- •ОГЛАВЛЕНИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •ЛЕКЦИЯ 1. ПРЕДМЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
- •1.1. Введение.
- •1.2. Краткая история развития электроники.
- •ЛЕКЦИЯ 2. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
- •2.1. Введение.
- •2.3. Обратная решетка.
- •2.6. Зоны Бриллюэна.
- •2.7. Плотность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия.
- •ЛЕКЦИЯ 3. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ВЕРДЫХ ТЕЛ
- •3.1. Электропроводность твердых тел.
- •3.2. Электропроводность металлов и диэлектриков.
- •3.5. Диффузия носителей заряда в полупроводниках.
- •ЛЕКЦИЯ 4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
- •ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
- •5.1. Разновидности полупроводниковых диодов.
- •5.2. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
- •5.5. Стабилитроны: характеристики, параметры, применение.
- •ЛЕКЦИЯ 6. СТРУКТУРА И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
- •6.1. Биполярные транзисторы.
- •6.2. Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения (ОЭ, ОБ, ОК). Статические ВАХ и параметры для основных схем включения.
- •ЛЕКЦИЯ 7. АКТИВНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •ЛЕКЦИЯ 8. КЛАССЫ УСИЛЕНИЯ
- •8.1. Понятие о классах усиления.
- •ЛЕКЦИЯ 9. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ УСЛОВИЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БТ
- •ЛЕКЦИЯ 10. ИСТОЧНИКИ ШУМОВ В БТ. МОДЕЛИ БТ
- •10.1. Источники собственных шумов в БТ.
- •ЛЕКЦИЯ 11. ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
- •11.1. Структура и принцип действия тиристоров и симисторов. Характеристики и параметры.
- •ЛЕКЦИЯ 12. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- •ЛЕКЦИЯ 13. МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
- •13.1. Структура и принцип действия МОП-транзистора.
- •ЛЕКЦИЯ 14. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •14.1. Основные схемы включения ПТ.
- •ЛЕКЦИЯ 15. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •ЛЕКЦИЯ 16. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
- •16.1. Излучательная генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках под действием излучения.
- •16.2. Фотосопротивления, фотодиоды, фотоэлементы, фототранзисторы, фототиристоры, оптроны: характеристики, параметры, применение.
- •ЛЕКЦИЯ 17. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
- •17.1. Гетеропереходы. Зонная модель и инжекционные свойства гетеропереходов.
- •ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •18.2. Технология полупроводниковых интегральных схем.
- •18.4. Эпитаксия.
- •18.5. Термическое окисление.
- •18.6. Легирование.
- •18.7. Травление.
- •ЛЕКЦИЯ 19. ПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •19.1. Нанесение тонких пленок.
- •19.2. Металлизация.
- •ЛЕКЦИЯ 20. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •20.1. Элементы интегральных схем.
- •ЛЕКЦИЯ 21. ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (ОКОНЧАНИЕ)
- •21.1. Интегральные диоды.
- •21.3. МОП-транзисторы.
- •ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •ЛЕКЦИЯ 23. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
- •23.1. Базовые логические элементы цифровых ИС на биполярных и полевых транзисторах.
- •ЛЕКЦИЯ 24. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ И ОСНОВЫ ИХ РАБОТЫ
- •24.1. Классификация электровакуумных приборов.
- •ЛЕКЦИЯ 25. ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
- •25.1. Приборы на основе автоэлектронной эмиссии.
- •ЛЕКЦИЯ 26. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ. НАНОЭЛЕКТРОНИКА – НОВЫЙ ИСТОРИЧЕСКИЙ ЭТАП РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
- •26.1. Перспективы развития электроники.
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
П л а н л е к ц и и
22.1. Базовые ячейки аналоговых интегральных схем. 22.2. Дифференциальные усилители.
22.1.Базовыеячейкианалоговыхинтегральныхсхем.
Ваналоговой схемотехнике существует небольшое количество типовых решений, которые служат основой для большинства остальных схем. Простейшими из них являются усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах, работа которых была рассмотрена ранее в лекциях 6–8 и 12. В эпоху микроэлектроники роль усилителей стала еще более важной, так как они стали выполнять самые разнообразные функции.
Что касается аналоговых ИС, то их особенности лучше всего характеризуются на примере операционного усилителя, основу которого составляет дифференциальный усилитель.
|
|
|
|
22.2. Дифференциальныеусилители. |
|
|
|||||
|
Схема дифференциального усилителя (ДУ) показана на рис. 22.1. Он |
||||||||||
состоит из двух одинаковых (симметричных) плеч, каждое из которых |
|||||||||||
содержит транзистор и резистор. В общей эмиттерной цепи действует |
|||||||||||
источник тока I0. Выходным напряжением является разность коллекторных |
|||||||||||
потенциалов, а входным – разность базовых потенциалов. |
|
|
|||||||||
|
В целом структура ДУ такая же, как |
|
+ |
|
|
||||||
у переключателя тока, но режим работы |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
||||||||
другой: ни один из транзисторов не заперт, |
|
|
|
|
|||||||
оба они работают в активном режиме. |
|
|
|
|
|||||||
Использование |
источника |
тока |
I0 |
|
к |
|
к |
||||
обеспечивает стабильность рабочей точки |
|
|
|
|
|||||||
– токов I 0 |
и напряжений U |
0. |
|
|
1 |
вых |
Э |
2 |
|||
|
э |
|
|
э |
основе |
ДУ |
|
|
|
||
|
Принцип действия. |
В |
|
|
|
|
|||||
лежит идеальная симметрия обоих его |
2 вх |
|
|
2 |
|||||||
плеч, |
т. е. |
идентичность |
параметров |
|
0 |
|
Ri |
||||
транзисторов T1, Т2 |
и |
равенство |
б1 |
|
|
||||||
б1 |
|
|
|||||||||
сопротивлений RК1, RК2. При этом в |
|
|
|
|
|||||||
отсутствие сигнала токи и коллекторные |
Рис. 22.1. Диференциальный |
||||||||||
потенциалы будут одинаковы, а выходное |
|
Еэ |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
усилитель |
|
|
|
|
Электроника. Конспект лекций |
|
|
|
|
-261- |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
22.2. Дифференциальные усилители.
напряжение будет равно нулю. В силу симметрии нулевое значение Uвых сохраняется при одновременном и одинаковом изменении токов в обоих плечах, какими бы причинами такое изменение ни вызывалось.
Следовательно, в идеальном ДУ дрейф выходного напряжения отсутствует,
хотя в каждом из плеч он может быть сравнительно большим.
Подадим на базы одинаковые напряжения (∆Uб1 = ∆Uб2). Такие сигналы называют синфазными. Под действием синфазных сигналов потенциал эмиттеров изменится на такую же величину, как и потенциалы баз: ∆Uэ = ∆Uб (поскольку напряжения на эмиттерных переходах U* можно считать неизменными). Если источник тока I0 идеальный (т. е. Ri = ∞), то приращение ∆Uэ не вызовет изменения токов в ветвях ДУ. Коллекторные потенциалы не изменятся и выходное напряжение останется равным нулю. Если же Ri ≠ ∞, то появится приращение тока ∆I0, но оно поровну распределится между обеими ветвями ДУ и коллекторные потенциалы изменятся одинаково. Соответственно и в этом случае Uвых = 0. Значит, в идеальном ДУ синфазные сигналы не влияют на выходное напряжение.
Теперь подадим на базы напряжения равной величины, но противоположных знаков (∆Uб1 = – ∆Uб2). Такие сигналы называют
дифференциальными.
Их разность, Uвх = ∆ Uб1 – ∆Uб2 по определению, является входным сигналом ДУ. В силу симметрии сигнал Uвх поделится поровну между обоими эмиттерными переходами: на одном из них напряжение U* увеличится на 1/2Uвх, а на другом – уменьшится на ту же величину. Соответственно приращения токов и коллекторных потенциалов в плечах ДУ будут одинаковыми по величине, но разного знака. В результате появится выходное напряжение
Uвых = ∆Uк1 – ∆UK2. |
(22.1) |
Как видим, идеальный ДУ реагирует только на дифференциальный сигнал, отсюда название этого типа усилителей.
Поскольку дифференциальный сигнал делится поровну между эмиттерными переходами, потенциал средней точки, т. е. потенциал эмиттеров, остается неизменным. Следовательно, при анализе дифференциальных сигналов можно считать потенциал Uэ заданным, а точку Э заземленной для переменных составляющих.
Любую комбинацию напряжений∆ Uб1 и ∆ Uб2 можно представить в виде суммы синфазной и дифференциальной составляющих (рис. 22.2, а):
∆Uб1 = Uвх с + 1/2Uвх д, |
(22.2а) |
∆Uб2 = Uвх с – 1/2Uвх д. |
(22.2б) |
Электроника. Конспект лекций |
-262- |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
22.2. Дифференциальные усилители.
Удобство такого представления в том, что действие каждой из составляющих можно анализировать раздельно.
Синфазная и дифференциальная составляющие входного сигнала согласно (22.2) выражаются следующим образом:
Uвх с = 1/2 (∆Uб1 + ∆Uб2); |
(22.3a) |
Uвх д = ∆Uб1 – ∆Uб2. |
(22.3б) |
Выходное напряжение тоже можно представить как сумму синфазной и дифференциальной составляющих (рис. 22.2, б):
Uвых с = 1/2 (∆Uк1 + ∆Uк2); |
(22.4а) |
Uвых д = ∆Uк1 – ∆Uк2, |
(22.4б) |
где ∆Uк |
– приращения коллекторных потенциалов относительно |
||||
потенциала покоя ∆Uк0. На рис. 22.2 дифференциальные составляющие Uвхд и |
|||||
U вых д записаны без индекса «д». |
|
|
|
||
Важную роль в работе ДУ играет постоянство тока I0. Если источник |
|||||
тока идеальный (т. е. Ri = ∞), то синфазная составляющая сигнала вызывает |
|||||
только приращение эмиттерного потенциала: ∆Uэ = ∆Uб = ∆Uвх с. Токи в |
|||||
плечах и коллекторные потенциалы остаются неизменными. |
|||||
|
|
Б1 Б2 |
|
Б1 Б2 |
Б1 Б2 |
|
а |
|
|
|
|
|
|
|
1/2U вх д |
-1/2U вх д |
1/2Uвх д -1/2U вх |
|
|
|
|
|
д |
|
∆U б1 |
∆U б2 |
U вх с |
U вх с |
U вх с |
|
|
К1 К2 |
|
К1 К2 |
К1 К2 |
|
|
|
|
||
|
б |
|
|
|
|
|
|
|
1/2U вых д -1/2Uвых д1/2Uвых д-1/2U вых д |
||
|
∆UК1 |
∆ U К2 |
Uвых с |
U вых с |
U вых с |
|
|
U К0 |
|
UК0 |
U 0 |
|
|
|
|
|
К |
Рис. 22.2. Синфазные и дифференциальные составляющие входного (а) и выходного (б) сигналов
Электроника. Конспект лекций |
-263- |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
22.2. Дифференциальные усилители.
Если же источник тока не идеален, т. е. имеет конечное сопротивление Ri, то приращение ∆Uэ вызывает приращение тока ∆I0 = ∆Uэ / Ri. Это приращение делится между обоими плечами ДУ и вызывает приращения коллекторных потенциалов ∆UKl и ∆UК2. В том случае, когда плечи идентичны, эти приращения одинаковы: ∆UK1 = ∆UК2. Тогда на выходе, согласно (22.4), получается только синфазная составляющая. В том случае, когда плечи не идентичны, приращения коллекторных потенциалов неодинаковы: ∆UК1 ≠ ∆UК2. Тогда на выходе наряду с синфазной получается паразитная дифференциальная составляющая.
Поскольку в идеальном ДУ синфазный сигнал на входе не должен вызывать синфазного и тем более дифференциального сигнала на выходе, к внутреннему сопротивлению источника тока предъявляют самые высокие требования.
Тот факт, что работа ДУ основана на идентичности его плеч, объясняет популярность этих усилителей в микроэлектронике. Только в ИС, где элементы расположены друг от друга на расстояниях единицы и десятков микрометров, можно обеспечить идентичность параметров, температурных коэффициентов и т. п. Кроме того, в микроэлектронике не критично количество элементов, способствующих повышению качества схемы.
Коэффициенты усиления. В реальном ДУ, в котором оба плеча неидентичны, а источник тока имеет конечное сопротивление, имеют место влияние синфазной составляющей входного сигнала на дифференциальную составляющую выходного сигнала и влияние дифференциальной составляющей входного сигнала на синфазную составляющую выходного сигнала.
В общем случае соотношение между синфазными и дифференциальными составляющими можно записать с помощью двух уравнений:
Uвых с = КссUвх с + КсдUвх д; |
(22.5а) |
Uвых д = КдсUвх с + КддUвх д. |
(22.5б) |
Здесь коэффициенты К являются коэффициентами передачи соответствующих составляющих со входа на выход. В идеальном ДУ взаимные коэффициенты Ксд и Кдс равны нулю.
Рассмотрим главный параметр ДУ – коэффициент усиления дифференциальной составляющей Кдд. Его часто называют просто коэффициентом усиления и обозначают К.
Как уже подчеркивалось ранее, потенциал эмиттера при подаче дифференциального сигнала остается неизменным, а значит, для переменных составляющих его следует считать равным нулю. Поэтому коэффициент усиления каждого плеча можно получить, полагая Rэ = 0. Поскольку в каждом плече усиливается сигнал 1/2Uвх, а на выходе усиленные сигналы
Электроника. Конспект лекций |
-264- |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
22.2. Дифференциальные усилители.
складываются, коэффициент усиления ДУ равен коэффициенту усиления отдельного плеча.
Полагая Rэ = 0, можно получить
K = |
|
|
αRK |
|
|
. |
(22.6) |
r |
+ (1 |
− α)(R |
+ r |
) |
|||
|
э |
|
Г |
Б |
|
|
|
Очевидно, что коэффициент усиления ДУ значительно больше, чем у простейшего усилителя. Разница может составлять десятки раз. Следовательно, помимо отсутствия (или гораздо меньшего) дрейфа, ДУ свойствен гораздо больший коэффициент усиления, что является его вторым важным преимуществом.
В случае низкоомных источников сигнала (Rr менее 1 кОм) и небольших рабочих токов (менее 1 мА) вторым слагаемым в знаменателе (22.6) можно пренебречь, тогда
K = – α(Rк/rэ). |
(22.7) |
Подставляя сюда значение Rк = (U0к – Eк) и значение rэ = φ Т/I0э, |
|
получаем коэффициент усиления в следующей форме: |
|
К = – (Ек – U0к) φТ. |
(22.8) |
Пусть, например, Ек = 12 В и Uк0 = 2 В, тогда К = – 400. Как видим, коэффициент усиления ДУ, как и у простейших усилителей, связан с напряжением питания и коллекторным напряжением в режиме покоя. Однако знаменатель в выражении (22.8) имеет такое малое значение, которое недостижимо в простейших усилителях по соображениям стабильности. Как и в других рассмотренных схемах, коэффициент усиления (при заданном Uк0) не зависит от рабочего тока. От температуры он зависит непосредственно через величину φТ.
Кроме рассмотренного коэффициента усиления дифференциальный усилитель характеризуется еще целым радом важных параметров, таких как коэффициент подавления синфазной составляющей, динамический диапазон, входное сопротивление и ряд других. Указанные параметры ДУ более подробно рассматриваются в курсе «Схемотехника аналоговых электронных устройств».
Схема токового зеркала. Токовым зеркалом называют электронное устройство с одним входом и одним или несколькими выходами, выходной ток (или токи) которого повторяет как по величине, так и по направлению его входной ток.
Электроника. Конспект лекций |
-265- |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |
|
|||||||||||
|
22.2. Дифференциальные усилители. |
|
|
|
|
|
||||||
|
По выполняемым функциям данное устройство, по существу является |
|||||||||||
управляемым током источником тока, коэффициент передачи которого равен |
||||||||||||
единице. Поэтому в основу разработки таких устройств положены принципы, |
||||||||||||
использованные при построении схем источников тока. |
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
Простейшая схема токового зеркала |
|||||||||
Iвх |
Iвых |
приведена |
на |
рис. |
22.3. |
Ее |
основу |
|||||
составляют транзисторы T1 и T2, причем |
||||||||||||
|
T2 |
|||||||||||
|
для |
нормальной |
работы |
устройства |
||||||||
|
|
|||||||||||
|
T1 |
необходимо, |
|
чтобы |
параметры |
|||||||
|
|
транзисторов были полностью идентичны. |
||||||||||
|
|
|
Транзистор |
|
T1 |
используется |
в |
|||||
|
|
диодном включении. Так как его |
||||||||||
|
Рис. 22.3. Схема токового |
напряжение |
Uкб |
= |
0, |
то он |
работает |
на |
||||
|
границе |
активного |
режима |
и |
режима |
|||||||
|
зеркала |
|||||||||||
|
насыщения. При этом его коллекторный и |
|||||||||||
|
|
|||||||||||
IБT1 |
h21э. |
базовый токи связаны соотношением IКТ1 = |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Так как параметры транзисторов полностью идентичны, то из |
|||||||||||
очевидного условия Uбэ T1 = Uбэ T2 следует, что Iб T1 = Iб T2. |
|
|
|
|
||||||||
|
Однако при этом Iк T1 |
= Iк T2. Для входного тока устройства справедливо |
||||||||||
соотношение Iвх = Iк T1 |
+ IбT1 + IбT2. При идентичности параметров |
|||||||||||
транзисторов его можно переписать в виде Iвх = Iк T1(1 +2/h21э). |
|
|
|
|||||||||
|
Откуда Iк T1 = Iвх/(1 +2/h21э). Типовой коэффициент передачи тока в |
|||||||||||
схеме с общим эмиттером h21э для современных транзисторов удовлетворяет |
||||||||||||
условию h21э>>1. Поэтому с достаточной точностью можно записать |
|
|
|
|
|
Iвх ≈ Iк T1= Iк T2. |
|
(22.9) |
|
Получаемая при этом погрешность полностью определяется |
||||||
конкретным значением h21э. |
Так, если h21э |
обоих транзисторов равен 50, то |
||||
получаемая ошибка не превышает 4 %, что вполне допустимо. На практике |
||||||
значения |
h21э обычно больше. Следовательно, в рассматриваемой |
схеме |
||||
Iвх |
|
|
выходной ток будет повторять входной как по |
|||
T3 |
Iвых |
величине, так и по направлению. |
|
|||
|
Если точность повторения (отражения) |
|||||
T2 |
|
|
||||
|
|
тока, обеспечиваемая в схеме на рис. 22.3, |
||||
|
T2 |
|
недостаточна, то применяют более сложные |
|||
|
|
структуры токового зеркала. Одна из таких |
||||
|
|
|
схем приведена на рис. 22.4. От исходной она |
|||
|
|
|
отличается |
введением |
дополнительного |
|
Рис. 22.4. Схема токового |
транзистора T3 и местом подключения |
|||||
зеркала с дополни- |
входного тока. Поясним работу данной схемы. |
|||||
тельным транзистором |
Для этого запишем уравнения для токов в схеме |
|||||
|
|
|
|
Iвх = Iк T2 + Iб T3; |
|
|
|
Электроника. Конспект лекций |
|
|
-266- |
ЛЕКЦИЯ 22. БАЗОВЫЕ ЯЧЕЙКИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
22.2. Дифференциальные усилители.
Iвых = Iк T3;
Iб T2 = Iб T1 = IБ;
Iэ T3 = Iк T3+ Iб T3 = Iк T1 + 2 Iб;
Iк T2 = Iк T1.
Найдем из полученных выражений связь между выходным током
схемы Iк T3 и коллекторными токами транзисторов T1 и T2: |
|
||
Iвых = Iк T3 = Iэ T3 – Iб T3 = Iк T1 + 2Iб – Iб T3. |
(22.10) |
||
Допустим, что Iб T3 |
= |
Iб. ЭТО вполне оправдано, так как h21э всех |
|
транзисторов велик и токи |
Iк T3 |
и Iк T1 близки. Тогда окончательно получим |
|
Iвых = Iк T1 + Iб = Iк T2+ Iб = Iвх. |
(22.11) |
Из приведенного выражения следует, что в схеме на рис. 6.23 повторяемость входного и выходного токов значительно выше, чем в исходной схеме токового зеркала на рис. 22.3.
Следует заметить, что в этом случае стабильность тока в схеме на рис. 22.4 будет значительно выше, чем в схеме на рис. 22.3. Это объясняется тем, что транзистор T2 фактически выполняет роль усилителя, включенного в цепи отрицательной обратной связи транзистора T3.
Если входной ток в рассмотренных схемах будет поддерживаться неизменным, то они превращаются в источники постоянного тока. Для этого входы обеих схем достаточно подключить через ограничительные резисторы к источнику входного напряжения.
Электроника. Конспект лекций |
-267- |