- •ОГЛАВЛЕНИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •ЛЕКЦИЯ 1. ПРЕДМЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
- •1.1. Введение.
- •1.2. Краткая история развития электроники.
- •ЛЕКЦИЯ 2. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
- •2.1. Введение.
- •2.3. Обратная решетка.
- •2.6. Зоны Бриллюэна.
- •2.7. Плотность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия.
- •ЛЕКЦИЯ 3. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ВЕРДЫХ ТЕЛ
- •3.1. Электропроводность твердых тел.
- •3.2. Электропроводность металлов и диэлектриков.
- •3.5. Диффузия носителей заряда в полупроводниках.
- •ЛЕКЦИЯ 4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
- •ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
- •5.1. Разновидности полупроводниковых диодов.
- •5.2. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
- •5.5. Стабилитроны: характеристики, параметры, применение.
- •ЛЕКЦИЯ 6. СТРУКТУРА И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
- •6.1. Биполярные транзисторы.
- •6.2. Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, ОК). Статические ВАХ и параметры для основных схем включения.
- •ЛЕКЦИЯ 7. АКТИВНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •ЛЕКЦИЯ 8. КЛАССЫ УСИЛЕНИЯ
- •8.1. Понятие о классах усиления.
- •ЛЕКЦИЯ 9. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ УСЛОВИЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БТ
- •ЛЕКЦИЯ 10. ИСТОЧНИКИ ШУМОВ В БТ. МОДЕЛИ БТ
- •10.1. Источники собственных шумов в БТ.
- •ЛЕКЦИЯ 11. ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
- •11.1. Структура и принцип действия тиристоров и симисторов. Характеристики и параметры.
- •ЛЕКЦИЯ 12. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- •ЛЕКЦИЯ 13. МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
- •13.1. Структура и принцип действия МОП-транзистора.
- •ЛЕКЦИЯ 14. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •14.1. Основные схемы включения ПТ.
- •ЛЕКЦИЯ 15. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •ЛЕКЦИЯ 16. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
- •16.1. Излучательная генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках под действием излучения.
- •16.2. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение.
- •ЛЕКЦИЯ 17. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
- •17.1. Гетеропереходы. Зонная модель и инжекционные свойства гетеропереходов.
- •ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •18.2. Технология полупроводниковых интегральных схем.
- •18.4. Эпитаксия.
- •18.5. Термическое окисление.
- •18.6. Легирование.
- •18.7. Травление.
- •ЛЕКЦИЯ 19. ПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •19.1. Нанесение тонких пленок.
- •19.2. Металлизация.
- •ЛЕКЦИЯ 20. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •20.1. Элементы интегральных схем.
- •ЛЕКЦИЯ 21. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (ОКОНЧАНИЕ)
- •21.1. Интегральные диоды.
- •21.3. МОП-транзисторы.
- •ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •ЛЕКЦИЯ 23. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •23.1. Базовые логические элементы цифровых ИС на биполярных и полевых транзисторах.
- •ЛЕКЦИЯ 24. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ И ОСНОВЫ ИХ РАБОТЫ
- •24.1. Классификация электровакуумных приборов.
- •ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
- •25.1. Приборы на основе автоэлектронной эмиссии.
- •ЛЕКЦИЯ 26. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ. НАНОЭЛЕКТРОНИКА – НОВЫЙ ИСТОРИЧЕСКИЙ ЭТАП РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
- •26.1. Перспективы развития электроники.
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
П л а н л е к ц и и
25.1. Приборы на основе автоэлектронной эмиссии.
25.2. Практическое применение автоэлектронной эмиссии.
25.1. Приборынаосновеавтоэлектроннойэмиссии.
Как отмечалось ранее, автоэлектронная эмиссия возникает под действием сильного электрического поля напряженностью E = 107–108 В/см. Напряженность электрического поля значительно усиливается, если поверхность автокатода шероховатая или представляет собой острие с малым радиусом закругления. Современные микроэлектронные технологии позволяют сформировать не только одиночное острие микронных и субмикронных размеров, но и их массив (матрицу). На основе таких матриц могут быть реализованы различные вакуумные микроэлектронные приборы (диоды, триоды и т. п.).
Базовым элементом вакуумных микроэлектронных приборов (ВМП) является совокупность (матрица) автоэлектронных катодов, состоящая из множества острийных электронных эмиттеров и вытягивающих электродов. Такие автокатоды получили название матричных автоэлектронных катодов (МАЭК). При этом принципиально увеличение тока многоэмиттерной системы при заданном анодном напряжении по сравнению с одиночным острием пропорционально числу элементов и эффективности их одновременного эмиттирования.
Первые значительные успехи, а также последующие достижения в области теории и технологии создания МАЭК связаны с работами американского исследователя К. Спиндта. Схематическое изображение тонкопленочного автоэмиссионного катода Спиндта приведено на рис. 25.1.
Применение приборов на основе автоэлектронной эмиссии носит разнообразный характер. Ближайшим коммерческим продуктом, который, по-видимому, будет производиться, является полевой эмиссионный дисплей
(Field Emission Display, FED).
Механизм работы FED очень похож на ЭЛТ, где излученные термокатодом и ускоренные положительным напряжением пучки электронов возбуждают люминофор, за исключением того, что источником электронов является катод с полевой (автоэлектронной) эмиссией. Сочетание плоской компоновки с достоинствами ЭЛТ делает FED-дисплеи перспективным продуктом на рынке устройств отображения информации.
Разрабатываемые в настоящее время с использованием традиционных микроэлектронных технологий полевые эмиссионные дисплеи представляют
Электроника. Конспект лекций |
-311- |
ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
25.1. Приборы на основе автоэлектронной эмиссии.
собой матрицу микроминиатюрных катодных узлов острийного (рис. 25.2) либо планарного (рис. 25.3) типа и люминофорного экрана, размещенных в герметичном плоском корпусе.
|
1,5 мкм |
Молибденовая |
0,4 мкм |
сеточная пленка |
1,5 мкм
Изолирующий слой из |
Молибденовый |
Кремниевая |
диоксида кремния |
конус |
подложка |
Рис. 25.1. Схематическое изображение автоэмиссионного катода Спиндта
Рис. 25.2. Конструкция полевого эмиссионного дисплея с катодами острийного типа
Электроника. Конспект лекций |
-312- |
ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
25.1. Приборы на основе автоэлектронной эмиссии.
одиночныйОдиночныйпиксель
красныйКрасныйподпиксель синийСинийподпиксель зеленыйЗеленыйподпиксель
катодКа люминофорЛюм н
Диэле |
диэлектрик |
стеклоСтек линииЛиниианода
линии катодаЛинии
Рис. 25.3. Конструкция полевого эмиссионного дисплея с катодами планарного типа
Практически все ведущие электронные корпорации ведут разработку дисплеев на основе полевой эмиссии.
25.2. Практическоеприменениеавтоэлектроннойэмиссии.
Практическое применение автоэлектронной эмиссии и туннельного эффекта, лежащего в ее основе, привело к созданию сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Разработчики СТМ – сотрудники Швейцарского отделения корпорации IBM Герд Бинниг и Генрих Рорер награждены Нобелевской премией в 1986 г. СТМ – уникальный инструмент в руках экспериментаторов, позволяющий изучать не только структуру поверхности различных тел, но и наблюдать течение различных реакций. Еще одно примение СТМ – формирование наноразмерных структур на поверхности твердого тела (см. лекцию 26).
Электроника. Конспект лекций |
-313- |