лабы / по транзисторам / 1
.docПермский Государственный Технический Университет
Кафедра Автоматики и телемеханики
Лабораторная работа №2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ
Выполнил: ст. гр. АТ 99-2
Марьин Д.В.
Проверил: Заневский Э.С.
Пермь 2001.
Цель работы: получение опытным путем входных и выходных статических характеристик для схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам.
Схема Общий Эммитер:
Выходные статические характеристики:
Uкэ,B |
Iк, mA |
||||
Iб=0 |
Iб=0,05 |
Iб=0,1 |
Iб=0,15 |
Iб=0,2 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
0,05 |
0,63 |
1,29 |
1,91 |
2,44 |
2 |
0,07 |
0,69 |
1,43 |
2,21 |
3 |
4 |
0,08 |
0,73 |
1,52 |
2,35 |
3,17 |
6 |
0,09 |
0,77 |
1,58 |
2,45 |
3,33 |
8 |
0,1 |
0,8 |
1,65 |
2,55 |
3,45 |
1 |
0,11 |
0,84 |
1,73 |
2,55 |
3,57 |
Входные статические характеристики :
Uк=0B |
Uк=-5B |
||
Uбэ,B |
Iб, mA |
Uбэ,B |
Iб, mA |
0 |
0 |
0,058 |
0 |
0,05 |
0,062 |
0,123 |
0,05 |
0,092 |
0,1 |
0,151 |
0,1 |
0,108 |
0,15 |
0,169 |
0,15 |
0,12 |
0,2 |
0,183 |
0,2 |
Схема Общая База:
Выходные статические характеристики:
Uкб,B |
Iк, mA |
|||||
Iб=0 |
Iб=2 |
Iб=4 |
Iб=6 |
Iб=8 |
Iб=10 |
|
0 |
0 |
1,05 |
2,42 |
3,52 |
4,95 |
6,3 |
0,5 |
0,004 |
1,32 |
2,66 |
3,99 |
5,33 |
6,65 |
2 |
0,0043 |
1,33 |
2,69 |
4,04 |
5,39 |
6,74 |
4 |
0,0048 |
1,35 |
2,73 |
4,09 |
5,45 |
6,82 |
6 |
0,0057 |
1,37 |
2,75 |
4,14 |
5,51 |
6,9 |
8 |
0,0063 |
1,39 |
2,79 |
4,18 |
5,58 |
6,95 |
10 |
0,0064 |
1,4 |
2,8 |
4,2 |
5,6 |
7,03 |
Входные характеристики:
Uк=0B |
Uк=-5B |
||
Uбэ,B |
Iб, mA |
Uбэ,B |
Iб, mA |
0,001 |
0 |
0,026 |
0 |
0,243 |
2 |
0,168 |
2 |
0,314 |
4 |
0,209 |
4 |
0,364 |
6 |
0,239 |
6 |
0,403 |
8 |
0,264 |
8 |
0,435 |
10 |
0,285 |
10 |
H-парметры:
Схема общий эмиттер:
UK=5B
IБ=0,15mA
UK=4B
IБ=0,1mA
Схема общая база:
UK=5B
IЭ=8mA
UK=4B
IЭ=6mA
Вывод:
1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства (может усиливать более высокие частоты).Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.
2) Схема ОК не имеет усиления по напряжению, имеет огромное входное сопротивление и очень малое выходное, и используется как согласующий усилитель, который может согласовать высокоомное выходное сопротивление усилителя ОБ, ОЭ с низкоомным сопротивлением нагрузки.
3) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем трем параметрам. Но очень плохие частотные свойства: V-предельная меньше в 10-100 раз, сложно использовать на высоких частотах, очень сильно зависит от температуры (характеристики и параметры).
B таком усилителе ставится схема температурной стабилизации, несмотря на недостатки, это основная схема в усилителях и электронных ключах.