Обозначения полевых транзисторов
|
Наименование |
Обозначение |
|
1 |
2 |
|
Транзистор полевой с каналом n-типа
|
|
|
Транзистор полевой с каналом p-типа
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором: обогащенного типа с р-каналом |
|
|
обогащенного типа с n-каналом
|
|
|
обедненного типа с р-каналом
|
|
|
обедненного типа с n-каналом
|
|
Окончание табл.П8.2
|
1 |
2 |
|
Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом с выводом от подложки |
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом с внутренним соединением истока и с выводом от подложки |
|
|
Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с n-каналом и с выводом от подложки |
|
П р и м е ч а н и е. Допускается изображать корпус транзисторов окружностью.
2. Примеры вычерчивания полупроводниковых диодов и тиристоров
Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов и тиристоров приведены в табл. П8.3.
Таблица П8.3
Вычерчивание полупроводниковых диодов и тиристоров
|
Наименование |
Обозначение |
|
Диод
|
|
|
Диод туннельный
|
|
|
Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный): односторонний |
|
|
двусторонний
|
|
|
Варикап
|
|
|
Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
|
|
|
Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду
|
|
|
Тиристор триодный запираемый с управлением по катоду
|
|
|
Диод Шоттки
|
|
Геометрические формы изображений полупроводниковых приборов
Все геометрические элементы условных графических обозначений выполняют линиями той же толщины, что и линии электрической связи. Геометрические формы обозначений, их относительные и абсолютные размеры должны соответствовать приведенным в табл. П8.4.
Таблица П8.4
Формы изображений полупроводниковых приборов
|
Наименование |
Обозначение |
Размеры | ||||||||||||
|
1 |
2 |
3 | ||||||||||||
|
Эмиттер p-n-p-транзистора
|
|
| ||||||||||||
|
Транзистор типа p-n-p
|
600
D |
A = 3D/4/ | ||||||||||||
|
Транзистор многоэмиттерный типа n-p-n
|
|
| ||||||||||||
|
Транзистор полевой
|
a b D |
| ||||||||||||
|
Транзистор полевой с изолированным затвором обедненного типа с р-каналом
|
1,5 a
D
|
| ||||||||||||
|
Транзистор полевой с внутренним соединением истока и подложки (обогащенный тип n-канала)
|
a
|
|
300
3
A 
a
b
Окончание табл. П8.4
|
1 |
2 |
3 | |||||||||
|
Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа, с n-каналом и с выводом от подложки
|
|
| |||||||||
|
Диод
|
600 a
|
| |||||||||
|
Динистор
|
b/2 |
| |||||||||
|
Диод туннельный
|
d |
| |||||||||
|
Тиристор
|
3
b |
|
1
00