- •1.4. Электротехнические устройства постоянного тока
- •1.2. Элементу электрической цепи постоянного тоид
- •1,3 Положительные направления токов и напряжения
- •1.4. Резистивные элементы
- •1.5. Источники электрической энергии постоянного тока
- •1.6. Источник эдс и источник тока
- •1.7 Применение закона ома и законов кирхгофа для расчетов электрических цепей
- •1.8 Метод двух узлов
- •1.9 Метод контурных токов
- •1.10 Принцип и метод наложения (суперпозиции)
- •1.11 Метод эквивалентного генератора (активного двухполюсника)
- •1.12 Передачи максимальной мощности приемнику
- •1.13 Нелинейные цепи постоянного тока
- •2.1. Электротехнические устройства синусоидального тока
- •1.2. Элементы электрической
- •2.2 Индуктивный элемент
- •2.3 Емкостный элемент
- •2.4 Источники электрической энергии синусоидального тока
- •2.5 Максимальное, среднее и действующее значения синусоидальных эдс. Напряжений и токов
- •2.6. Различные представления синусоидальных величин
- •2.7 Закон ома в комплексной форме для резистивного, индуктивного и емкостного элементов
- •2.8 Законы кирхгофа для цепей синусоидального тока
- •2.9 Комплексный метод анализа цепей синусоидального тока
- •2.10 Неразветвленная цель синусоидального тока
- •2.14 Электрическая цепь с параллельным соединением ветвей
- •5.6. Подключение неразветвленнои цепи с индуктивным, резистивным и емкостным элементами к источнику постоянной эдс
- •1.7. Подключение последовательного соединения индуктивного и резистивного элементов к источнику синусоидальной эдс
- •5.8. Генератор пилообразного напряжения
- •6.1. Элементы магнитной цепи
- •6.1. Закон полного тока для магнитной цепи с постоянной магнитодвижущей силой
- •6.3. Свойства ферромагнитных материалов
- •6.4. Неразветвленная магнитная цепь
- •6.5. Неразветвлённая магнитная цепь с постоянным магнитом
- •6.6, Электромагнитные устройства постоянного тока
- •7.1. Переменный магнитный поток в катушке с магнитопроводом
- •7.1. Процессы намагничивания магнитопровода
2.3 Емкостный элемент
На рис. 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора площадью S приложить напряжение Uаb > О, то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ± q, которые называют свободными.
Между обкладками плоского конденсатора электрическое поле будет однородным (если не учитывать краевого эффекта) с напряженностью
ξ=Uab/d=q/ έ0S (2.6)
где е0 = 8,854 -10-12 Ф/м — электрическая постоянная.
Накопленный (в конденсаторе) заряд q пропорционален приложенному напряжению Uаb = Uс
q=Cuab= Cuc (2.7)
коэффициент пропорциональности С называется емкостью конденсатора.
Решив совместно ««отношения (2.6) и (2.7), получим выражения для емкости плоского вакуумного конденсатора:
С = έ0 S/d
Для увеличения емкости плоского конденсатора пространство между обкладками заполняется каким-либо диэлектриком (рис. 2.3, б).
Под действием электрического поля хаотически ориентированные в пространстве дипольные молекулы диэлектрика приобретают преимущественное направление ориентации. При этом внутри однородного диэлектрика положительные и отрицательные заряды дипольных молекул компенсируют друг друга, а на границах с обкладками плоеного конденсатора остаются нескомпенсированные слои связанных зарядов а на границе с обкладкой, заряженной положительно, располагается слой отрицательных связанных зарядов, а на границе с обкладкой, заряженной отрицательно, — слой положительных связанных зарядов. Наличие связанных зарядов уменьшает напряженность $ электрического поля внутри конденсатора:
откуда следует, что при той же напряженности электрического поля, а следовательно, и напряжении Uаb = Uс заряд q должен быть больше. Поэтому увеличится, как следует из (2.7), и емкость плоского конденсатора по сравнению с емкостью такого же вакуумного конденсатора:
С = έr έ0S/d, (2.8)
где έr — относительная диэлектрическая, проницаемость заполняющего конденсатор диэлектрика (безразмерная величина).
Произведение относительной диэлектрической проницаемости έr на электрическую постоянную έ0 называется абсолютной диэлектрической проницаемостью.
έа = έr έ0. (2.9)
В табл. 2.1 приведены параметры некоторых диэлектриков.
Если свободный заряд (на пластинах конденсатора) пропорционален напряжению между пластинами, то емкость конденсатора постоянна: С = const. В противном случае емкость конденсатора зависит от напряжения С (uс).
Основной единицей емкости в системе СИ является фарой (Ф), 1 Ф = 1 Кл/В = 1 А-с/В. Емкость 1 Ф очень велика. В электротехнической практике обычно используются дольные единицы емкости: микрофарад (мкФ), I мкФ =1 *10-6 Ф, нанофарад (нФ), 1 нФ = 1*10-9Ф, и пнкофарад (пФ), 1 пФ = 1 -10-12 Ф.
На рис. 2.3, в приведена схема замещения конденсатора (рис. 2.3, о и б) в виде линейного емкостного элемента с параметром С. Такую схему замещения имеет идеальный конденсатор, т. е. конденсатор, у которого можно пренебречь приводящими к нагреванию потерями диэлектрике и изоляции вводов, металле обкладок и т. д. В противном случае в схеме замещения должен быть и резистивнын элемент.
Таблица 2.1. Диэлектрическая проницаемость (относительная), электрическая
прочность и удельное объемное сопротивление некоторых материалов
Наименование вещества |
ег |
6„ мв/"* |
су. Ом-и |
Трансформаторное масло |
2.1—2,4 |
15— '20 |
Ю14— (0и |
Совол |
4.8-5 |
Н— 18 |
К)»— 10» |
Вазелин |
2,2—2.6 |
'20—25 |
5- 101г— 10« |
Полиэтилен |
2,2—2,4 |
35—60 |
1 О*— ЮЧ |
Лавсан |
3,0— 3,5 |
80—120 |
10»— !0"> |
Полиаиядлхлоркд (плаетнкаты) |
6—8 |
6—15 |
101»— Юи |
Парафин |
2.0—2,2 |
22—32 |
10»— Ю" |
Эбонит |
3,0—3,5 |
15—20 |
1012—Ю" |
Гетинакс |
6-8 |
20-^0 |
10»— 10" |
Слюда (мусковит) |
6,5—7,2 |
98—175 |
1012—ЮЧ |
Мрамор |
8—9 |
1,0—4,0 |
10'— 10» |
Шифер |
6-8 |
0,5—1,5 |
]0в-,10! |
Аебестодемеет |
6-8 |
2,0—3,0 |
100—103 |
* Электрическая прочность всех материалов указана для действующего значения переменного напряжения (си. 5 2.6).
Так как электрическое поле всегда существует между различными деталями электротехнических устройств, находящихся под напряжением, между этими деталями есть емкость. Конечно, в ряде случаев эта емкость настолько мала, что ее влиянием можно пренебречь.
Линейный емкостный элемент (рис. 2.3, в) является схемой замещения любой части электротехнического устройства, если значение заряда пропорционально напряжению. Если же заряд не пропорционален напряжению, то схемой замещения будет нелинейный емкостный элемент, который задается нелинейной кулон-вольтной характеристикой
q (uc).
На рис. 2.4 приведены кулон-воль-тные характеристики линейного (а) и
нелинейного (б) емкостных элементов, а также условные обозначения таких элементов на схемах замещения.
Если напряжение, приложенное к емкостному элементу, будет изменяться (увеличиваться или уменьшаться), то будет изменяться и заряд, т. е. в емкостном элементе появится ток. Положительное направление тока в емкостном элементе выберем совпадающим с.положительным направлением напряжения, приложенного к емкостному элементу. При этом ток
Iab=ic=dq/dt (2.10)
В линейном емкостном элементе с учетом (2.7) ток
Ic=Cduc/dt (2.11)
Если за время t1 напряжение на емкостном элементе изменится от нуля до uc1 то в электрическом поле элемента будет накоплена энергия
(2.12)
где q1 — свободный заряд при напряжении uс = uс1 (рис. 2.4).
Как следует из (2.12), энергия, запасенная в электрическом поле емкостного элемента при напряжении uс, пропорциональна соответствующей площади, заключенной между кулон-вольтной характеристикой и осью ординат (рис. 2.4, где заштрихована площадь, пропорциональная энергии электрического поля нелинейного емкостного элемента при напряжении ис,).
Из (2.12) с учетом (2.7) следует, что у линейного емкостного элемента при напряжении uс энергия электрического поля
Wи=Cu2c/2=quc/2 (2.13)
Приведенный анализ показывает, что емкостные элементы электрических цепей можно, как и индуктивные элементы, рассматривать в качестве аккумуляторов энергии, в которых может накапливаться энергия.
Таблица 2.2. Условные графические обозначения катушек индуктивности и конденсаторов
В дальнейшем при анализе линейных электрических цепей синусоидального тока термин «линейный» дополнительно оговариваться не будет.