Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Физические Основы Электроник / Лекции ФОЭ 2013 ЭлС-13 НАП-13 (Физические основы электроники) (Ver 2014.10.01).doc
X
- •Физические основы электроники
- •Тема 1 основы теории твердого тела
- •1.1.1 Виды связей
- •1.1.2 Кристаллическое строение веществ:
- •1.1.4 Дефекты кристалла
- •Контрольные вопросы к теме 1:
- •Тема 2 физические основы процессов в полупроводниковых материалах
- •2.1 Зонная модель полупроводников (пп). Вырожденные и невырожденные пп. Уровень Ферми в пп. Зависимость уровня Ферми от температуры, степени концентрации примеси
- •2.2 Понятие об электронно-дырочном переходе, типы переходов, токи в p – n переходе
- •2.3 Прямо смещенный p – n –переход.
- •Тема 2.4 Вольт амперные характеристики и p-n модель
- •2.4.1 Модель p-n , вах
- •2.4.2 Вольт – амперная характеристика
- •2.4.3 Физические процессы в контактах пп с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы), металл - пп
- •2.4.4 Гетеропереходы
- •2.4.5 Люминесценция полупроводников
- •2.4.6 Фотопроводимость полупроводников
- •2.4.7 Эффект Холла
- •2.5 Эффект поля
- •2.5.2 Эффекты в структурах мдп
- •2.5.3 В идеальных мдп-структурах не учитывалось влияние зарядов в окисле и на границе окисел – кремний
- •3.1 Поляризация, электропроводность, диэлектрические потери, проницаемость
- •Виды поляризации: электронная, ионная, дипольно-релаксационная, ионно-релаксационная, самопроизвольная и др.
- •Ионная поляризация. Она возникает вследствие упругого смещения связанных ионов из положения равновесия на расстояние, меньшее постоянной кристаллической решетки.
- •Дипольно-релаксационная поляризация. Заключается в повороте (ориентации) дипольных молекул в направлении электрического поля.
- •Диэлектрики с ионной структурой. К ним относятся твердые неорганические диэлектрики с выше перечисленными поляризациями и делятся по потерям на 2 группы:
- •3.2 Электропроводность диэлектриков, диэлектрические потери, диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность, виды пробоя в диэлектриках
- •Электропроводность. В твердых диэлектриках представляет собой сумму токов:
- •Пробой диэлектриков. Явление образования в диэлектрике проводящего канала под действием электрического поля называется пробоем. Различают два вида пробоя: полный и неполный.
- •Тепловой пробой. Обусловлен нарушением теплового равновесия диэлектрика вследствие диэлектрических потерь. Мощность, выделяющаяся в образце равна:
- •3.3 Сегнетодиэлектрики
- •3.4 Пьезоэлектрики
- •3.5 Активные диэлектрики
- •Вывод. При отсутствии внешнего поля сегентодиэлектрики представляет собой как бы мозаику из доменов – областей с различными направлениями поляризованности.
- •3.6 Электропроводность газообразных диэлектриков
- •4 Вида самостоятельного разряда:
- •Закон Пашека. Пробивное напряжение воздуха и других газов в электрическом поле является функцией произведения давления газа на расстояние между электродами:
- •3.7 Электролюминесценция, катодолюминесценция
- •Контрольные вопросы к теме 3:
- •Тема 4 физические эффекты в проводниках
- •4.1 Классификация проводников
- •4.2 Полукристаллические и аморфные металлы и сплавы. Особенности металлов в тонкопленочном состоянии
- •4.2.1 Медь
- •4.2.2 Алюминий
- •4.2.3 Железо
- •4.2.4 Натрий
- •4.2.5 Вольфрам
- •4.2.6 Молибден
- •4.2.7 Благородные металлы
- •4.2.8 Никель и кобальт
- •4.2.9 Свинец
- •4.2.10 Олово
- •4.2.11 Цинк и кадмий
- •4.2.12 Индий и галлий
- •4.2.13 Ртуть
- •4.3 Особенности металлов в тонко пленочном состоянии
- •Вольфрамобариевые катоды
- •Вторичная эмиссия
- •4.4 Сверхпроводящие проводники. Статический эффект Джозефсона. Применение сверхпроводимости
- •Применение
- •4.5 Контактная разность потенциалов, термо - эдс, эффекты.
- •Два закона:
- •Механизм возникновения
- •Контрольные вопросы к теме 3:
- •Тема 5 физические эффекты в магнитных материалах
- •5.2 Зависимость параметров от температуры. Свойства магнитных материалов в свч полях
- •Магнитодиэлектрики
- •Контрольные вопросы к теме 4:
- •Литература
Контрольные вопросы к теме 4:
1 Указать как разделяются вещества по силе взаимодействия с магнитным полем.
2 Пояснить понятие коэрцитивной силы и что зависит от значения этой силы?
3 Сущность эффекта Холла и его применение.
Литература
1 Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. – М.: Высшая школа, 2005
2 Бобриков Л.З. Электроника. – СПб.: Питер, 2004
3 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Л.БЗ, 2004
4 Ткаченко Р.А. Техническая электроника – М.: Дизайн ПРО, 2002
5 Бобровский Ю.А. и др. Электронные квантовые приборы и микроэлектроника. – М.: Радио и связь, 1998
Соседние файлы в папке Физические Основы Электроник