- •Раздел I проектирование конструкций радиоэлектронных средств
- •Глава 1электрорадиокомпоненты
- •1.2 Виды эрк и их параметры
- •1.2.1. Электрические параметры эрк
- •1.2.2 Конструктивные и эксплуатационные параметры эрк
- •1.3. Резисторы
- •10. Идентификатор класса резистора по уровню шумов.
- •15 Основной документ, по которому применяют резистор
- •1 .4. Конденсаторы
- •1 .5. Катушки индуктивности и трансформаторы
- •1.5.1. Реализация индуктивного компонента средствами микроэлектроники
- •1.5.2. Паразитные параметры катушек индуктивности
- •1.5.3 Магнитопроводы и сердечники
- •1.6. Пьезоэлектрические элементы
- •1.7. Коммутационные устройства
- •1.8. Полупроводниковые диоды
- •1.8.1. Ппд, работающие на прямой и обратной ветвях вах
- •1.8.2. Ппд, работающие на прямой ветви вах
- •1.8.3. Ппд, работающие на обратной ветви вах
- •1.8.4. Ппд с z-и n-образными вах
- •1.8.5. Обозначение ппд в конструкторской документации
- •3 Идентификатор типа фотоприемника оптопар:
- •1.9. Транзисторы
- •1.9.2. Полевые транзисторы
- •1 .9.3. Порядок применения полевых транзисторов в конструкциях рэс
- •1.9.4. Условные обозначения транзисторов
- •8. Номер основного конструкторского документа (ту, чту).
- •1.10. Интегральные микросхемы
- •1.10.1. Цифровые имс
- •1.10.2. Аналоговые имс
- •1.10.3. Условные обозначения имс в конструкторской документации
- •1.11. Эрк сверхвысокочастотных устройств и функциональной электроники
- •1.12. Зарубежные электрорадиокомпоненты
Раздел I проектирование конструкций радиоэлектронных средств
Глава 1электрорадиокомпоненты
Эволюция электрорадиокомпонентов
Электрорадиокомпонснты (ЭРК) — это совокупность электронных и электротехнических изделий, поставляемых специализированными предприятиями разработчикам радиоэлектронных средств.
Как показываем практика, номенклатура ЭРК не остается постоянной: по мере развития науки, техники и технологий, т.е. каждые 7—10 лет, происходит ее значительное обновление, определяющее появление нового поколения ЭРК и РЭС. При этом появление каждого нового поколения связано с разработкой нового типа активного ЭРК, способного усиливать мощность электрических колебаний.
Первое поколение РЭС, существовавшее с начала практического использования радиосвязи до конца 50-х годов XX в., создавалось на основе электровакуумных приборов (радиоламп) и характеризовалось большими габаритными размерами и массой, значительным потреблением энергии, низким уровнем надежности и большой трудоемкостью изготовления.
Второе поколение РЭС — в период с начала 60-х до начала 70-х годов XX в. — создавалось на основе полупроводниковых приборов - транзисторов и диодов. Аппаратура этого поколения отличалась существенно меньшими массой, габаритными размерами и энергопотреблением и значительно более высокими надежностью и приспособленностью к условиям серийного и массового производства.
Третье поколение РЭС — в период с начала 70-х до начала 80-х годов XX в. — создавалось на основе интегральных микросхем (ИМС) малого и среднего уровней интеграции. Это стало возможным благодаря разработке и использованию прогрессивных методов конструктивно-технологической интеграции компонентов, групповых процессов изготовления, а также методов автоматизированного проектирования.
Четвертое поколение РЭС, существующее с начала 80-х годов XX в., создается на основе программируемых ИМС большой и сверхбольшой степеней интеграции (БИС, СБИС), организованных в функционально законченные микропроцессорные комплекты (МПК), Благодаря их использованию число элементов, необходимых для построения аппаратуры различного назначения и сложности, стабилизировалось па некотором постоянном уровне, а функциональные отличия достигаются изменением рабочей, программы.
Разрабатываемые в настоящее время РЭС пятого поколения отличаются преимущественным использованием цифровых методов обработки сигналов. При этом необходимая высокая (до тысяч мегагерц) рабочая частота активных элементов ИМС достигается за счет большой (почти предельной) плотности их компоновки на поверхности кристалла, а также использованием новых видов активных компонентов (переходов Джозефсона, трехмерных ИМС на основе молекулярной электроники, одноэлектронных активных приборов, биологических структур и др.).
В современных РЭС в разной степени присутствуют активные компоненты всех поколений, а также различные пассивные дискретные компоненты, электрические и конструктивные параметры которых, а также технологии изготовления менялись в процессе смены поколений активных ЭРК.