1.10.3. Условные обозначения имс в конструкторской документации

Исчерпывающие сведения об ИМС содержатся в НТД (ТУ, ЧТУ). Часть сведений, необходимых для заказа и первичного применения, указывается в основной записи, состоящей из буквенных и цифровых идентификаторов параметров ИМС, изменяющихся в пределах данного типа. На двух примерах основной записи рассмотрим содержание классификационного пространства ЦИМС КМ155ТМ2 и АИМС КР140УД5 (табл. 1.10).

Основная запись ИМ С	Позиция классификационного пространства
	1	2	3	4	5	6	7
КМ155ТМ2	К	М	1	55	ТМ	2	ГеО.384.522 ТУ
КР140УД5	К	Р	1	40	УД	5	6К0.348.239 ТУ

Таблица 1.10

Рис. 1.49. Типы корпусов ИМС:

а — полимерный DIP; б — металлокерамический DIP; в — металлостеклянный планарный

1. Идентификатор области применения (К — широкого применения; ОС или без символа — специального применения; Э экспортное исполнение с шагом 2,54 и 1,27 мм).

2. Идентификатор типа корпуса (отличаются материалом, числом и порядком расположения выводов, способом монтажа): А —пластмассовый планарный; Р — полимерный DIP (рис. 1.49,а)'М — металлокерамический DIP (рис. 1.49, б); С — стеклокерамический планарный; Н — миниатюрный металлокерамический с выводами на четыре стороны; Ф — миниатюрный пластмассовый; без буквы — металлостеклянный (рис. 1.49, в); Б — бескорпусное исполнение и др.

3. Идентификатор вида конструктивно-технологического исполнения чипа:

1, 5, 6 — полупроводниковые;

2, 4, 8 — гибридные;

3 — пленочные;

7 — полупроводниковые в бескорпусном исполнении.

3. Идентификатор порядкового номера разработки (2 или 3 цифры).

4. Идентификатор функционального назначения:

ТМ — D-триггер;

УД — операционный усилитель и т.д. (ГОСТ 18683—83).

3. Идентификатор порядкового номера разработки.

7. Номер основного конструкторского документа (ТУ, ЧТУ).

1.11. Эрк сверхвысокочастотных устройств и функциональной электроники

К СВЧ относят устройства формирования, передачи, приема и обработки сигналов:

- дециметрового, сантиметрового миллиметрового диапазонов волн.

Функциональные преобразования в трактах СВЧ устройств аналогичны преобразованиям сигналов, характерных для относительно низкочастотных трактов, — это:

-генерация,

-усиление,

-передача по линиям связи,

- частотное преобразование,

-фильтрация, детектирование и др.

Однако конструкции ЭРК, образующие тракты СВЧ устройств, их формы, размеры и электрические параметры должны быть согласованы с параметрами электромагнитной волны (частотой, фазой, поляризацией), проходящей по тракту. Только в этом случае будет обеспечено ее неискаженное и без потерь прохождение.

Принципиальным отличием пассивных ЭРК сверхвысокочастотных устройств от рассмотренных ранее дискретных ЭРК с сосредоточенными параметрами состоит в том, что первые являются компонентами с распределенными параметрами. Примеры ЭРК тракта СВЧ устройств представлены на рис. 1.50. В качестве активных приборов используют полевые транзисторы с барьером Шоттки (усилители), диоды Шоттки (детекторы, смесители), туннельные и лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна (усилители, генераторы), p-i-n-диоды (модуляторы, фазовращатели, переключатели).

Рис. 1.50. Примеры ЭРК тракта СВЧ устройств:

а — волновод; 6 — аттенюатор; в — микрополосковый фильтр

Конструктивно ЭРК сверхвысокочастотных устройств оформлены в мёталлокерамические и металлостеклянные корпусы патронного и таблеточного типов, благодаря чему они имеют минимальные паразитные параметры, что позволяет создавать электронные устройства, работающие в диапазоне частот до 300 ГГц. В микрополосковых линиях используют бескорпусные конструкции активных приборов. С принципами работы этих компонент можно познакомиться в специальной литературе по СВЧ технике.

Компоненты твердотельной функциональной электроники выполняют аналоговые преобразования сигналов, используя различные физические процессы в однородных средах, например перемещение электрических зарядовых пакетов в полупроводнике и распространение акустических волн в пьезоэлектрике (ПЭ). На основе первого процесса функционируют приборы с зарядовой связью (ПЗС) — линейки и матрицы. На основе второго процесса функционируют приборы на поверхностных акустических волнах (ПАВ).

Рис. 1.51. Приборы функциональной электроники:

а — линейка ПЗС;

б — линия задержки на ПАВ

Структура ПЗС представляет собой многозатворный МДП-транзистор (рис. 1.51, а), в котором помимо необходимых электродов истока и стока имеется линейка попарно соединенных затворов, обеспечивающая под действием ступенчатых управляющих напряжений U₁, U₂ и U_3ъ перемещение пакета зарядов, инжектированного подачей напряжения сигнала на входной затвор З_вх. Преобразование заряда в выходное напряжение происходит на стоке с помощью выходного затвора З_вых. Формирование зарядового пакета под каждым затвором возможно и от оптического сигнала. Этот механизм лежит в основе работы всех ПЗС матриц видеокамер.

Примером прибора на ПАВ является линия задержки на ПЭ (рис. 1.51, б). Здесь входной сигнал U_вх, преобразованный с помощью гребенчатой аппликации Г1 в акустическую волну, распространяющуюся с относительно небольшой скоростью (порядка 3 мм/мкс) вдоль поверхности пьезоэлектрика, достигает его конца через некоторое время задержки. С помощью второй гребенчатой аппликации Г2 акустический сигнал преобразуется в электрический сигнал U_вьк. На основе таких линий с отводами строят трансверсальные и дисперсионные фильтры, а также преобразователи Фурье .

Отдельный класс приборов функциональной электроники составляют оптические, акустооптические преобразователи и эхо-процессоры, выполняющие операции корреляционной обработки сигналов.