Физические Основы Электроник / План работы ФОЭ (Физические Основы Электроники) (Ver 2014.10.01)

Факультет КІТіА

Спеціальність 6.050802, 6.051003

Кафедра електронної техніки

Курс 2 група ЕЛС–13а/б, НАП–13

Навчальний рік 2014-2015

Семестр 3

Загальна кількість годин – 126 (3,50 кредита)

№ тижня

Дата

Найменування теми лекції

Кількість годин

Теми практичних і лабораторних занять

Кількість годин

Література

1

1. Основи теорії твердого тіла.

1.1 Будова твердих тіл

1.2 Енергетичні рівні і зони

1.3 Власна провідність напівпровідників

2

2

Основи теорії твердого тіла.

1.4 Глибокі рівні

1.5 Домішкові напівпровідники

1.6 Оптичні і електричні властивості напівпровідників

2

2

3

Основи теорії твердого тіла.

1.7 Рідко-кристалічні прилади для відображення інформації.

1.8 Твіст-ефект.

2

4

2 Фізичні основи процесів в напівпровідникових матеріалах

2.1 Зонна модель напівпровідників (НП). Вироджені і невироджені НП. Рівень Фермі в НП. Залежність рівня Фермі від температури, ступені концентрації домішків.

2

Лабораторна робота №1

Дослідження p-n переходу (Si) у постійному зовнішньому електричному полі.

2

5

Фізичні основи процесів в напівпровідникових матеріалах

2.1 Зонна модель напівпровідників (НП). Вироджені і невироджені НП. Рівень Фермі в НП. Залежність рівня Фермі від температури, ступені концентрації домішків.

2

Розрахунок електричної провідності напівпровідників і її залежність від температури, типу провідника і ступеня легованості.

6

Фізичні основи процесів в напівпровідникових матеріалах

2.2 Поняття про електронно-дірчастий перехід, типи переходів, струми в p-n переході.

2

Лабораторна робота №2

Дослідження p-n переходу (Ge) у постійному зовнішньому електричному полі. Розрахунок параметрів p-n переходу .

2

7

Фізичні основи процесів в напівпровідникових матеріалах

2.3 Прямо зміщений p-n перехід

2.4 Вольт-амперні характеристики і p-n модель

2.5 Ефект поля

2

8

3. Фізичні ефекти в твердих і газоподібних діелектриках

3.1 Поляризація, електропровідність, діелектричні втрати, проникність.

2

Розрахунок нерівноважної концентрації носіїв p-n переходів та переходу метал-напівпровідник Формулювання і видача завдання до розрахункової роботи.

2

9

Фізичні ефекти в твердих і газоподібних діелектриках

3.2 Електропровідність діелектриків, діелектричні втрати, діелектрична проникність, електрична міцність, види пробою в діелектриках.

2

10

Фізичні ефекти в твердих і газоподібних діелектриках

3.3 Сегнетоелектрики

3.4 П'єзоелектрики

3.5 Активні діелектрики.

2

Лабораторна робота №3.

Дослідження властивостей p-n переходу (Si) під впливом зворотного зовнішнього електричного поля

2

11

Фізичні ефекти в твердих і газоподібних діелектриках

3.6 Електропровідність газоподібних діелектриків.

3.7 Електролюмінесценція, катодолюмінісценція.

2

12

4 Фізичні ефекти в провідниках

4.1 Класифікація провідників

4.2 Напівкристалічні і аморфні метали і сплави.

2

2

13

. Фізичні ефекти в провідниках

4.3 Особливості металів в тонкоплівочному стані

4.4 Надпровідні провідники. Статичний ефект. Застосування надпровідності

2

14

. Фізичні ефекти в провідниках

4.5 Контактна різниця потенціалів, термо - ЕДС, ефекти (Джозефсона, Зеебека, Пєльт`є…)

2

2

15

5 Фізичні ефекти в магнітних матеріалах

5.1 Магнітна структура доменів в кристалах. Процес намагнічування.

2

16

Фізичні ефекти в магнітних матеріалах

5.2 Процес намагнічування. Магнітний гістерезис, магнітна анізотропія.

5.3 Залежність параметрів від температури.

2

2

Вид СРС

Зміст СРС

Дата початку

Дата закінчення

Кількість годин

Самостійне вивчення нового навчального, матеріалу, який враховується в контрольних заходах

Електронні компоненти на основі p-n переходів (діод, стабілітрон, варікап, датчик Холла) їх принцип функціонування, особливості, сфера застосування.

8

Потік

Група

Лекції

Практичні заняття

Лабораторні роботи

ЕЛС-13, НАП-13

ЕЛС-13а/б,

НАП-13

Штепа О. А.

Штепа О. А.

Штепа О. А.