- •В.Ш. Берикашвили э.А. Засовин а.К.Черепанов
- •Оптоэлектронные и радиооптические устройства и системы
- •Монография
- •Москва 2010
- •Введение
- •1. Когерентная оптика и оптическая
- •1.1. Свойства света и его параметры
- •1.2. Оптоэлектронные приборы и устройства
- •1.3. Монохроматичность, когерентность и поляризация света
- •1.3.1. Монохроматическое излучение
- •1.3.2. Когерентность
- •1.3.3. Поляризация излучения
- •1.3.4. Состояние и степень поляризации света
- •2. Геометрическая оптика
- •2.1. Распространение света
- •2.2. Преломление и отражение света на границе двух однородных сред
- •2.3. Особенности распространения оптического излучения в световодах
- •2.3.1. Конструкция волоконного световода
- •2.3.2. Потери излучения в световодах из кварцевых стекол
- •2.4. Взаимодействие света с веществом
- •2.5. Классификация оптоэлектронных приборов и устройств
- •2.6. Пассивные оптические элементы
- •2.6.1. Тонкие линзы и объективы
- •2.6.2. Коллиматоры
- •2.6.3. Зеркальный телескоп
- •2.6.4. Матричное описание оптических систем
- •2.6.5. Аберрации оптических систем
- •2.6.6. Градиентные цилиндрические линзы (гцл)
- •3. Дисперсия, дифракция и интерференция света
- •3.1. Дисперсия света
- •3.2. Дифракция света
- •3.3. Интерференция света и интерферометры
- •3.4. Двухлучевые интерферометры
- •3.4.1. Интерферометр Майкельсона
- •3.4.2. Эшелон Майкельсона
- •3.4.3. Интерферометр Фабри-Перо
- •3.4.4. Интерферометры Фабри-Перо на клине
- •3.4.5. Аналоги интерферометра Фабри-Перо
- •4.6. Интерферометр Маха-Цендера
- •1 ¬ Лазер одномодовый, 2 ¬ расширитель луча, 3, 6 ¬ полупрозрачные пластины, 4, 7 ¬ зеркала, 5 ¬ исследуемая среда, 8 ¬ видеокамера, 9 ¬ интерфейс, 10 ¬ пк
- •3.5. Волоконно-оптические и интегрально-оптические интерферометры
- •3.5.1. Волоконно-оптический интерферометр Фабри-Перо
- •3.5.2. Волоконно-оптический интерферометр Маха-Цендера
- •3.6. Планарные диспергирующие элементы интегральной оптики
- •3.6.1. Планарные волноводы
- •3.6.2. Волноводные диспергирующие элементы
- •3.6.3. Многоканальные волоконно-оптические линии связи
- •4. Электрооптические, магнитооптические и акустооптические устройства
- •4.1. Электрооптические эффекты
- •4.1.1. Поперечный электрооптический эффект Поккельса
- •4.1.2. Продольный электрооптический эффект Поккельса
- •4.1.3. Квадратичный электрооптический эффект Керра
- •4.2. Электрооптические модуляторы света
- •4.2.1.Модуляторы на основе продольного электрооптического эффекта Поккельса
- •4.2.2.Электрооптические модуляторы на основе поперечного электрооптического эффекта Поккельса
- •4.2.3. Электрооптические модуляторы вч и свч
- •4.3. Модуляторы на жидких кристаллах
- •4.3.1. Физические свойства жк
- •4.4. Электрооптический эффект в цтсл-керамике
- •4.5. Магнитооптические эффекты
- •4.6. Акустооптическая модуляция
- •4.6.1. Явление фотоупругости
- •4.6.2. Акустооптические преобразователи
- •4.6.3. Свойства регулярных дифракционных решеток
- •4.6.4. Конструкция и особенности функционирования акустооптического модулятора
- •5. Оптическая обработка информации
- •5.1. Описание оптического сигнала
- •5.2. Методы Фурье-анализа
- •5.2.1. Частотный спектр одномерных сигналов
- •5.2.2. Разложение оптического сигнала в пространственно-временной спектр
- •5.2.2.1. Двумерный оптический сигнал и его информационная структура.
- •5.2.2.2. Дискретизация оптического сигнала
- •5.2.2.3. Дискретное двумерное преобразование Фурье
- •5.3. Аналоговые оптические процессоры
- •5.3.1. Акустооптические процессоры и их применение
- •5.3.2. Оптический процессор двумерного преобразования Фурье
- •5.4. Оптоэлектронные ацп
- •5.4.1. Поляризационные электрооптические ацп
- •5.4.2. Фазовые электрооптические ацп
- •5.4.3. Гибридный электрооптический ацп
- •6. Радиооптические системы
- •6.1. Классификация радиооптических систем
- •6.2. Структурные схемы основных радиооптических систем
- •6.2.1. Система с открытым каналом
- •6.2.2. Компоненты радиооптической системы с открытым каналом
- •6.2.3. Передающие оптические модули
- •6.2.4. Передающие оптические антенны
- •6.2.5. Источники излучения
- •6.2.5.1. Светоизлучающие диоды
- •6.2.5.2. Лазерные диоды
- •6.2.5.3. Лазеры
- •Приемный оптический модуль
- •Приемные антенны
- •6.2.6.2. Компоненты приемного модуля
- •7. Распространение электромагнитных волн в атмосфере
- •7.1. Электрические и метеорологические характеристики атмосферы
- •7.1.1. Молекулярное поглощение радиоволн в парах воды и в кислороде
- •7.1.2. Влияние аэрозолей, дымки, туманов и облаков на ослабление коротковолнового и оптического излучения
- •7.1.3. Ослабление энергии радио и оптического излучения в гидрометеорах
- •7.1.4. Влияние рефракции радиоволн и оптического излучения на связь
- •7.1.5. Потери электромагнитной энергии на преодоление замираний
- •7.1.6. Распространение электромагнитных волн в ионосфере
- •8. Лазерные локационные системы
- •8.1. Схема лазерной локационной системы
- •8.1.1. Многофункциональная система лазерной локации
- •8.1.2. Лазерные системы управления оружием
- •8.1.3. Лазерные системы связи и стыковки космических аппаратов
- •8.1.4. Расчеты параметров оптической связи
- •9. Обзорно–поисковые оптические системы
- •9.1. Системы с последовательным построением отдельных участков изображения
- •9.2. Двухканальные системы
- •9.3. Измерение дальности
- •Импульсные дальномеры
- •9.3.2. Фазовые дальномеры
- •9.4. Измерение скорости в лабораторных условиях
- •9.4.1. Измерение скорости с помощью некогерентного излучения
- •9.4.2. Дифференциально-интерференционный метод измерения скорости
- •9.4.3. Дифракционный метод измерения скорости
- •9.4.4. Измерения скорости в поле движущихся отсчетных точек
- •9.5. Измерение угловых координат
- •9.5.1. Система кодирования без воспроизведения изображения
- •9.5.2. Система кодирования с воспроизведением изображения
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Содержание
2.4. Взаимодействие света с веществом
Изучение взаимодействия света с различными веществами выявило квантовый характер этих явлений. Как было отмечено ранее, оптическое излучение обладает свойствами частицы-фотона и волны, т.е. имеет место так называемый корпускулярно-волновой дуализм. С другой стороны установлен квантовый характер поведения электронов в атоме. Он заключается в том, что электроны в атоме или молекуле могут занимать только дискретные энергетические уровни, разделенные запрещенными зонами. Переход с одного энергетического уровня на другой сопровождается поглощением или выделением кванта энергии-фотона. Особенно четко квантовые явления проявляют себя в полупроводниковых оптоэлектронных устройствах.
При изучении взаимодействия света с веществом на микроскопическом уровне, Эйнштейн, вывел уравнение фотоэффекта, в котором впервые использовал понятие фотона как кванта света. Последующие исследования полупроводников привели к разработке зонной теории. На рис.2.6 приведены схемы энергетических зон и переходов электронов в полупроводниках разных типов. В чистых монокристаллических полупроводниках Si и Ge валентная зона и зона проводимости разделены довольно широкой запрещенной зоной (рис.2.6). Для того чтобы перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости, необходимо сообщить ему довольно большую энергию ΔЕ=Е1Е0. При возбуждении атома, т.е. при переводе электрона в зону проводимости, в кристаллической решетке появляется положительно заряженный ион («дырка»). Таким образом, электронно-дырочная пара носителей заряда появляется, если полупроводник осветить светом с энергией фотонов ΔЕ. Если к обкладкам полупроводника приложить напряжение, то при освещении светом возникнет ток. На этом принципе основана работа фоторезисторов.
У легированных полупроводников энергетические валентная зона и зона проводимости смещаются так, что запрещенная зона уменьшается. Следовательно, электронно-дырочная пара носителей заряда появляется, если легированный полупроводник осветить светом с меньшей энергией фотонов ΔЕ. Еще меньше требуется энергии при освещении р-п-перехода.
Рис. 2.6. Схематическое изображение энергетических зон в полупроводниках (а - полупроводник с собственной проводимостью, б – полупроводник п-типа, в – полупроводник р-типа)
Согласно положениям квантовой механики электроны могут находиться только в разрешенных зонах. Обычно у полупроводников они находятся в нижней (валентной) зоне в устойчивом состоянии с малой энергией. Для перевода на более высокий уровень требуется затрата энергии на преодоление запрещенной зоны. На верхнем уровне электроны долго не задерживаются и переходят на нижний с излучением света.
У некоторых полупроводников имеются метастабильные энергетические уровни, на которых электроны задерживаются и создается инверсная населенность. Возникает, так называемая, активная среда, в которой свет с длиной волны, соответствующей энергии перехода электрона на нижний уровень, будет не ослабляться, а усиливаться. Помещая активную среду между зеркальными стенками резонатора, на выходе резонатора можно получить многократное усиленное излучения, называемое лазерным.