glava8
.pdf
блюдается ионная поляризация, заключающаяся в смещении подрешетки по-
ложительных ионов вдоль поля, а отрицательных – против поля, приводящая к возникновению p .
§ 67
Поляризованность. Напряженность поля в диэлектрике
При помещении диэлектрика во внешнее электрическое поле он поляризу-
ется, т.е. приобретает отличный от нуля дипольный момент
R |
R |
, |
|
|
pV |
= ∑pi |
|
|
|
|
i |
|
|
|
где pi – |
дипольный момент одной молекулы. |
|
||
Поляризованность – дипольный момент единицы объема диэлектрика |
|
|||
|
R |
R |
V . |
(67.1) |
P = pV V |
= ∑pi |
|||
|
|
i |
|
|
Если диэлектрик изотропный и E не слишком велико, то |
|
|||
P =ε0E , |
|
|
(67.2) |
|
где – |
диэлектрическая восприимчивость вещества, характеризующая свой- |
|||
ства диэлектрика; – величина безмерная, притом всегда > 0 .
Установим количественные закономерности поля в ди-
электрике, внесенном в однородное внешнее электростатиче-
ское поле E0 . Некомпенсированные заряды + σ′ и − σ′, появ-
ляющиеся в результате поляризации диэлектрика, называются
связанными. Поляризация диэлектриков вызывает уменьше-
ние в нем поля по сравнению с первичным внешним полем. Вне диэлектрика E = E0 . Результирующее поле внутри диэлектрика равно
E = E0 − E′,
где E′ = σ′
ε0 – поле, возникающее в диэлектрике и созданное связанными заря-
дами. Тогда
E = E0 |
− |
σ′ |
. |
(67.3) |
|
|
|||||
|
|
ε0 |
|
|
|
|
|
|
|
′ |
пол- |
Определим поверхностную плотность связанных зарядов σ . По (67.1), |
|||||
ной дипольной момент пластики диэлектрика pV = PV = PSd , где S – площадь
грани пластинки, d |
– ее толщина. С другой стороны q |
′ |
′ |
|
|
= σ S , следовательно, |
|||
′ |
′ |
|
|
|
pV = q d = σ Sd , таким образом, |
|
|
||
|
′ |
|
|
|
PSd = σ Sd |
|
|
|
|
или |
|
|
|
|
σ′ = P , |
|
|
(67.4) |
|
т.е. поверхностная плотность связанных зарядов σ′ равна поляризованности P .
Подставим в (67.3) выражение (67.4) и (67.2), получим
E = E0 − E ,
откуда напряженность результирующего поля внутри диэлектрика равна
E = |
|
E0 |
|
= |
E0 |
. |
(67.5) |
|
+ |
|
|||||
1 |
|
ε |
|
||||
Безразмерная величина |
|
||||||
ε = 1 + |
|
|
|
(67.6) |
|||
называется диэлектрической проницаемостью среды.
§ 68
Электрическое смещение. Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике
Вектор напряженности E , переходя через границу диэлектриков, претерпе-
вает скачкообразное изменение, создавая тем самым неудобства при расчете элек-
тростатических полей.
D = εε0E , |
(68.1) |
где D – вектор электрического смещения для электрически изотропной среды.
Используя выражения (67.2) и (67.6), вектор электрического смещения мо-
жет быть записан в следующем виде
D = (1 + )ε0E = ε0E + ε0E |
|
или |
|
D = ε0E + P . |
(68.2) |
Размерность – [D] = Кл м2 . |
|
Результирующее поле в диэлектрике описывается вектором напряженности
E , и потому оно зависит от свойств диэлектрика. Вектором смещения D описы-
вается электростатическое поле, создаваемое свободными зарядами. Вектор D
характеризует электростатическое поле, создаваемое свободными зарядами (т.е. в
вакууме), но при таком их расположении в пространстве, какое имеется при на-
личии диэлектрика. Поле D можно также как и E изображать с помощью линий электрического смещения. Линии вектора E начинаются и заканчиваются на лю-
бых зарядах – свободных и связанных, в то время как линии вектора D – только на свободных зарядах. Через область, где есть связанные заряды, линии вектора
D проходят не прерываясь.
Для произвольной замкнутой поверхности S поток вектора D сквозь эту поверхность равен
R
ΦD = ∫ DdS = ∫ DndS .
SS
Теорема Гаусса электростатического поля в диэлектрике: поток вектора сме-
щения электростатического поля D в диэлектрике сквозь произвольную замкну-
тую поверхность равен алгебраической сумме заключенных внутри этой поверх-
ности свободных электрических зарядов
R |
R |
N |
|
∫ DdS = ∫ DndS = ∑qi . |
(68.3) |
||
S |
S |
i=1 |
|
В такой форме теорема Гаусса справедлива для электростатического поля как для однородной и изотропной, так и для неоднородной и анизотропной сред.
Для вакуума Dn = ε0 En ( ε = 1), тогда поток E сквозь замкнутой поверх-
ность равен
N
∫ ε0EndS = ∑qi .
Si=1
Так как источником поля E в среде является как свободные, так и связан-
ные заряды, то теорему Гаусса для поля E в самом общем виде можно записать
∫ ε |
R |
R |
=∫ |
|
N |
K |
0EdS |
ε |
0EndS = ∑qi |
+ ∑qiсв , |
|||
S |
|
|
S |
|
i=1 |
i=1 |
N |
|
K |
|
|
|
|
где ∑qi и |
∑qiсв |
– соответственно алгебраические суммы свободных и связан- |
||||
i=1 |
|
i=1 |
|
|
|
|
ных зарядов. Однако эта формула неприемлема для описания поля E в диэлек-
трике, так как она выражает свойства неизвестного поля E , через связанные за-
ряды, которые в свою очередь определяются им же. Это еще раз доказывает целе-
сообразность введения вектора D .
Задача. Пространство между концентрическими металлическими сферами заполнено парафином с диэлектрической проницаемостью ε = 3 . Заряды сфер:
Q1 = −1 нКл и Q2 = 2 нКл, радиусы сфер: R1 = 2 см и R2 = 4 см. Определите по-
тенциал электрического поля в точках, находящихся на расстояниях r1 = 1 см,
r2 = 3 см и r3 = 6 см от центра сфер, если на бесконечности он равен нулю.
Дано: |
СИ |
|
|
|
|
|
Решение |
|
|
ε = 3 |
|
Пространство внутри сферы радиусом R1 яв- |
|||||||
Q1 = −1 нКл |
–10 –9 Кл |
ляется эквипотенциальным и для него ϕ = const . |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
Q = 2 нКл |
2×10–9 Кл |
Потенциал поля в этой области, с учетом того, что на |
|||||||
2 |
|
||||||||
R1 = 2 см |
0,02 м |
бесконечности он равен нулю, определяется по фор- |
|||||||
R2 = 4 см |
0,04 м |
муле |
|
|
|
|
|
|
|
r =1 см |
0,01 м |
ϕ1 = |
1 |
|
Q1 |
. |
|
||
1 |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
4 πε 0 |
|
R1 |
|
|
|
r2 = 3 см |
0,03 м |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
r3 = 6 см |
0,06 м |
Подставим числовые значения |
|
||||||
|
|
|
|
|
-10−9 Кл |
|
|||
|
|
j1 = |
|
|
|
|
= -450 В. |
||
ϕ1 , ϕ2 , ϕ3 = ? |
|
|
|
|
|
||||
|
|
×3,14 ×8,85 ×10−12 Ф/м×0,02 м |
|||||||
|
|
4 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Потенциал электрического поля в области меж-
ду сферами, заполненной диэлектриком, согласно теоремы Гаусса для электро-
статического поля в диэлектрике, определяется зарядом Q1 . Величину потенциала в точке 2 можно найти по формуле
j2 |
= |
|
|
1 |
|
|
|
Q1 |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
4pe0e r2 |
|
|
|
|
|
|||||||
Вычислим результат |
|
|
|
|
|
||||||||||
j2 |
= |
|
|
|
|
|
|
|
-10−9 Кл |
|
= -100 |
В. |
|||
|
|
×3,14 ×8,85×10−12 |
|
|
|||||||||||
|
4 |
Ф/м×3×0,03 м |
|
|
|||||||||||
Потенциал поля в области, где находится точка 3, определяется зарядами |
|||||||||||||||
Q1 и Q2 , выражение для него будет иметь вид |
|
||||||||||||||
j3 |
= |
|
|
1 |
|
Q1 +Q2 |
. |
|
|
|
|
|
|||
4pe0 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
r3 |
|
|
|
|
|
|||||
Подставим числовые значения |
|
|
|
|
|||||||||||
j3 |
= |
|
|
-10−9 Кл + 2 ×10−9 Кл |
= 150 |
В. |
|
||||||||
|
|
×3,14 ×8,85×10−12 |
Ф/м×0,06 м |
|
|||||||||||
|
4 |
|
|
|
|
||||||||||
§ 69
Условия на границе раздела двух диэлектрических сред
Рассмотрим связь между векторами E и D на границе раздела двух одно-
родных изотропных диэлектриков при отсутствии на границе свободных зарядов.
Согласно теореме о циркуляции вектора E
|
|
|
R |
|
||
|
∫ Edl = 0 , |
|
||||
|
ABCDA |
|
||||
откуда |
|
|
|
|
|
|
E2τl − E1τl = 0 . |
|
|||||
Поэтому можно записать |
|
|||||
E1τ |
= E2τ . |
(69.1) |
||||
Согласно формуле D1τ = ε1ε0E1τ и D2τ = ε2ε0E2τ |
выражение (69.1) можем |
|||||
переписать в виде |
|
|||||
|
D1τ |
|
= |
ε1 |
. |
(69.2) |
|
|
|
|
|||
|
D2τ |
|
|
ε2 |
|
|
На |
|
границе двух диэлектриков |
|
|||
построим |
|
прямой цилиндр ничтожной вы- |
|
|||
соты, одно основание которого находится в первом диэлектрике, другое во втором.
Основания S настолько малы, что в пределах каждого из них вектор D
R |
|
одинаков. Так как нормали n и n′ противоположно направлены, то согласно тео- |
|
ремы Гаусса можно записать |
|
D2n S − D1n S = 0 , |
|
откуда |
|
D1n = D2n . |
(69.3) |
Заменяя проекции вектора D на проекции вектора E |
D1n = ε1ε0E1n и |
D2n = ε2ε0E2n , получим |
|
|
E1n |
= |
ε2 . |
(69.4) |
|
|
|
|
|||
|
E |
2n |
|
ε |
|
|
|
|
1 |
|
|
Таким образом, при переходе через границу раздела двух диэлектриков тан- |
|||||
генциальная составляющая вектора E ( Eτ ) и нормальная составляющая вектора
D ( Dn ) изменяются непрерывно, а нормальная составляющая En и Dτ претерпе-
вают скачек.
Из условий (69.1) – (69.4) следует, что линии векторов D и E испытывают
излом (преломляются). Найдем связь между углами α1 и α2 ( ε1 < ε2 ). Согласно
(69.1) и (69.4) E2τ = E1τ и ε2E2n = ε1E1n . Из рисунка следует, что
tgα2 = E2τ
E2n . tgα1 E1τ
E1n
Учитывая записанные выше условия, получим
tgα2 = ε2 . tgα1 ε1
Эта зависимость показывает, что, входя в диэлек-
трик с большой диэлектрической проницаемо-
стью, линии E и D удаляются от нормали.
§ 70
Сегнетоэлектрики Сегнетоэлектрики – диэлектрики, обладающие в определенном интервале
температур спонтанной (самопроизвольной) поляризованностью, т.е. поляризо-
ванностью в отсутствии внешнего электрического поля (сегнетова соль –
NaKC4H4O6×4H2O и титанат бария – BaTiO3).
В отсутствии внешнего электрического поля сегне-
тоэлектрики состоят из доменов – областей с различ-
ными направлениями поляризованности. Так как в смежных доменах эти направ-
ления различны, то в целом дипольный момент диэлектрика равен нулю. При вне-
сении сегнетоэлектрика во внешнее поле происходит переориентация дипольных
моментов доменов по полю, а возникающее при этом суммарное электрическое поле доменов будет поддерживать их некоторую ориентацию и после пре-
кращения действия внешнего поля. Поэтому сегнетоэлектрики имеют аномально большое значение диэлектрической проницаемости ε >>1.
Сегнетоэлектрические свойства сильно зависят от температуры. Для каж-
дого сегнетоэлектрика имеется определенная температура, выше которой его не-
обычные свойства исчезают и он становится обычным диэлектриком. Эта темпе-
ратура называется точкой Кюри. Как правильно, сегнетоэлектрики имеют только одну точку Кюри; исключения составляют лишь сегнетовая соль (–18 °C и +24°С)
и изоморфные с ней соединения. В сегнетоэлектриках вблизи точки Кюри на-
блюдается также резкое возрастание теплоемкости вещества. Превращение сегне-
тоэлектриков в обычный диэлектрик, происходящее в точки Кюри, сопровожда-
ется фазовым переходом II рода.
Диэлектрическая проницаемость ε, а следовательно и диэлектрическая вос-
приимчивость сегнетоэлектриков зависит от напряженности поля E в веще-
стве, а для других диэлектриков эти величины являются характеристиками веще-
ства.
Для сегнетоэлектриков связь между векторами P и E нелинейная и зависит от значений E в предшествую-
щие моменты времени. В сегнетоэлектриках, как показано на рисунке, наблюдается явление электрического гистере-
зиса, где Po – остаточная поляризованность, Ec – коэрци-
тивная сила.
§ 71
Проводники в электрическом поле
Напряженность поля во всех точках внутри проводника равна нулю E = 0 и
ϕ = const , т.е. поверхность проводника является эквипотенциальной. Следова-
тельно, вектор E на внешней поверхности проводника направлен по нормали к
каждой точке его поверхности. Если проводнику сообщать некоторый заряд q , то нескомпенсированные заряды располагаются только на по-
верхности проводника, что непосредственно следует из теоремы Гаусса
R
q = ∫DdS = ∫DndS,
SS
так как во всех точках внутри поверхности
D = 0 .
Найдем взаимосвязанность между E вблизи поверхности заряженного про-
водника и поверхностной плотностью σ заряда на его поверхности. По теореме
Гаусса D S = q = σ S , т.е.
D = σ |
(71.1) |
||
или |
|
||
E = |
σ |
. |
(71.2) |
|
|||
|
εε0 |
|
|
Таким образом, |
E у поверхности проводника определяется поверхностной |
||
плотностью заряда σ. |
|
||
Если проводник поместить во внешнее элек-
тростатическое поле, вследствие движения зарядов внутри проводника, возникает индуцированный
заряд. Причем, процесс разделения зарядов будет проходить до тех пор, пока по-
ле внутри проводника не станет равным нулю E = 0 . Таким образом, нейтраль-
ный проводник, внесенный в электростатическое поле, разрывает часть линий напряженности, они заканчиваются на отрицательных индуцированных зарядах и вновь начинаются на положительных, которые расположены на поверхности про-
водника.
Явление перераспределения поверхностных зарядов на проводнике во внешнем электростатическом поле называется электростатической индукцией.
Индуцированные заряды появляются на проводнике вследствие смещения их под действием поля, т.е. σ является поверхностной плотностью смещенных зарядов.
По формуле (71.1) электростатическое смещение D вблизи проводника численно равно поверхностной плотности смещенных зарядов. Поэтому вектор D получил название вектора электростатического смещения.
Так как в состоянии равновесия внутри проводника заряды отсутствуют, то созданные внутри него полости не повлияют на конфигурацию расположения за-
рядов и тем самым на электростатическое поле. На этом основана электростати-
ческая защита – экранирование тел от влияния внешних электрических полей.
§ 72
Электрическая емкость уединенного проводника
Заряд уединенного проводника равен q = Cϕ, откуда величина
C = q ϕ |
(72.1) |
называется электроемкость проводника. Размерность емкости
[C]= Φ .
Определим емкость шара радиуса R . Потенциал уединенного шара равен
j = |
1 |
|
|
q |
. |
|
4pe |
|
|
|
|||
|
0 eR |
|
||||
Используя выражение (72.1), получим, что емкость шара равна |
|
|||||
C = 4πε |
0εR. |
(72.2) |
||||
Из (72.2) |
следует, что емкостью C =1 Ф в вакууме обладает шар |
радиусом |
||||
R = 9 ×106 км . Для Земли емкость равна C = 0,7 мФ.
§ 73
Конденсаторы
В зависимости от формы обкладок конденсаторы делятся на плоские, ци-
линдрические и сферические.
