- •Физические основы электроники
- •Тема 1 основы теории твердого тела
- •1.1.1 Виды связей
- •1.1.2 Кристаллическое строение веществ:
- •1.1.4 Дефекты кристалла
- •Контрольные вопросы к теме 1:
- •Тема 2 физические основы процессов в полупроводниковых материалах
- •2.1 Зонная модель полупроводников (пп). Вырожденные и невырожденные пп. Уровень Ферми в пп. Зависимость уровня Ферми от температуры, степени концентрации примеси
- •2.2 Понятие об электронно-дырочном переходе, типы переходов, токи в p – n переходе
- •2.3 Прямо смещенный p – n –переход.
- •Тема 2.4 Вольт амперные характеристики и p-n модель
- •2.4.1 Модель p-n , вах
- •2.4.2 Вольт – амперная характеристика
- •2.4.3 Физические процессы в контактах пп с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы), металл - пп
- •2.4.4 Гетеропереходы
- •2.4.5 Люминесценция полупроводников
- •2.4.6 Фотопроводимость полупроводников
- •2.4.7 Эффект Холла
- •2.5 Эффект поля
- •2.5.2 Эффекты в структурах мдп
- •2.5.3 В идеальных мдп-структурах не учитывалось влияние зарядов в окисле и на границе окисел – кремний
- •3.1 Поляризация, электропроводность, диэлектрические потери, проницаемость
- •Виды поляризации: электронная, ионная, дипольно-релаксационная, ионно-релаксационная, самопроизвольная и др.
- •Ионная поляризация. Она возникает вследствие упругого смещения связанных ионов из положения равновесия на расстояние, меньшее постоянной кристаллической решетки.
- •Дипольно-релаксационная поляризация. Заключается в повороте (ориентации) дипольных молекул в направлении электрического поля.
- •Диэлектрики с ионной структурой. К ним относятся твердые неорганические диэлектрики с выше перечисленными поляризациями и делятся по потерям на 2 группы:
- •3.2 Электропроводность диэлектриков, диэлектрические потери, диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность, виды пробоя в диэлектриках
- •Электропроводность. В твердых диэлектриках представляет собой сумму токов:
- •Пробой диэлектриков. Явление образования в диэлектрике проводящего канала под действием электрического поля называется пробоем. Различают два вида пробоя: полный и неполный.
- •Тепловой пробой. Обусловлен нарушением теплового равновесия диэлектрика вследствие диэлектрических потерь. Мощность, выделяющаяся в образце равна:
- •3.3 Сегнетодиэлектрики
- •3.4 Пьезоэлектрики
- •3.5 Активные диэлектрики
- •Вывод. При отсутствии внешнего поля сегентодиэлектрики представляет собой как бы мозаику из доменов – областей с различными направлениями поляризованности.
- •3.6 Электропроводность газообразных диэлектриков
- •4 Вида самостоятельного разряда:
- •Закон Пашека. Пробивное напряжение воздуха и других газов в электрическом поле является функцией произведения давления газа на расстояние между электродами:
- •3.7 Электролюминесценция, катодолюминесценция
- •Контрольные вопросы к теме 3:
- •Тема 4 физические эффекты в проводниках
- •4.1 Классификация проводников
- •4.2 Полукристаллические и аморфные металлы и сплавы. Особенности металлов в тонкопленочном состоянии
- •4.2.1 Медь
- •4.2.2 Алюминий
- •4.2.3 Железо
- •4.2.4 Натрий
- •4.2.5 Вольфрам
- •4.2.6 Молибден
- •4.2.7 Благородные металлы
- •4.2.8 Никель и кобальт
- •4.2.9 Свинец
- •4.2.10 Олово
- •4.2.11 Цинк и кадмий
- •4.2.12 Индий и галлий
- •4.2.13 Ртуть
- •4.3 Особенности металлов в тонко пленочном состоянии
- •Вольфрамобариевые катоды
- •Вторичная эмиссия
- •4.4 Сверхпроводящие проводники. Статический эффект Джозефсона. Применение сверхпроводимости
- •Применение
- •4.5 Контактная разность потенциалов, термо - эдс, эффекты.
- •Два закона:
- •Механизм возникновения
- •Контрольные вопросы к теме 3:
- •Тема 5 физические эффекты в магнитных материалах
- •5.2 Зависимость параметров от температуры. Свойства магнитных материалов в свч полях
- •Магнитодиэлектрики
- •Контрольные вопросы к теме 4:
- •Литература
3.4 Пьезоэлектрики
Это твердые, сенизотропные кристаллические вещества, поляризующиеся под действием механических напряжений. В них возникают прямой и обратный пьезоэффекты.
Прямой пьезоэлектрический эффект – образование электростатических зарядов на поверхности диэлектрика и электрической поляризации внутри его, происходящие в результате воздействия механических напряжений.
Поляризация P=dσ [Кл/м2],
где d – коэффициент пропорциональности, называемый пьезоэлектрическим модулем или пьезомодулем.[Кл/Н];
σ – механическое напряжение [Н/м2].
Рисунок 2.2 – Прямой пьезоэффект
Под воздействием механического напряжения работа внешней силы затрачивается на деформацию материала и его поляризацию (эффект был открыт в 1880 г.), на поверхности кристалла появляются электрические заряды, такие материалы называют пьезоэлектрическими.
Применение: преемники ультразвука, датчики деформации, звукосниматели.
Обратный пьезоэффект. Под воздействием внешнего источника с напряжением U затрачивается энергия на заряд ёмкости пьезоэлемента (CU2/2) и на его деформацию. При этом амплитуда механических колебаний будет меняться с частотой переменного электрического тока; при совпадении частоты поля с собственной частотой пьезоэлектрика амплитуда приобретает максимальные значения.
Используется для преобразования электрических сигналов в механические (акустические излучатели, генераторы ультразвука).
Пироэлектрики. Пироэлектрическим эффектом называют явление поляризации диэлектрика при однородном по его объёму нагреве или охлаждении.
Рисунок 2.3 – Пироэлектрический эффект
При изменении температуры пироэлектрик поляризуется, т.е. на противоположных сторонах его возникают разноимённые заряды. Это возможно в веществах, обладающих спонтанной или остаточной поляризацией, когда имеющаяся поляризованность зависит от Т0. Благодаря электропроводности связанные поляризационные заряды обычно скомпенсированы свободными зарядами противоположного знака, они обведены кружками, и наличие поляризации не проявляется. При нагреве или охлаждении значение Р изменяется (исчезновение Р изображено исчезновением нескольких диполей) и часто свободных зарядов освобождается. Эти освободившиеся свободные заряды и обнаруживаются внешним индикатором как пироэлектрическая поляризация, являющаяся функцией температуры.
Пироэлектрики обладают и обратным электроколорическим эффектом, т.е., их температура изменяется при поляризации. Применяются в детекторах оптических сигналов и в тепловых датчиках, а также делают решётки для приёма изображения.
Материалы – турмалин, сульфат лития, виннокислый калий.
Пироэффектом обладают и сегнетоэлектрики: LiNbO3 и LiTaO3.
3.5 Активные диэлектрики
Называются диэлектрики, предназначенные для генерации, усиления, модуляции и преобразования электрических сигналов.
В обычных пассивных диэлектриках применяют электроизоляционные материалы, и используется явление поляризация, индуцируемая внешним полем.
В активных диэлектриках используется широкий круг свойств и взаимодействие (см. рисунок 2.4).Прямые взаимодействия между «внешними» свойствами диэлектрика (механическое напряжение τ, напряженности Е и Н, температуры) и его «внутренними» свойствами (поляризации Р, плотности тока, намагниченность, деформация, энтропия).
Важную роль играют связи между различными группами свойств – это пьезоэлектрические, пироэлектрические, сегнетомагнитные, магнитострикционные и др.
В активных часто используют нелинейность связей между поляризацией и Е, или другими величинами. Иногда важнейшими свойствами оказываются спонтанная поляризация, возникающая, при Е = 0 (сегнетоэлектрики), спонтанная деформация (сегнетоэластики), спонтанная намагниченность (ферромагнетики).
Широко используются в технике различные перекрестные взаимодействия, показанные на рисунке 2.4 пунктирными линиями. Так, управление величиной ε с помощью температуры, давления или магнитного поля может служить основой для создания датчиков соответствующих параметров.
Рисунок 2.4 – Виды взаимодействий в активных диэлектриках
Воздействие электрического поля на упругие константы применяют в электрически управляемых фильтрах и линиях задержки, в параметрических усилителях акустических сигналов. Если в обычных диэлектриках наличие активной составляющей тока нежелательно, то в некоторых активных диэлектриках используется именно переход («переключение») из непроводящего состояния в проводящее и обратно (позисторы, варисторы, полупроводниковые стекла). В сегнетоэлектриках-полупроводниках удельное сопротивление ρ зависит от поляризованности Р, а в пьезополупроводниках - от деформации х, что может служить основой для создания новых приборов радиоэлектроники (запоминающие устройства, акустические усилители).
Рассмотрение активных диэлектриков начнем с сегнетоэлектриков, у которых указанные на рисунке 2.4 взаимодействия выражены наиболее сильно.