- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
109
Germanium
is comparatively rare
but it is rather easier to refine. It should perhaps be mentioned
that the list of semiconductors given is not confined
to elements; increasing attention is being paid to semiconductor
compounds
such as indium antiminide and other compounds of group III with
group V elements.
Учитесь
аннотировать и реферировать.
Текст
2.1 С
а) Прочитайте
текст. Выявите основную информацию
каждого абзаца. Запишите данную
информацию (в виде подлежащего и его
сказуемого) на русском языке. Проверьте
правильность понимания текста.
б) Прочитайте
текст еще раз и составьте краткий
реферат на английском языке.
Используйте следующие клише:
The
review surveys...
The
author shows the advantages of GaAs. They are ...
The
conclusion is as follows... Semiconductors
as Materials
A
semiconductor is a material having a resistivity in the range
between conductors and insulators and having a negative temperature
coefficient. The conductivity increases not only with temperature
but is also affected very considerably by the presence of impurities
in the crystal lattice.
Types
of semiconductor material commonly used are elements falling into
group IV of the Periodic Table, such as silicon or germanium.
The donor and acceptor impurities are group V and group III
elements, respectively, differing in valency by only one
electron.
Certain
compounds such as gallium arsenide (Symbol: GaAs) which has a total
of eight valence electrons, also make excellent semiconductors.
GaAs
is a direct-gap III—V semiconductor that has a relatively large
band gap and high carrier mobility. The relatively high carrier
mobility allows the semiconductor to be used for high-speed
applications and because of the large energy gap it has a high
resistivity that allows easier isolation between different areas of
the crystal. The con-Раздел 2 Второе занятие
110
Микроэлектроника-
настоящее и будущее
duction
band is a two-state conduction band; some electrons therefore
are ‘hot’ electrons, i.e. they have small effective mass and
higher velocity, this resulting in the Gunn effect.
GaAs
is difficult to work since diffusion of impurities into the material
is extremely difficult. Epitaxy, or ion implantation must therefore
be used to produce areas of different conductivity type. The main
uses for gallium arsenide have been as microwave devices, such as
Gunn diodes or 1MPATT diodes, but lately it has been used as a
MESFET (a GaAs junction field-effect transistor) for high speed
logic circuits.
Учитесь
говорить.
Ответьте
развернуто (2—3 предложения) на следующие
вопросы:
What
new possibilities did the advent of the transistor open?
Who
made a great contribution to the study of semiconductor physics?
What
is a semiconductor? Name the main properties of semiconductors.
What
do they say about silicon?
How
does a film of silicon oxide form a wafer?
What
does oxygen concentration influence?
What
is a fundamental ingredient in the fabrication of an integrat ed
circuit?
What
are donors?
What
new material is under consideration?
In
what way can GaAs compete with germanium?
Кратко
изложите содержание основного текста.
При кратком изложении текста
используйте следующие речевые отрезки:
...
has
focused the attention on ...
...
have allowed integration of...
...
should enhance the speed ...
...
allows the chip area to increase ...
...
are required for interconnections...
...
show intrinsic properties...
...
was centered on two semiconductors ...