Окончание прил. 4
|
1 |
2 |
|
2.725–68 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Устройства коммутирующие |
|
2.727–68 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Разрядники. Предохранители |
|
2.728–74 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Резисторы, конденсаторы |
|
2.729–68 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Приборы электроизмерительные |
|
2.730–73 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые |
|
2.731–81 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Приборы электровакуумные |
|
2.736–68 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Элементы пьезоэлектрические и магнитострикционные. Линии задержки |
|
2.737–68 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Устройства связи |
|
2.741–68 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Акусти-ческие приборы |
|
2.743–91 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Элементы цифровой техники |
|
2.745–91 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Электронагреватели, устройства и установки электротермические |
|
2.755–87 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Устройства коммутационные и контактные соединения |
|
2.758–81 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Сигнальная техника |
|
2.759–82 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Элементы аналоговой техники |
|
2.766–88 ЕСКД |
Обозначения условные графические в схемах. Системы передачи информации с временным разделением каналов |
Приложение 8 обозначения условные графические на схемах Примеры вычерчивания дискретных транзисторов
ГОСТ 2.730-73 устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом, во всех отраслях промышленности.
Примеры построения обозначений транзисторов с p-n-переходами приведены в табл. П8.1.
Таблица П8.1
Вычерчивание дискретных транзисторов
|
Наименование |
Обозначение |
|
Транзистор типа p-n-p
|
|
|
Транзистор типа n-p-n с коллектором, электрически соединенным с корпусом
|
|
|
Транзистор лавинный типа n-p-n
|
|
|
Транзистор однопереходный с n-базой
|
|
|
Однопереходный транзистор с p-базой
|
|
|
Многоэмиттерный транзистор n-p-n
|
|
П р и м е ч а н и я. Для упрощения графиков схемы допускается:
1. Выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, изображать транзистор так, как это показано на рис.П8.1 или П8.2.
Рис.П8.1. Изображение Рис.П8.2. Вычерчивание транзистора
транзистора в зеркальном изображении
2. Выполнять обозначения с окружностью (или овалом). Например, можно вычерчивать транзистор либо так, как показано на рис. П8.3, либо так, как показано на рис. П8.4.
Рис.П8.3. Вычерчивание Рис. П8.4. Вычерчивание транзистора
транзистора без окружности
3. Проводить линию электрической связи от эмиттера или коллектора в одном из двух направлений – перпендикулярно или параллельно линии вывода базы.
Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. П8.2.
Таблица П8.2