- •Раздел I проектирование конструкций радиоэлектронных средств
- •Глава 1электрорадиокомпоненты
- •1.2 Виды эрк и их параметры
- •1.2.1. Электрические параметры эрк
- •1.2.2 Конструктивные и эксплуатационные параметры эрк
- •1.3. Резисторы
- •10. Идентификатор класса резистора по уровню шумов.
- •15 Основной документ, по которому применяют резистор
- •1 .4. Конденсаторы
- •1 .5. Катушки индуктивности и трансформаторы
- •1.5.1. Реализация индуктивного компонента средствами микроэлектроники
- •1.5.2. Паразитные параметры катушек индуктивности
- •1.5.3 Магнитопроводы и сердечники
- •1.6. Пьезоэлектрические элементы
- •1.7. Коммутационные устройства
- •1.8. Полупроводниковые диоды
- •1.8.1. Ппд, работающие на прямой и обратной ветвях вах
- •1.8.2. Ппд, работающие на прямой ветви вах
- •1.8.3. Ппд, работающие на обратной ветви вах
- •1.8.4. Ппд с z-и n-образными вах
- •1.8.5. Обозначение ппд в конструкторской документации
- •3 Идентификатор типа фотоприемника оптопар:
- •1.9. Транзисторы
- •1.9.2. Полевые транзисторы
- •1 .9.3. Порядок применения полевых транзисторов в конструкциях рэс
- •1.9.4. Условные обозначения транзисторов
- •8. Номер основного конструкторского документа (ту, чту).
- •1.10. Интегральные микросхемы
- •1.10.1. Цифровые имс
- •1.10.2. Аналоговые имс
- •1.10.3. Условные обозначения имс в конструкторской документации
- •1.11. Эрк сверхвысокочастотных устройств и функциональной электроники
- •1.12. Зарубежные электрорадиокомпоненты
1.12. Зарубежные электрорадиокомпоненты
В предыдущих подразделах рассматривались основные электрические, конструктивные и эксплуатационные параметры отечественных ЭРК. Однако в настоящее время предприятия и организации России, выпускающие радиоэлектронные средства, в том числе и военного назначения, широко используют пассивные и активные ЭРК, поставляемые на рынок зарубежными фирмами. Благодаря жесткой конкуренции качество и надежность этих компонентов очень высокие, а номенклатура их типов, типономиналов и типоразмеров не поддается описанию, столь она велика. В то же время система обозначений и маркировки зарубежных ЭРК существенно отличается от отечественной.
Для полупроводниковых приборов основной является система обозначений JEDEC (США) в виде индекса, состоящего из цифровых и буквенных идентификаторов: первая цифра — число р—n-переходов (1 — диод; 2 — транзистор; 3 — тиристор); буква N; серийный номер (2...4 цифры), зарегистрированный ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA), не содержащий информации о каких-либо параметрах прибора; одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам.
Европейская ассоциация «Association International Pro Electron» использует свою систему обозначений полупроводниковых приборов: три буквы и две цифры (от 10 до 99) — для промышленной и специальной аппаратуры и две буквы и три цифры (от 100 до 999) — для бытовой аппаратуры широкого применения, где первая буква указывает на материал (Ge — A; Si — В; GaAs — С; InN — D), а вторая — на тип прибора (диоды детекторные — А; транзисторы низкочастотные мощные — D; излучающие приборы — Q; стабилитроны — Z).
Для некоторых типов приборов (стабилитронов, мощных диодов, тиристоров) к основному обозначению через дефис или дробь добавляют код, содержащий основные сведения о приборе. Например, для стабилитрона указывают номинальное напряжение и допуск на него в процентах: BZJ85-C6V8 — кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 85, с напряжением стабилизации 6,8 В и допуском на напряжение (С) ± 5 %. В обозначении тиристора ВТХ10-200 последнее число указывает максимальное значение напряжения включения.
Свой стандарт обозначений JIS-C.7012 имеет Япония.
Для маркировки малогабаритных полупроводниковых диодов вместо цифровых и буквенных обозначений используют кодирование цветными полосами. Их ширина, взаимное положение, положение относительно выводов и цвет однозначно соответствуют буквенно-цифровому описанию диода, дополнительно указывая на полярность выводов.
Контрольные вопросы
Назовите характерные участки ВАХ р—п-перехода.
Как и какая область р—n-перехода варикапа меняется поддействием управляющего напряжения?
В чем состоит принципиальное отличие между БПТ и ПТ?
Какие области структуры биполярного и полевого транзисторов наиболее чувствительны к воздействию внешних факторов?
По каким параметрам оценивают электрическую нагрузку ЭРК?
Какие виды сигналов используют в цифровых и аналоговых интегральных микросхемах?
Что такое базовый логический элемент? Назовите их типы.
8. Каков механизм возникновения тиристорного эффекта в ИМС?
9. Укажите ограничения по нагрузочной способности ЦИМС.
Что такое запас помехоустойчивости ЦИМС?
Назовите принципы аналоговой схемотехники.
В каком виде изготовитель поставляет ИМС потребителю?