лабы / по транзисторам / ika

ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Автоматики и телемеханики

Лабораторная работа № 2

Тема: Исследование полупроводниковых триодов.

Выполнил: студент группы АТ-00-1 Шитикова И. Г.

Проверил: доцент кафедры АТ Заневский Э. С.

.

Пермь 2000

Цель работы: получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем ОЭ и ОБ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным данным.

1. Схема ОЭ.

R_б=1 кОм

VT – МП25Б

Выходные статические характеристики:

Uкэ,B	Iк, mA
	Iб=0	Iб=0,05	Iб=0,1	Iб=0,15	Iб=0,2
0	0	0	0	0	0
0,5	0,05	0,63	1,29	1,91	2,44
2	0,07	0,69	1,43	2,21	3
4	0,08	0,73	1,52	2,35	3,17
6	0,09	0,77	1,58	2,45	3,33
8	0,1	0,8	1,65	2,55	3,45
1	0,11	0,84	1,73	2,55	3,57

Входные статические характеристики :

Uк=0B		Uк=-5B
Uбэ,B	Iб, mA	Uбэ,B	Iб, mA
0	0	0,058	0
0,05	0,062	0,123	0,05
0,092	0,1	0,151	0,1
0,108	0,15	0,169	0,15
0,12	0,2	0,183	0,2

По полученным данным построим вольтамперные характеристики:

В соответствии с ВАХ рассчитаем коэффициент усиления тока базы :

По справочным данным =1580.

Следовательно, рассчитанный коэффициент усиления тока базы  соответствует справочным данным.

2. Схема ОБ

R_э=1 кОм

VT – МП25Б

Выходные статические характеристики:

Uкб,B	Iк, mA
	Iб=0	Iб=2	Iб=4	Iб=6	Iб=8	Iб=10
0	0	1,05	2,42	3,52	4,95	6,3
0,5	0,004	1,32	2,66	3,99	5,33	6,65
2	0,0043	1,33	2,69	4,04	5,39	6,74
4	0,0048	1,35	2,73	4,09	5,45	6,82
6	0,0057	1,37	2,75	4,14	5,51	6,9
8	0,0063	1,39	2,79	4,18	5,58	6,95
10	0,0064	1,4	2,8	4,2	5,6	7,03

Входные характеристики:

Uк=0B		Uк=-5B
Uбэ,B	Iб, mA	Uбэ,B	Iб, mA
0,001	0	0,026	0
0,243	2	0,168	2
0,314	4	0,209	4
0,364	6	0,239	6
0,403	8	0,264	8
0,435	10	0,285	10

По полученным данным построим вольтамперные характеристики:

H-парметры:

Схема общий эмиттер:

UK=5B

IБ=0,15mA

UK=4B

IБ=0,1mA

Схема общая база:

UK=5B

IЭ=8mA

UK=4B

IЭ=6mA

Рассчитаем коэффициент передачи тока :

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП25Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

По практическим данным мы получили параметры ,  которые входят в пределы указанные в паспортных данных.

1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства (может усиливать более высокие частоты). Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.

2) Схема ОК не имеет усиления по напряжению, имеет огромное входное сопротивление и очень малое выходное, и используется как согласующий усилитель, который может согласовать высокоомное выходное сопротивление усилителя ОБ, ОЭ с низкоомным сопротивлением нагрузки.

3) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем трем параметрам. Но очень плохие частотные свойства: V-предельная меньше в 10-100 раз, сложно использовать на высоких частотах, очень сильно зависит от температуры (характеристики и параметры).

B таком усилителе ставится схема температурной стабилизации, несмотря на недостатки, это основная схема в усилителях и электронных ключах.