- •Физические основы электроники
- •Тема 1 основы теории твердого тела
- •1.1.1 Виды связей
- •1.1.2 Кристаллическое строение веществ:
- •1.1.4 Дефекты кристалла
- •Контрольные вопросы к теме 1:
- •Тема 2 физические основы процессов в полупроводниковых материалах
- •2.1 Зонная модель полупроводников (пп). Вырожденные и невырожденные пп. Уровень Ферми в пп. Зависимость уровня Ферми от температуры, степени концентрации примеси
- •2.2 Понятие об электронно-дырочном переходе, типы переходов, токи в p – n переходе
- •2.3 Прямо смещенный p – n –переход.
- •Тема 2.4 Вольт амперные характеристики и p-n модель
- •2.4.1 Модель p-n , вах
- •2.4.2 Вольт – амперная характеристика
- •2.4.3 Физические процессы в контактах пп с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы), металл - пп
- •2.4.4 Гетеропереходы
- •2.4.5 Люминесценция полупроводников
- •2.4.6 Фотопроводимость полупроводников
- •2.4.7 Эффект Холла
- •2.5 Эффект поля
- •2.5.2 Эффекты в структурах мдп
- •2.5.3 В идеальных мдп-структурах не учитывалось влияние зарядов в окисле и на границе окисел – кремний
- •3.1 Поляризация, электропроводность, диэлектрические потери, проницаемость
- •Виды поляризации: электронная, ионная, дипольно-релаксационная, ионно-релаксационная, самопроизвольная и др.
- •Ионная поляризация. Она возникает вследствие упругого смещения связанных ионов из положения равновесия на расстояние, меньшее постоянной кристаллической решетки.
- •Дипольно-релаксационная поляризация. Заключается в повороте (ориентации) дипольных молекул в направлении электрического поля.
- •Диэлектрики с ионной структурой. К ним относятся твердые неорганические диэлектрики с выше перечисленными поляризациями и делятся по потерям на 2 группы:
- •3.2 Электропроводность диэлектриков, диэлектрические потери, диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность, виды пробоя в диэлектриках
- •Электропроводность. В твердых диэлектриках представляет собой сумму токов:
- •Пробой диэлектриков. Явление образования в диэлектрике проводящего канала под действием электрического поля называется пробоем. Различают два вида пробоя: полный и неполный.
- •Тепловой пробой. Обусловлен нарушением теплового равновесия диэлектрика вследствие диэлектрических потерь. Мощность, выделяющаяся в образце равна:
- •3.3 Сегнетодиэлектрики
- •3.4 Пьезоэлектрики
- •3.5 Активные диэлектрики
- •Вывод. При отсутствии внешнего поля сегентодиэлектрики представляет собой как бы мозаику из доменов – областей с различными направлениями поляризованности.
- •3.6 Электропроводность газообразных диэлектриков
- •4 Вида самостоятельного разряда:
- •Закон Пашека. Пробивное напряжение воздуха и других газов в электрическом поле является функцией произведения давления газа на расстояние между электродами:
- •3.7 Электролюминесценция, катодолюминесценция
- •Контрольные вопросы к теме 3:
- •Тема 4 физические эффекты в проводниках
- •4.1 Классификация проводников
- •4.2 Полукристаллические и аморфные металлы и сплавы. Особенности металлов в тонкопленочном состоянии
- •4.2.1 Медь
- •4.2.2 Алюминий
- •4.2.3 Железо
- •4.2.4 Натрий
- •4.2.5 Вольфрам
- •4.2.6 Молибден
- •4.2.7 Благородные металлы
- •4.2.8 Никель и кобальт
- •4.2.9 Свинец
- •4.2.10 Олово
- •4.2.11 Цинк и кадмий
- •4.2.12 Индий и галлий
- •4.2.13 Ртуть
- •4.3 Особенности металлов в тонко пленочном состоянии
- •Вольфрамобариевые катоды
- •Вторичная эмиссия
- •4.4 Сверхпроводящие проводники. Статический эффект Джозефсона. Применение сверхпроводимости
- •Применение
- •4.5 Контактная разность потенциалов, термо - эдс, эффекты.
- •Два закона:
- •Механизм возникновения
- •Контрольные вопросы к теме 3:
- •Тема 5 физические эффекты в магнитных материалах
- •5.2 Зависимость параметров от температуры. Свойства магнитных материалов в свч полях
- •Магнитодиэлектрики
- •Контрольные вопросы к теме 4:
- •Литература
2.4.5 Люминесценция полупроводников
Под люминесценцией понимают электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью, значительно превышающей период световых колебаний. Для этого используют ПП с шириной запрещенной зоны (арсенид галлия, фосфид галлия, карбид кремния). Для возникновения люминесценции в П необходимо вывести атомы из термодинамического равновесия, т.е. возбудить их. Для этого используют различные способы:
-электрическим полем;
-бомбардировкой ПП электронами;
-освещением.
Излучение квантов света (фотонов) происходит за счет перехода электрона на более низкий энергетический уровень при межзонной рекомбинации с участием рекомбинационных ловушек. Частный случай люминесценции является электролюминесценция. На ее основе работают излучатели, которые преобразуют электрическую энергию в энергию оптического излучения заданного спектра.
2.4.6 Фотопроводимость полупроводников
Электропроводность ПП увеличивается под действием электромагнитного излучения. Если энергия фотона равна или больше ширины запрещенной зоны (hf ≥∆Wз), то совершаются переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости, что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). Возникает собственная проводимость ПП.
Если ПП содержит примеси, то фотопроводимость может возникнуть при hf ≤∆Wз. Для ПП с донорной примесью фотон должен обладать энергией hf ≥∆Wд, а с акцепторной - hf ≥∆Wа.
При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости ПП с n – проводимостью или из валентной зоны на акцепторные примеси, если кристалл p – проводимости.
В результате добавляется примесная фотопроводимость.
Каждый материал ПП характеризуется красной границей фотопроводимости, где максимальную длину волны, при которой возможна фотопроводимость.
λ0 = ch /∆W – для собственного ПП и приходится на видимую область спектра.
λ0 = ch /∆Wn – для примесного ПП и приходится на инфракрасную.
Фоторезистивный эффект. Изменение электрической проводимости ПП под действием света. При Ф=0 ПП обладает начальной проводимостью σ0 = е (ni μn + pi μp).
Под воздействием света в ПП генерируют избыточные носители и проводимость определяется:
σф = е(∆ni μn + ∆pi μp)
Полная проводимость:
σ = σ0 + σф
Полупроводниковые Болометры. Предназначен для измерения мощности лучистой энергии, для регистрации распределения энергии в инфракрасных спектрах.
Это термосопротивление состоит из тонких пленок, поверхность которых имеет прямоугольную форму, чувствительность их на порядок выше металлических.
Он состоит из двух пленок, одна из которых работает в качестве приемника энергии излучения, а другая – компенсирует изменения температуры окружающей среды. Он включается в мостовую схему.
Для излучения «дрейфа» механически моделирует измеряемое излучение, а затем усиливает сигнал с частотой модуляции.
Порог чувствительности Вт.
Минимальная мощность, регистрируемая болометром, равна Вт, что соответствует изменению температуры меньшеградуса, при этом выходной сигнал моста меньше 1 мкв.