лабы / по транзисторам / лаба2
.docПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
КАФЕДРА АТ
Лабораторная работа № 2.
“Исследование полупроводниковых триодов.”
Выполнил: студент гр. КТЭИ 99-2 Баяндин Э.И.
Проверил: преподаватель Бобров И.И.
Пермь, 2001
Лабораторная работа № 2.
“Исследование полупроводниковых триодов.”
Цель работы: получение опытным путем входных и выходных статических характеристик для схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам.
Схема для снятия статических входных и выходных характеристик (ОЭ).
Схема для снятия статических входных и выходных характеристик (ОБ).
Таблицы с результатами эксперимента.
Cхема с общим эмиттером:
|
Uк-э, В |
Ik, мА |
|||||
|
Iб=0 |
Iб=0,3 |
Iб=0,6 |
Iб=0,9 |
Iб=1,2 |
Iб=1,5 |
|
|
0 |
0,01 |
0,01 |
0,01 |
0,01 |
0,01 |
0,01 |
|
0,5 |
0,06 |
5,29 |
8,96 |
12,14 |
14,92 |
17,24 |
|
2 |
0,06 |
5,55 |
9,51 |
12,79 |
15,65 |
18,13 |
|
4 |
0,06 |
5,79 |
9,96 |
13,32 |
16,30 |
18,84 |
|
6 |
0,07 |
6,07 |
10,4 |
13,86 |
16,88 |
19,45 |
|
8 |
0,07 |
6,35 |
10,8 |
14,36 |
17,47 |
20 |
|
10 |
0,07 |
6,64 |
11,29 |
14,97 |
18,07 |
20 |
|
Uk=0 B |
Uk=-5 B |
||
|
Iб, мА |
Uбэ, B |
Iб, мА |
Uбэ, B |
|
0 |
0,04 |
0 |
0,06 |
|
0,3 |
0,15 |
0,3 |
0,23 |
|
0,6 |
0,18 |
0,6 |
0,27 |
|
0,9 |
0,20 |
0,9 |
0,29 |
|
1,2 |
0,21 |
1,2 |
0,31 |
|
1,5 |
0,23 |
1,5 |
0,32 |
Схема с общей базой:
|
Uб-э, |
Ik, мА |
|||||
B |
Iэ=0 |
Iэ=2 |
Iэ=4 |
Iэ=6 |
Iэ=8 |
Iэ=10 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
0,5 |
0 |
2,1 |
4,0 |
6,0 |
8,0 |
9,9 |
|
2 |
0 |
2,1 |
4,0 |
6,0 |
8,0 |
9,9 |
|
4 |
0 |
2,1 |
4,1 |
6,0 |
8,0 |
10,0 |
|
6 |
0 |
2,1 |
4,1 |
6,0 |
8,0 |
10,0 |
|
8 |
0 |
2,1 |
4,1 |
6,0 |
8,0 |
10,0 |
|
10 |
0 |
2,1 |
4,1 |
6,0 |
8,0 |
10,0 |
|
Uкб=0, B |
Uкб=5, B |
||
|
Iэ, мА |
Uэб, B |
Iэ, мА |
Uэб, B |
|
0 |
0 |
0 |
0,02 |
|
2 |
0,18 |
2 |
0,15 |
|
4 |
0,21 |
4 |
0,18 |
|
6 |
0,23 |
6 |
0,20 |
|
8 |
0,25 |
8 |
0,21 |
|
10 |
0,26 |
10 |
0,22 |
Выходные характеристики ОЭ:
Входные характеристики ОЭ:
Выходные характеристики ОБ:
Входные характеристики ОБ:
В соответствии с ВАХ рассчитаем h – параметры транзистора:
|
h11э= |
U1 |
U2=const= |
0,18-0,15 |
=100 Ом |
|
I1 |
(0,6-0,3) 10-3 |
|
h12э= |
U1 |
I1=const= |
0,23-0,15 |
=0,016 |
|
U2 |
5-0 |
|
h21э= |
I2 |
U2=const= |
(14,36-10,8) 10-3 |
=11,87= |
|
I1 |
(0,9-0,6) 10-3 |
|
h22э= |
I2 |
I1=const= |
10,8-10,4 |
=0,2 Сименс |
|
U2 |
8-6 |
rk=1/ h22э=5
|
h11б= |
U1 |
U2=const= |
Uэб |
Uкб=const= |
0,21-0,18 |
=15 Ом |
|
I1 |
Iэ |
(4-2) 10-3 |
|
h12б= |
U1 |
I1=const= |
Uэб |
Iэ=const= |
0,18-0,15 |
=0,006 |
|
U2 |
Uкб |
5-0 |
|
h21б= |
I2 |
U2=const= |
Iк |
Uкб=const= |
(10-8) 10-3 |
=1 = |
|
I1 |
Iэ |
(10-8) 10-3 |
|
h22б= |
I2 |
I1=const= |
Iк |
Iэ=const= |
(8-8) 10-3 |
=0 Сименс |
|
U2 |
Uкб |
8-6 |
rk=1/ h22б=
Вывод:
В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор со схемами включения ОЭ и ОБ.
Данный транзистор с p – n – p переходом.
Транзисторы предназначены для усиления и переключения низкочастотных сигналов.
В данной работе он используется для усиления низкочастотных сигналов.
По практичкским данным мы получили параметры ,,rk,rk; которые являются допустимыми значениями.
Литература
-
Бобров И.И. «Курс лекций по электронике».
-
Бобров И.И. и др. «Методические указания к лабораторным работам».
-
Бобров И.И. , Кропачев Г.В. «Физические основы микроэлектроники».