- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
240
Микроэлектроника
настоящее и будуще
A
number of new memory types have recently appeared. We can expect
corelike RAMs to become available in the near future.
RAMs,
being used for temporary data storage, are good for digi tal
devices; they are used as computer memories for the full range of
computer sizes, often in a mixture of ROM, RAM, and core memory'
ROMs and PROMs are used for permanent storage, such as the programs
in microcomputers, and start-up programs in larger ma chines. They
are also used to sequence sequential machines from one state to the
next, and they are very useful for data conversion, table lookup
(trigonometric tables, for example), and generation of com plex
logical functions. A PROM is used to test a new memory con tent: if
it is correct, a ROM is manufactured with the same content if the
number of devices or speed requirements (ROMs are faster) justify
the expense; PROMs are used for slower devices produced in smaller
quantities.
Учитесь
говорить.
Обсудите
содержание основного текста. Запишите
кратко содержание вю- рой части
основного текста (II) с помощью английских
предика! ивных групп. Изложите устно
содержание текста, используя данные
группы. Каждый с п - дент излагает
содержание в течение 1 минуты (5—6
предложений).
Подготовьтесь
к контрольному переводу основного
текста. Опрос
производится выборочно.
Проверьте,
знаете ли вы новые слова из основного
текста.
Учитесь
переводить.
Переведите
речевые отрезки, содержащие
инвертированные конструкции:
Shown
in the photo is the equipment available ...
Not
only were such controls difficult to arrange, they were ...
Of
prime interest are read-only memory (ROM)
Внеаудиторная работа
241
Difficult
as it is to observe the phenomenon, it is far more difficult to
explain it.
Текст
6.5
В
Переведите
текст письменно без словаря. Значение
выделенных слов вы сможете понять из
контекста. Озаглавьте текст.
Some
applications require random-access memories containing permanently
stored or rarely
altered information. For example, the control programs in pocket
calculators are usually permanently stored. Such storage is provided
by read-only memories (ROMs). Information is placed in the
storage array when the chip is manufactured.
A
read-only memory can be obtained by replacing the storage capacitor
in a one-transistor memory cell with either an open circuit or a
connection to ground, thus representing one or the other of the two
binary states.
Учитесь
аннотировать и реферировать.
Текст
6.6. В
Прочитайте
текст. Найдите в тексте ответы на
следующие вопросы:
What
is the read-mostly memory?
Which
variations of read-mostly memories are referred to? The
Read-only Memory
Another
variation of the Read-only Memory is the read-mostly memory,
which is desired when read operations are far more frequent
than write operations but for which non-volatile storage is
required.
Read-mostly
memories have two forms. The commonest is the optically erasable
(стираемая)
read-only
memory. This memory is read
and written by entirely electronic means, but before a write
°Peration all the storage cells must be erased to the same initial
state by exposing the packed chip to ultraviolet radiation.Раздел 6 Второе занятие
242
Микроэлектроника
настоящее и будущее
Учитесь
говорить.
Подготовьтесь
к выступлению по тематике “Memory”
(материалом
может служить как основной текст, так
и дополнительные тексты). Ваше
выступление должно быть рассчитано
на 2 минуты (10-12 предложений). Используйте
следующие клише:
The
paper deals with ...
The
author attempts to provide ...
The
micro-electronics development has solved ...
There
exist...
Memories
can complete read and write operations ...
Of
prime interest to the reader will be the consideration of...
раздел
б
Третье занятие
243
Контрольный
перевод основного текста.
Выполняется
устно, выборочно. Работа рассчитана на
20 минут.
Контроль
слов и словосочетаний.
Выполняется
устно или письменно по выбору
преподавателя. Работа рассчитана
на 15 минут.
Подготовленное
выступление по тематике “Memory”.
Работа
рассчитана на 10 минут. (Длительность
выступления каждого студента — 2
минуты.)
Контроль
умения выявлять значения слов с учетом
контекста.
Переведите,
обращая внимание на значение слова
challenge:
Established
ways of design and fabrication are being challenged today by newer
techniques.
S
ince the early days of silicon technology, contacts between metal
and silicon have presented a constant challenge to the electronics
industry.
Technological
breakthroughs are necessary to meet the challenges of programmable
microelectronic products.
By
far the greatest challenge in the language area will be to develop
new and more powerful general-purpose languages.
Typical
challenges include checking out and operating complex missile
systems.
The
challenge was to do the test carefully.Третье занятие
Контроль изученного материала
244
Микроэлектроника
настоящее и будущее
Контроль
умения переводить.
Текст
6.1 С
Переведите
текст устно с листа. DRAM
Technologies +
SyncFlash
Memory Benefits
DRAM
is available in several different technology types. At their core,
all of these different memory types are similar They differ most™
ly in the way they are organized and how they are accessed. As
processors get faster, memory needs to run increasingly faster
and more efficiently. Memory companies have invented
progressively faster memory architectures to allow memory speeds to
increase.
Also
bear in mind that at its core, DRAM is DRAM. The differences
between the various acronyms of DRAM technologies are primarily
a result of how the DRAM inside the module is connected, configured
and addressed, in addition to any special enhancement circuits added
to the device. For example, some fancy modules include SDRAM (cache)
directly in the DRAM module to improve performance.
Текст
6.2
С
Переведите
письменно без словаря. Время перевода
— 20 минут. Cache
Memory
A
cache memory is a small, high-speed system memory that fits between
the CPU and the main memory. It accesses copies of the most
frequently used main-memory data. When the CPU tries to read data
from the main memory, the cache memory will respond first if it has
a copy of requested data. If it doesn’t, a normal main-memory
cycle will occur. Cache memories are effective because computer
programs spend most of their memory cycles accessing a very small
part of the memory.
A
cache memory cell has three components: an address memory cell, an
address comparator and a data memory cell. The data and address
memory cells together record one word of cached data and its cor