- •ОГЛАВЛЕНИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •ЛЕКЦИЯ 1. ПРЕДМЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
- •1.1. Введение.
- •1.2. Краткая история развития электроники.
- •ЛЕКЦИЯ 2. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
- •2.1. Введение.
- •2.3. Обратная решетка.
- •2.6. Зоны Бриллюэна.
- •2.7. Плотность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия.
- •ЛЕКЦИЯ 3. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ВЕРДЫХ ТЕЛ
- •3.1. Электропроводность твердых тел.
- •3.2. Электропроводность металлов и диэлектриков.
- •3.5. Диффузия носителей заряда в полупроводниках.
- •ЛЕКЦИЯ 4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
- •ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
- •5.1. Разновидности полупроводниковых диодов.
- •5.2. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
- •5.5. Стабилитроны: характеристики, параметры, применение.
- •ЛЕКЦИЯ 6. СТРУКТУРА И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
- •6.1. Биполярные транзисторы.
- •6.2. Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, ОК). Статические ВАХ и параметры для основных схем включения.
- •ЛЕКЦИЯ 7. АКТИВНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •ЛЕКЦИЯ 8. КЛАССЫ УСИЛЕНИЯ
- •8.1. Понятие о классах усиления.
- •ЛЕКЦИЯ 9. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ УСЛОВИЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БТ
- •ЛЕКЦИЯ 10. ИСТОЧНИКИ ШУМОВ В БТ. МОДЕЛИ БТ
- •10.1. Источники собственных шумов в БТ.
- •ЛЕКЦИЯ 11. ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
- •11.1. Структура и принцип действия тиристоров и симисторов. Характеристики и параметры.
- •ЛЕКЦИЯ 12. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- •ЛЕКЦИЯ 13. МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
- •13.1. Структура и принцип действия МОП-транзистора.
- •ЛЕКЦИЯ 14. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •14.1. Основные схемы включения ПТ.
- •ЛЕКЦИЯ 15. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •ЛЕКЦИЯ 16. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
- •16.1. Излучательная генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках под действием излучения.
- •16.2. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение.
- •ЛЕКЦИЯ 17. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
- •17.1. Гетеропереходы. Зонная модель и инжекционные свойства гетеропереходов.
- •ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •18.2. Технология полупроводниковых интегральных схем.
- •18.4. Эпитаксия.
- •18.5. Термическое окисление.
- •18.6. Легирование.
- •18.7. Травление.
- •ЛЕКЦИЯ 19. ПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •19.1. Нанесение тонких пленок.
- •19.2. Металлизация.
- •ЛЕКЦИЯ 20. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •20.1. Элементы интегральных схем.
- •ЛЕКЦИЯ 21. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (ОКОНЧАНИЕ)
- •21.1. Интегральные диоды.
- •21.3. МОП-транзисторы.
- •ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •ЛЕКЦИЯ 23. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •23.1. Базовые логические элементы цифровых ИС на биполярных и полевых транзисторах.
- •ЛЕКЦИЯ 24. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ И ОСНОВЫ ИХ РАБОТЫ
- •24.1. Классификация электровакуумных приборов.
- •ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
- •25.1. Приборы на основе автоэлектронной эмиссии.
- •ЛЕКЦИЯ 26. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ. НАНОЭЛЕКТРОНИКА – НОВЫЙ ИСТОРИЧЕСКИЙ ЭТАП РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
- •26.1. Перспективы развития электроники.
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Электронный |
учебно-методический комплекс |
ЭЛЕКТРОНИКА
Учебная программа дисциплины
Учебное пособие Конспект лекций
Методические указания по самостоятельной работе
Банк тестовых заданий в системе UniTest
Приложения
Красноярск ИПК СФУ
2008
УДК 621.38 ББК 32.85
Е30
Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Электроника» подготовлен в рамках инновационной образовательной программы «Информатизация и автоматизированные системы управления», реализованной в ФГОУ ВПО СФУ в 2007 г.
Рецензенты:
Красноярский краевой фонд науки; Экспертная комиссия СФУ по подготовке учебно-методических комплексов дисциплин
Е30 |
Егоров, Н. М. |
Версия 1.0 |
[Электронный |
ресурс] : |
конспект лекций / |
|||
Электроника. |
||||||||
|
Н. М. Егоров. – Электрон. |
дан. (3 Мб). – |
Красноярск : ИПК СФУ, |
2008. – |
||||
|
(Электроника : УМКД № 48-2007 / рук. |
творч. коллектива Н. М. Егоров). – |
||||||
|
1 электрон. опт. диск (DVD). – Систем. требования : Intel Pentium (или анало- |
|||||||
|
гичный процессор других производителей) 1 ГГц ; 512 Мб оперативной памя- |
|||||||
|
ти ; 3 Мб свободного дискового пространства ; привод DVD ; операционная |
|||||||
|
система Microsoft |
Windows |
2000 SP 4 / |
XP SP 2 / Vista |
(32 бит) ; |
Adobe |
||
|
Reader 7.0 (или аналогичный продукт для чтения файлов формата pdf). |
|
||||||
|
ISBN 978-5-7638-1479-8 |
(комплекса) |
|
|
|
|
||
|
ISBN 978-5-7638-1478-1 |
(конспекта лекций) |
«Информрегистр» 0320802735 |
|||||
|
Номер гос. регистрации в ФГУП НТЦ |
|||||||
|
от 20.12.2008 г. (комплекса) |
|
|
|
|
|
|
Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Электроника», включающего учебную программу, учебное пособие «Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий», интерактивное электронное техническое руководство к АПК УД «Электроника», демо-версию системы OrCAD 9.1, файлы проектов для математического моделирования полупроводниковых приборов, систему компьютерной проверки знаний тестированием с примерами тестовых заданий, 30-дневную версию LabVIEW 8.5, примеры виртуальных приборов, методические указания по самостоятельной работе, контрольно-измерительные материалы «Электроника. Банк тестовых заданий», наглядное пособие «Электроника. Презентационные материалы».
Рассмотрены физические основы работы, характеристики, параметры и модели основных типов активных приборов, режимы их работы в радиотехнических цепях и устройствах, основы технологии производства микроэлектронных изделий, принципы построения базовых ячеек интегральных схем, механизмы влияния условий эксплуатации на работу активных приборов и микроэлектронных изделий, а также физические и технологические основы наноэлектроники.
Предназначен для студентов направления подготовки бакалавров 210200.62 «Радиотехника» укрупненной группы 210000 «Электроника, радиотехника и связь».
© Сибирский федеральный университет, 2008
Рекомендовано к изданию Инновационно-методическим управлением СФУ
Редактор Т. И. Тайгина
Разработка и оформление электронного образовательного ресурса: Центр технологий электронного обучения информационно-аналитического департамента СФУ; лаборатория по разработке мультимедийных электронных образовательных ресурсов при КрЦНИТ
Содержимое ресурса охраняется законом об авторском праве. Несанкционированное копирование и использование данного продукта запрещается. Встречающиеся названия программного обеспечения, изделий, устройств или систем могут являться зарегистрированными товарными знаками тех или иных фирм.
Подп. к использованию 25.09.2008 Объем 3 Мб
Красноярск: СФУ, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
ВВЕДЕНИЕ..................................................................... |
9 |
ЛЕКЦИЯ 1. ПРЕДМЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ. |
|
МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ИХ |
|
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ........................ |
10 |
1.1. Введение. ................................................................................................. |
10 |
1.2. Краткаяисторияразвитияэлектроники............................................ |
10 |
1.3. Структуракристаллическойрешеткитвердыхтел......................... |
14 |
1.4. Кристаллическаяструктураитипымежатомных |
|
связейметаллов........................................................................................... |
15 |
1.5. Кристаллическаяструктураитипымежатомныхсвязей |
|
полупроводников........................................................................................... |
15 |
1.6. ИндексыМиллера. ................................................................................. |
17 |
1.7. Дефектыкристаллическойрешетки................................................... |
19 |
ЛЕКЦИЯ 2. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА |
|
И СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА.................. |
21 |
2.1. Введение. ................................................................................................. |
21 |
2.2. Зоннаятеориятвердоготелаистатистиканосителей |
|
заряда. .............................................................................................................. |
22 |
2.3. Обратнаярешетка. ................................................................................. |
23 |
2.4. Волноваямеханикасвободныхэлектронов.................................... |
23 |
2.5. Движениевпространствеспериодическимпотенциалом........... |
24 |
2.6. ЗоныБриллюэна.................................................................................... |
27 |
2.7. Плотностьзаполненияэнергетическихуровнейвсостоянии |
|
термодинамическогоравновесия.............................................................. |
29 |
2.8. Статистиканосителейзарядавполупроводниках......................... |
31 |
2.9. Зоннаяструктурасобственныхипримесных |
|
полупроводников.......................................................................................... |
35 |
2.10. Зоннаяструктураметалловидиэлектриков.................................. |
38 |
2.11. Генерацияирекомбинацияносителей зарядав |
|
полупроводниках. .......................................................................................... |
39 |
ЛЕКЦИЯ 3. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ВЕРДЫХ |
|
ТЕЛ............................................................................... |
41 |
3.1. Электропроводностьтвердыхтел..................................................... |
41 |
3.2. Электропроводностьметалловидиэлектриков............................. |
41 |
Электроника. Конспект лекций |
-3- |
|
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
3.3. Электропроводностьполупроводников........................................... |
41 |
|
3.4. Дрейфносителейзарядавполупроводниках. ................................ |
44 |
|
3.5. Диффузияносителейзарядавполупроводниках.......................... |
45 |
|
3.6. Плотностьполноготока........................................................................ |
49 |
|
3.7. Уравнениенепрерывности................................................................... |
49 |
|
3.8. Явлениявсильныхэлектрическихполях........................................ |
51 |
|
3.9. Дрейфносителейзарядавсильныхэлектрическихполях.......... |
51 |
|
ЛЕКЦИЯ 4. |
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ |
|
ПЕРЕХОД..................................................................... |
|
53 |
4.1. Электронно-дырочныйпереход. ........................................................ |
53 |
|
4.2. Механизмобразованияp–n-перехода. .............................................. |
54 |
|
4.3. p–n-переходвравновесномсостоянии. ........................................... |
55 |
|
4.4. Анализнеравновесногор–n-перехода. ............................................. |
59 |
|
4.5. Вольт-ампернаяхарактеристикаидеальногодиода |
|
|
(формулаШокли)............................................................................................ |
61 |
|
4.6. p–n-переходприпрямомиобратномнапряжениях. |
|
|
Механизмы пробояp–n-перехода(туннельный, лавинный, |
|
|
тепловой)................................ |
.......................................................................... |
64 |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ........ |
67 |
|
5.1. Разновидностиполупроводниковыхдиодов.................................. |
67 |
|
5.2. Выпрямительныеполупроводниковыедиоды. |
|
|
Характеристикиипараметры. Влияниевнешних условийна |
|
|
характеристикиипараметры....................................................................... |
67 |
|
5.3. Рабочийрежимдиоданапостоянномтоке. Применение |
|
|
диодовдлявыпрямленияпеременноготока. ........................................ |
70 |
|
5.4. Моделивыпрямительныхдиодов. .................................................... |
75 |
|
5.5. Стабилитроны: характеристики, параметры, применение. .......... |
78 |
|
5.6. Туннельныйдиод. ЗоннаядиаграммаиВАХ................................... |
83 |
|
5.7. Варикап: принципдействия, применение......................................... |
90 |
|
5.8. Импульсныедиоды............................................................................... |
91 |
|
ЛЕКЦИЯ 6. СТРУКТУРА И ПРИНЦИП |
|
|
ДЕЙСТВИЯ |
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ......... |
94 |
6.1. Биполярныетранзисторы.................................................................... |
94 |
|
6.2. Структураипринципдействиябиполярноготранзистора. |
|
|
Схемывключения(ОЭ, ОБ, ОК). СтатическиеВАХи параметры |
|
|
дляосновныхсхемвключения.................................................................. |
94 |
Электроника. Конспект лекций |
-4- |
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
ЛЕКЦИЯ 7. АКТИВНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ |
|
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.............................. |
103 |
7.1. Режимработынапостоянномтоке.................................................... |
103 |
7.2. Режимработынапеременномтоке. .................................................. |
104 |
ЛЕКЦИЯ 8. КЛАССЫ УСИЛЕНИЯ............................. |
108 |
8.1. Понятиеоклассахусиления................................................................ |
108 |
ЛЕКЦИЯ 9. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ УСЛОВИЙ |
НА |
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БТ.................. |
114 |
9.1. Влияниевнешнихусловийнахарактеристикии |
|
параметрыБТ................................................................................................. |
114 |
9.2. Проблемастабилизациирабочейточкииусиления. ..................... |
116 |
ЛЕКЦИЯ 10. ИСТОЧНИКИ ШУМОВ В БТ. |
|
МОДЕЛИ БТ................................................................ |
118 |
10.1. ИсточникисобственныхшумоввБТ............................................... |
118 |
10.2. Моделибиполярныхтранзисторов. Малосигнальные |
|
высокочастотныеэквивалентныесхемыБТ(П- иТ-образные). |
|
Модель Эберса– Молла. ПонятиеонелинейныхмоделяхБТ |
|
длявысокихи сверхвысокихчастот....................................................... |
121 |
ЛЕКЦИЯ 11. ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ.............. |
123 |
11.1. Структураипринципдействиятиристоровисимисторов. |
|
Характеристикиипараметры. .................................................................... |
123 |
11.2. Применениетиристоров..................................................................... |
129 |
ЛЕКЦИЯ 12. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ................. |
131 |
12.1. Классификацияполевыхтранзисторов. Принципдействия |
|
полевоготранзистора. ................................................................................. |
131 |
12.2. Структураипринципдействияполевого транзисторас |
|
управляющимp–n-переходоми полевоготранзисторас |
|
барьеромШоттки............................................................................................ |
133 |
ЛЕКЦИЯ 13. МОП-ТРАНЗИСТОРЫ............................ |
138 |
13.1. СтруктураипринципдействияМОП-транзистора. ....................... |
138 |
ЛЕКЦИЯ 14. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЕВЫХ |
|
ТРАНЗИСТОРОВ ......................................................... |
141 |
14.1. ОсновныесхемывключенияПТ....................................................... |
141 |
14.2. Применениеполевыхтранзистороввсхемахусиления............. |
142 |
14.3. РаботаПТвимпульсномрежиме. .................................................... |
145 |
Электроника. Конспект лекций |
-5- |
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
ЛЕКЦИЯ 15. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ |
|
ТРАНЗИСТОРОВ ......................................................... |
151 |
ЛЕКЦИЯ 16. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И |
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ................................... |
155 |
16.1. Излучательнаягенерацияирекомбинацияносителей |
|
заряда вполупроводникахподдействиемизлучения. ....................... |
155 |
16.2. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, |
|
фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, |
|
параметры, применение. ............................................................................. |
156 |
ЛЕКЦИЯ 17. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ И ПРИБОРЫ |
|
НА ИХ ОСНОВЕ......................................................... |
169 |
17.1. Гетеропереходы. Зоннаямодельиинжекционные |
|
свойствагетеропереходов........................................................................... |
169 |
ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ |
|
СХЕМ............................................................................ |
179 |
18.1. Предметмикроэлектроники. Классификацияинтегральных |
|
схем. ................................................................................................................. |
179 |
18.2. Технологияполупроводниковыхинтегральныхсхем................. |
180 |
18.3. Подготовительныеоперации. ........................................................... |
180 |
18.4. Эпитаксия................................................................................................ |
181 |
18.5. Термическоеокисление...................................................................... |
184 |
18.6. Легирование. ......................................................................................... |
185 |
18.7. Травление. ............................................................................................. |
193 |
18.8. Техникамасок. ...................................................................................... |
195 |
ЛЕКЦИЯ 19. ПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В |
|
ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ.............. |
200 |
19.1. Нанесениетонкихпленок. .................................................................. |
200 |
19.2. Металлизация........................................................................................ |
205 |
19.3. Сборочныеоперации. ......................................................................... |
208 |
19.4. ТехнологиятонкопленочныхгибридныхИС. ................................ |
210 |
19.5. ТехнологиятолстопленочныхгибридныхИС. .............................. |
215 |
ЛЕКЦИЯ 20. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ |
|
СХЕМ............................................................................ |
218 |
20.1. Элементыинтегральныхсхем.......................................................... |
218 |
20.2. Изоляцияэлементов............................................................................ |
220 |
Электроника. Конспект лекций |
-6- |
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
20.3. Транзисторып–р–п.............................................................................. |
228 |
20.4. Разновидностиn–p–n-транзисторов................................................ |
237 |
20.5. Транзисторыр–п–р.............................................................................. |
242 |
ЛЕКЦИЯ 21. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ |
|
СХЕМ (ОКОНЧАНИЕ) ................................................ |
246 |
21.1. Интегральныедиоды.......................................................................... |
246 |
21.2. Полевойтранзисторсуправляющимp–n-переходом. ................ |
248 |
21.3. МОП-транзисторы. ............................................................................... |
251 |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ |
|
ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ............................................. |
261 |
22.1. Базовыеячейкианалоговыхинтегральныхсхем. ....................... |
261 |
22.2. Дифференциальныеусилители. ...................................................... |
261 |
ЛЕКЦИЯ 23. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ |
|
ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ |
|
СХЕМ............................................................................ |
268 |
23.1. БазовыелогическиеэлементыцифровыхИСна |
|
биполярныхиполевыхтранзисторах...................................................... |
268 |
23.2. Логическиеэлементынабиполярныхтранзисторах................... |
268 |
23.3. ЛогическиеэлементынаМОП-транзисторах................................. |
281 |
ЛЕКЦИЯ 24. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ |
|
И ОСНОВЫ ИХ РАБОТЫ ......................................... |
289 |
24.1. Классификацияэлектровакуумныхприборов............................... |
289 |
24.2. Физическиеосновыработыэлектровакуумныхприборов........ |
290 |
24.3. Приборынаосноветермоэлектроннойэмиссии.......................... |
295 |
ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ |
|
АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ.............................. |
311 |
25.1. Приборынаосновеавтоэлектроннойэмиссии............................. |
311 |
25.2. Практическоеприменениеавтоэлектроннойэмиссии................. |
313 |
ЛЕКЦИЯ 26. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ |
|
ЭЛЕКТРОНИКИ. НАНОЭЛЕКТРОНИКА – |
|
НОВЫЙ ИСТОРИЧЕСКИЙ ЭТАП РАЗВИТИЯ |
|
ЭЛЕКТРОНИКИ ........................................................... |
314 |
26.1. Перспективыразвитияэлектроники................................................ |
314 |
26.2. Квантовыеосновынаноэлектроники.............................................. |
316 |
Электроника. Конспект лекций |
-7- |
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
26.3. Технологическиеособенностиформирования |
|
наноструктуриэлементынаноэлектроники. .......................................... |
320 |
ЗАКЛЮЧЕНИЕ............................................................. |
329 |
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК............................ |
330 |
Электроника. Конспект лекций |
-8- |