лабы / по транзисторам / лабораторнаработа №2(оконч верси

Пермский Государственный Технический Университет

Электротехнический факультет

Кафедра АТ

Физические основы микроэлектроники.

Лабораторная работа №2.

Исследование полупроводниковых триодов.

Работу выполнил: студент гр. АТПП – 01 – 2

Краснянский А.А.

Проверил:

Преподаватель Южаков А.А.

Пермь 2003

Цель работы: получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров транзистора по полученным экспериментальным входным и выходным характеристикам.

Инструментарий:

На стойке: измерительный прибор вольтметр В-22; источник питания

Лабораторный стенд для изучения транзисторов, транзистор МП26Б или аналогичный, соединительные провода.

1. Схема с общим эмиттером:

vT – МП26Б

Снимем семейство выходных статических характеристик и запишем значения в таблицу:

, В	, мА
		мА	мА	мА	мА
0,5	0,058	1,32	2,77	4,17	5,68
2	0,068	1,38	2,85	4,35	5,89
4	0,074	1,49	3,13	4,65	6,40
6	0,082	1,53	3,32	4,90	6,76
8	0,098	1,69	3,38	5,18	7,10
10	0,124	1,84	3,66	5,57	7,54

Снимем входные статические характеристики и запишем значения в таблицу:

		В
, мА	, В	, мА	, В
0	0	0	0,060
0,05	0,066	0,05	0,147
0,1	0,100	0,1	0,177
0,15	0,116	0,15	0,194
0,2	0,130	0,2	0,206

2. Схема с общей базой:

vT – МП26Б

Снимем семейство выходных статических характеристик и запишем значения в таблицу:

, В	, мА
		мА	мА	мА	мА	мА
0,5	0	1,93	3,83	3,73	7,67	9,57
2	0	1,93	3,84	3,76	7,67	9,59
4	0	1,93	3,84	3,77	7,69	9,61
6	0	1,93	3,85	3,78	7,70	9,63
8	0	1,93	3,86	3,79	7,71	9,65
10	0	1,93	3,87	3,80	7,72	9,67

Снимем входные статические характеристики и запишем значения в таблицу:

		В
, мА	, мВ	, мА	, мВ
0	0	0	-0,020
2	0,160	2	0,154
4	0,188	4	0,180
6	0,208	6	0,197
8	0,223	8	0,209
10	0,237	10	0,220

3. Расчёт Н-параметров.

Необходимо рассчитать все Н-параметры в схеме с общим эмиттером при , .

В справочнике , т. е. результаты вычислений, согласуются со справочными данными.

Вывод:

В лабораторной работе были сняты статические входные и выходные характеристики транзистора МП26Б в схемах с общим эмиттером и общей базой, а также были рассчитаны Н-параметры для схемы с общим эмиттером. Данный транзистор является сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным, чаще он используется для усиления сигналов низкой частоты.

Для схемы с общим эмиттером входные статические характеристики смещены вниз при , так как напряжение приложено к двум p-n – переходам. Таким образом, результаты опытов согласуются с теорией.

Для схемы с общей базой при входная характеристика – обычная ВАХ p-n – перехода. При в запирающем режиме протекающий по объёмному сопротивлению базы ток создаёт падение напряжения, которое открывает эмиттерный переход. В итоге даже при ток эмиттера не равен нулю, что отражено на входной статической характеристике для схемы с общей базой.

Список используемой литературы:

1. Бобров И. И., Кропачев Г. В., «Физические основы микроэлектроники». – Пермь: ПГТУ, 1995 г.

2. Забродин Ю. С., «Промышленная электроника». – Москва: Высшая школа, 1982 г.

4