2.11. Бағлау саясаты Емтиханда студент білімінің деңгейі ұпаймен бағаланады.

	Емтихан бағасы	балл бойынша бағасы ( %) ұпай
1.	3 (қанағаттанарлық)	20/29
2.	4 (жақсы)	30/35
3.	5 (жақсы)	36/40

Студенттердің білімін бағалау шкаласы

Бағаның әріптік жүйесі	Сандық эквиваленті	Ұпайдың пайыздық мөлшері	Дәстүрлі жүйдегі баға
А	4,00	95-100	өте жақсы
А-	3,67	90-94
В+	3,33	85-89	жақсы
В	3,00	80-84
В-	2,67	75-79
С+	2,33	70-74	қанағаттанарлық
С	2,00	65-69
С-	1,67	60-64
D+	1,33	55-59
D	1,00	50-54
F	0	0-49	қанағаттанарлықсыз

3 Дәрістерге қысқаша шолу

1 Дәріс. Электроника және аналогты құрылғылар схемотехникасы пәнінің мақсаты мен мәні.

Қарастырылатын сұрақтар:

1. Электроника және аналогты құрылғылар схематехникасы пәнінің мақсаты мен мәні.

2. Жартылай өткізгіш материалдарының электр өткізгіштігі және олардың түрлері.

3. Электронды және кемтікті жартылай өткізгіш өтпесінің пайда болуы (p-n - өтпесі).

Негізгі әдебиет:

1. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и МПТ: Учебник для вузов - М.: Высш. шк., 2005. - 799 с.

2. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие - Ростов н/Д: Феникс, 2005.-704 с.

Қосымша әдебиет:

1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для ВУЗов. - М.: Высшая школа, 1982.

Электроника – ғылым және техниканың бір саласы болып, ол төмендегі бөлімдерді үйретеді:

1) физикалық электроника - электровакуумды және жартылай өткізгішті құрылғылардағы физикалық құбылыстарды зерттейді;

2) техникалық электроника - электровакуумды және жартылай өткізгішті құрылғылардың электр сипаттамалары мен параметрлерін зерттейді;

3) электровакуумды және жартылай өткізгішті құрылғыларда қолданатын жүйелер мен аспаптардың қасиеттерін үйретеді.

Радиоэлектроника техникалық электрониканың бір саласы болып, өндірісте электрон аспаптары мен құрылғыларының қолданылуын, сол аспаптар арқылы оны қадағалау, өлшеу және басқару түрлерін қарап шығады

Радиоэлектроника ақпаратты электроника, энергетикалық электроника және электрондық технология болып үш салаға бөлінеді.

Жартылай өткізгіш құрылғылардың өлшемдері кіші, сенімділігі жоғары, энергияны аз жұмсайды және арзан.

Жартылай өткізгіш аспаптардың түрлері қазіргі кезде көп кездеседі. Оларды жасауда Менделеев элементінің IV топ элементтері кремний, германий және селен қолданылады. Атомдарда электрондардың белгілі бір энергетикалық деңгейлерде ядроны айнала қозғалып жүретіні белгілі.

Ең сыртқы энергетиканың деңгейдегі валенттік электрондар деп аталатын электрондар ядромен және өзінің атомымен әлсіз байланыста болады. Атомдар кристалл түзген кезде осы валенттік электрондар көршілес атомдардың әсерінен ығысып оларға ортақ энергетикалық деңгейлерді қамтитын энергетикалық аймақтарда қозғалып жүреді. Ал атом сырттан энергия қабылдаса, онда валенттік электрондардың энергиясы артып, атомдарға ортақ аймақтағы жоғары энергетикалық деңгейлерге өтеді. Бұл кезде заряд тасымалданады, яғни денеде электр тогы жүреді.

Өткізгіштікті арттыру мақсатында VI топ элементтеріне, V немесе III топ элеметтерін қоссақ, онда n-типті немесе p-типті жартылай өткізгіш пайда болады. n – түрлі жартылай өткізгіш электрон артық болып - донорлық қоспа деп аталады. р - түрлі жартылай өткізгіш кемтік артық болып акцепторлы қоспа пайда болады.

Электронды (n-түрлі) және (p-түрлі) екі жартылай өткізгіштің кристалдарын алып, беттерін тегістеп бір-бірімен түйістірейік. Электронды-кемтікті р-n - өтпе деп жартылай өткізгішті кристаллдың екі бетінің арасындағы жұқа қабатты атайды. Оның бірі электронды өткізгіштікке (n - аймақ), ал екіншісі кемтікті өткізгіштікке (р - аймақ) ие болады.

+ -

+ +

+

-

+ -

Кемтіктер Иондар Электрондар

p E_Б n

+ +

+ +

+ +

+ +

∆φ_к

d

φ_d

1. – сурет р-n өтпенің бірден пайда болуы және

ондағы көлемдік зарядтың пайда болуы

Түйіспе аумағында дифузиялық ток жүріп электрондар мен кемтіктер рекомбинацияланады. n - түрлі жартылай өткізгіште оң иондар, ал p- түрлі жартылай өткізгіште теріс иондар қалады. Осы себетті n-түрден р-түрге бағытталған электр өрісі Е_б пайда болады. Бұл өріс диффузиялық токты әлсіретеді. Сондықтан бұл өріс - бөгеттік өріс деп аталады, ал d -бөгеттік қабат деп аталады. Бұл өрістің кернеулігі көлемдік заряд мәнінің бірден өзгеріп тұрушы бөліну аймағында максимал болады. р-n өтпенің потенциалдық барьері биіктігі n- және р-аймағының контакт потенциалдар айырымымен анықталады. Контакт потенциалдар айырымы осы аймақтағы араласпа концентрациясына байланысты:

(1)

мұндағы: - жылу потенциалы,N_n және P_n – электрондар және кемтіктер концентарциялары, n_i – легирленбеген жартылай өткізгіштегі ток тасымалдаушылар концентрациясы. Бөгеттік өрісі негізгі емес ток заряд тасымалдаушыларды әрекетке алып келеді. Негізгі емес ток тасымалдаушылардың түзетін тогы дрейф тогы деп аталады. Дрейф тогы диффузия тогының бағыты қарама-қарсы, ал шамалары бірдей. Себебі сыртқы тізбек болмағаны үшін түйіспе арқылы заряд тасымал-даушылардың бір бағытта ғана қозғалуы мүмкін емес. Диффузиялық ток пен дрейфтік ток түйіспелік потенциалдар айырымының белгілі бір мәнінде теңеседі.

Міне осындай p және n - түрлі екі жартылай өткізгіштің түйіспесін р-n өтпесі деп атайды.

Диффузия тоғы потенциал барьердің биіктігіне байланысты болып, оның кемеюімен токтың мәні экспоненциалды заңдылық бойынша артады:

(2)

мұндағы: U - p-n- өтпенің кернеуі. I_S – қанығу тоғы.

Тура ток диффузия тоғынан басқа кері бағытта ағып өтуші өткізгіш тоғына да ие болады, сондықтан p-n - өтпенің тура бағытындағы толық тоғы диффузия тоғы мен өткізгіштік тогы айырмасына тең болады:

(3)