лабы / по транзисторам / lab2_a

ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Автоматики и телемеханики

Лабораторная работа

Тема: Исследование полупроводниковых триодов.

выполнил: студент группы КТЭИ-98-1

Вандиншин А.Н.

проверил: доцент кафедры АТ

Бобров И.И.

Пермь 2000

Цель работы: получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем ОЭ и ОБ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным данным.

1. Схема ОЭ.

R_б=1 кОм

VT – МП25Б

Выходные статические характеристики схемы ОЭ. Таблица 1

Uкэ, В	Iк, мА
	Iб=0 мА	Iб=0,25 мА	Iб=0,5 мА	Iб=0,75 мА	Iб=1 мА
0	0,00	0,05	0,05	0,05	0,05
0,5	0,06	4,01	8,60	12,80	17,10
2	0,07	4,46	9,19	13,60	18,25
4	0,08	4,72	10,02	14,87	20,20
6	0,09	5,03	10,79	16,10	22,10
8	0,10	5,40	11,50	17,20	23,90
10	0,11	5,60	12,20	18,50	25,80

Входные статические характеристики схемы ОЭ. Таблица 2

Uк=0 В		Uк= -5 В
Iб, мА	Uбэ, В	Iб, мА	Uбэ, В
0	0,00	0	0,06
0,25	0,13	0,25	0,19
0,5	0,16	0,5	0,23
0,75	0,18	0,75	0,25
1	0,20	1	0,26

По полученным данным построим вольтамперные характеристики:

В соответствии с ВАХ рассчитаем коэффициент усиления тока базы :

По справочным данным =1580.

Следовательно, рассчитанный коэффициент усиления тока базы  соответствует справочным данным.

2. Схема ОБ

R_э=1 кОм

VT – МП25Б

Выходные статические характеристики схемы ОБ. Таблица 3

Uкб, В	Iк, мА
	Iэ=0 мА	Iэ=2 мА	Iэ=4 мА	Iэ=6 мА	Iэ=8 мА	Iэ=10 мА
0	0,00	1,28	2,46	3,40	4,25	5,06
0,5	0,03	1,60	3,51	5,39	7,20	9,06
2	0,06	1,62	3,53	5,41	7,22	9,09
4	0,07	1,63	3,54	5,42	7,25	9,15
6	0,08	1,63	3,57	5,44	7,27	9,16
8	0,09	1,65	3,58	5,44	7,31	9,18
10	0,10	1,66	3,59	5,45	7,33	9,19

Входные статические характеристики схемы ОБ. Таблица 4

Uкб=0 В		Uкб= -5 В
Iэ, мА	Uэб, В	Iэ, мА	Uэб, В
0	0,06	0	0,00
0,5	0,13	0,5	0,10
2	0,18	2	0,15
4	0,22	4	0,17
6	0,25	6	0,19
8	0,28	8	0,21
10	0,31	10	0,22

По полученным данным построим вольтамперные характеристики:

Рассчитаем коэффициент передачи тока :

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП25Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсаль-ным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

По практическим данным мы получили параметры ,  которые входят в пределы указанные в паспортных данных.

Список использованной литературы:

1. Бобров И.И., Кропачев Г.В. «Физические основы микроэлектроники». – Пермь: ПГТУ, 1995;

2. Бобров И.И. «Управляемые и неуправляемые преобразователи». – Пермь: ППИ, 1973;

3. Бобров И.И. «Основы промышленной электроники». – Пермь: ППИ, 1971;

4. Забродин Ю.С. «Промышленная электроника». – Москва: Высшая школа, 1982;