны в отношении двумерных, третьи применимы чаще к трехмерным фотонным кристаллам, четвертые используются при изготовлении фотонных кристаллов на других оптических устройствах, и т. д. При самопроизвольном формировании фотонных кристаллов используются коллоидальные частицы (чаще всего монодисперсные силиконовыеили полистереновые), которыенаходятсяв жидкости и помере ее испарения осаждаются в некотором объеме. По мере их осаждениядругна друга они формируюттрехмерный фотонный кристалл и упорядочиваютсяпреимущественнов гранецентрированнуюили гексагональнуюкристаллическиерешетки. Другой методсамопроизвольного формирования фотонных кристаллов, называемый сотовым, предусматривает фильтрование жидкости, в которой находятся частицы, через маленькие поры, но при высыхании такого кристалла образуются дефекты. Методы травления наиболее удобны для изготовления двухмерных фотонных кристаллов и являются широко используемыми технологическими методами при производстве полупроводниковых приборов. Эти методы основаны на применении маски из фоторезиста, которая задает геометрию области травления. Недостатком данного метода является использование фотолитографии, наиболее распространенное разрешение которой составляет порядка одного микрона. Однофотонная фотолитография и двухфотонная фотолитография позволяют создавать трехмерныефотонные кристаллы с разрешением 200 нм. Здесь используется свойство некоторых материалов, таких как полимеры, которыечувствительны к одно- и двухфотонному облучению и могут изменятьсвои свойства под воздействиемэтогоизлучения. Фотонныекристаллыспособныдействоватьпри оченьвысокихтемпературах и могли бы пригодиться в таких областях, как солнечнотепловаяи солнечно-химическаяконверсия, приборы и движители

263

на радиоизотопах, генераторы на углеводородах, чувствительные химические детекторы.

10.9.Материалы и устройства молекулярной электроники

Самые малые размеры могут иметь схемные элементы, построенные из отдельных атомов, электронов и даже фотонов. При таких размерах взаимодействия между элементами подчиняются законам квантовой механики, описывающей поведение атомов. Идеи молекулярной электроники не сводятся к простой замене полупроводникового транзистора на молекулярный, хотя будет решаться и эта частная задача. Главной целью всежеявляется создание сложных молекулярных систем, реализующих одновременно несколько различных эффектов, выполняющих задачу. К задачам этого типа естественно в первую очередь отнести задачу создания универсального элемента памяти как наиболее важной части лю- богоинформационно-вычислительногоустройства. Созданиесредствами молекулярной электроники искусственных нейронов, различного типа сенсоров, включенных в единую сеть, откроет путь к созданию искусственного интеллекта.

10.9.1.Молекулы-проводники и молекулы-изоляторы

Металличическое поведение обнаружено в кристаллах некоторых органических молекул. В кристаллах ряда хорошопроводящих солей с переносом заряда плоские молекулы упакованы так, чтоионыодногознакаобразуютстопки,чередующиесясостопками или цепочками ионов противоположного знака. Орбитали-электронов сопряженных связей плоских молекул вытянуты в виде восьмерки перпендикулярно плоскости молекул. Они обеспечивают достаточно хорошее перекрытие электронных волновых функций соседних молекул в стопке. В нейтральном состоянии донорные или акцепторные молекулы содержат четное число-электронов, но при образовании кристалла число электронов

264

в их -оболочке изменяется и зона -электронов в стопке оказывается заполненной частично. Таким образом, реализуются два условия, необходимые для металлического поведения электронов: частичное заполнение зоны -электронов и их делокализация поменьшей меревдольцепочки. Системыс одномернымдвижением электронов переходят в диэлектрическое состояние при охлаждении дажепри болеевысокихтемпературах,проявляяметаллические свойства. Впервые металлическая проводимость вплоть до самых низких температур была достигнута в кристаллах (TSeT)2Cl. Чистый полиацетилен является диэлектриком. Легирование полиацетилена атомами К, Na, Br, I либо органическими донорами или акцепторами приводит к появлению бесспиновых носителей заряда – солитонов. Солитоны определяют его проводимость. Она может достигать значений 10–4–10–3 Ом–1 см–1 при Т = 300 K.

10.9.2.Молекулы-диоды

Чтобы молекула работала как диод, необходимо прикрепить ее к двум электродам (катоду и аноду) при помощи ковалентных связей. В зависимости от ориентации молекулы по отношению к электродам она будет пропускать излучение в одном или в другомнаправлении. Ученымна основемолекултетрофенила симметричного и бифенила-бипиримидинила асимметричного удалось создать одномолекулярные диоды, пропускающие ток только в одном направлении. Препятствиями на этом пути являются сложности с подключением отдельной молекулык двумэлектродам, поставляющим ток, а также получение нужной ориентации молекулы в устройстве.

10.9.3.Молекулы-транзисторы

Сегодня самые маленькие транзисторы массового производства имеют ширинувсего32 нм(примерно96 атомов кремния). Классический транзистор имеет три вывода: исток, затвор и сток. Подача того или иногонапряжения на затворотпирает или запирает поток электронов от истока к стоку, устанавливая соответствен-

265

но единицу или нуль. Молекулы с разветвленной структурой теоретически могли бы подобным же образом управлять сигналом. Одномолекулярный транзистор разработан на основе молекулы бензола, помещенной между двумя золотыми контактами и соединенной с ними специальными функциональными группами, содержащими атомы серы. Эта конструкция покоится на основании изалюминия,служащегоуправляющимэлектродом. Подаваяэлектрическоенапряжение на золотыеконтакты, можнорегистрировать течение электрического тока через молекулу, а прилагая в то же самоевремя электрическоеполек молекуле с помощью алюминиевого электрода, можно регулировать силу электрического тока через молекулу. Такая работа устройства совершенноаналогична работе полевого транзистора.

10.9.4.Молекулярные элементы памяти

Атомы и электроны могут существовать в нескольких состояниях одновременно и формировать квантовый бит, или кубит. Сегодня исследуется несколько подходов к управлению кубитами. Один изних, называемый спинтронным, основан на использовании электронов, собственный магнитный момент которых (с п и н) может иметь одно из двух направлений. Однако оба состояния могут сосуществовать в электроне одновременно, образуя

суперпозиции позволяютхранитьгораздобольшеинформации,чем цепочка изкремниевыхтранзисторов, способныхнаходиться тольков каком-либоодномиз битовых состояний, причемс увеличением числа элементов цепочки это различие в емкости растет по экспоненциальному закону.

Уже относительно давно был создан прототип системы памяти, использующей в качестве ячеек молекулы протеина-бактерио- родопсина. Бактериородопсин был выбран потому, что фотоцикл (последовательность структурных изменений, которые молекула претерпевает при реакции со светом) делает эту молекулу идеальным логическим запоминающим элементом типа переключателя

266