- •1.Классификация полупроводниковых и диэлектр. Соединений. Ионные радиусы.
- •2.Закономерности образования п/п соединений. Правило Музера-Пирсона.
- •4.Двойные алмазоподобные п/п соединения.Соединения Типа а3в5
- •5.Хим. Связи и атомн. Структура алмазоподобных п/п соединений а3в5 . Антиструктурные дефекты.
- •6.Свойства соединений а3в5 (в том числе арсенида галлия, антимонида индия, нитрида галлия и твердых растворов на их основе.)
- •7.Химические связи, атомная структура и свойства соединений а2в4 и твердых растворов на их основе
- •8/ Химические связи, атомная структура и свойства соединений а4в4 /Полиморфные превращения SiC
- •9. Химические связи, атомная структура и свойства соединений а23в34
- •10. Химические связи, атомная структура и свойства соединений а52в63. И твердых растворов на их основе
- •11.Закономерности образования тройных алмазоподобных фаз. Класс соединений а3в5
4.Двойные алмазоподобные п/п соединения.Соединения Типа а3в5
Алмазоподобные полупроводниковые фазы возникают при образовании ковалентных связей, обусловленных Sр3-гибридизаци-ей валентных орбит, и для них характерно тетраэдрическое расположение атомов в первой координационной сфере. Для двойных алмазоподобных полупроводниковых соединений, помимо четырех общих правил, выполняется следующее правило: в этих фазах на каждый атом в среднем приходится четыре валентных электрона — правило «четырех валентных электронов на атом» (правило Горюновой) В отличие от элементарных полупроводников, в двойных соединениях атом одного сорта окружен четырьмя атомами другого сорта. Алмазоподобные фазы кристаллизуются в структуру сфалерита или вюрцита (см. рис. 4.1), а также в более сложные структуры (антифлюорит, дефектный сфалерит).
Рис. 4.1. Структуры сфалерита (а) и вюрцита (б)
Соединения типа АШВУ и твердые растворы на их основе. В табл. 4.2 приведены структуры, в которые кристаллизуются соединения типа АШВУ.
Таким образом, 16 соединений из 19, представленных в табл. 4.2, являются алмазопо-добными. Соединение 1пВх по структуре приближается к алмазоподобной фазе, однако оно обладает преимущественно металлическими свойствами. Металлические свойства характерны и для соединений Т18Ь и Т1В1, поэтому в дальнейшем они не рассматриваются.
Схема образования химических связей в алмазоподобных соединениях типа АтВу показана на рис. 4.4. Эта схема формальна в том смысле, что не всегда верно указывает эффективные заряды ионов в соединениях типа
А11^: по схеме катион несет единичный отрицательный заряд, а анион — единичный положительный заряд. В действительности, эффективные заряды ионов в различных соединениях различны, однако при этом эффективный заряд катиона всегда равен по величине и противоположен по знаку эффективному заряду аниона:
где еа и ев-эффективеые заряды катиона и аниона соответственно.
Таблица 4.2. Структуры соединений типа АтВу
* Здесь и далее: символы В и Сф — структуры типа
Элемент и его |
|
Элемент и его номер |
|||
номер в ШВ |
|
в УВ подгруппе* |
|||
подгруппе |
7 N |
15 Р |
38 Аз |
51 5Ь |
83 В1 |
5 В |
В и Сф |
Сф |
Сф |
Сф |
— |
13 А1 |
В |
Сф |
Сф |
Сф |
— |
31 Оа |
В |
Сф |
Сф |
Сф |
— |
49 1п |
В |
Сф |
Сф |
Сф |
1пВ1 |
81 Т1 |
— |
— |
— |
СзС1 |
СзС1 |
Существует ряд неоднозначных методов оценки величины эффективного заряда иона в смешанной ковалентно-ионной связи: в их основе лежит идея о дробном заряде иона. В качестве примера рассмотрим один из них. Ковалентную связь между двумя атомами А и В можно описать волновой функцией \|/лв:где фиа и фив — волновые функции атомов А и В соответственно. Уравнение для ковалентно- ионной связи будет иметь следующий вид: где λ — параметр, на основе которого можно вычислить значения е га и е у •
Относительная доля времени, которое электрон проводит вблизи атома А, равна λ,2/(1 + λ 2), а вблизи атома В эта доля времени составляет 1/(1 + λ,2). Среднее число валентных электронов, приходящееся на долю атома А, равно 8 λ.2/(1 + λ,2).
Отсюда эффективный заряд атома-катиона составит
Эффективный заряд атома Ву находится по формуле (4.3); значение лямда изменяется от 1 до 0